一种器件的封装结构制造技术

一种器件的封装结构，包括有管帽和管座，管帽盖置于管座上，管帽包括阴极压块和阴极法兰，阴极法兰同心焊接于阴极压块的外缘；管座包括阳极压块、缓冲框、陶瓷体、封接框、散热体和阳极法兰，缓冲框内缘同心焊接于阳极压块的外缘，缓冲框外缘同心焊接于陶瓷体的下端面，封接框内缘同心焊接在陶瓷体的上端面，封接框的外缘同心焊接在散热体的下端面，阳极法兰同心焊接在散热体的上端面。本实用新型专利技术的器件的封装结构，通过在其内部侧面设置芯片安装面，在其外部设置裙齿结构，实现多个芯片均流并联，同时实现三维立体冷却，极大提高了管壳的通流能力和散热能力。通流能力和散热能力。通流能力和散热能力。

【技术实现步骤摘要】
一种器件的封装结构


[0001]本技术涉及电子元器件


技术介绍

[0002]半导体器件的金属陶瓷封装结构通常包括螺栓形和平板形。螺栓形管壳基本特点是其螺栓部分与散热器螺孔紧密配合，实现单面散热，因而通常适用于300A以下的器件。平板形管壳器件的基本特点是管壳与散热器平面接触实现双面散热，因而适用于200A以上的器件。
[0003]高结温特性是半导体器件的关键指标之一，目前，对于200A以上且2000V以下的高结温多芯并联器件，市场上多采用双面散热的平板形管壳，不能充分发挥器件芯片的高结温特性，因此如何提高管壳的散热能力，已成为需要解决的问题。

技术实现思路

[0004]为了解决传统金属陶瓷封装结构存在的上述问题，本技术提供了一种器件的封装结构。
[0005]本技术为实现上述目的所采用的技术方案是：一种器件的封装结构，包括有管帽1和管座2，管帽1盖置于管座2上，管帽1包括阴极压块1
‑
1和阴极法兰1
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2，阴极法兰1
‑
2同心焊接于阴极压块1
‑
1的外缘；管座2包括阳极压块2
‑
1、缓冲框2
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2、陶瓷体2
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3、封接框2
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4、散热体2
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5和阳极法兰2
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6，缓冲框2
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2内缘同心焊接于阳极压块2
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1的外缘，缓冲框2
‑
2外缘同心焊接于陶瓷体2<br/>‑
3的下端面，封接框2
‑
4内缘同心焊接在陶瓷体2
‑
3的上端面，封接框2
‑
4的外缘同心焊接在散热体2
‑
5的下端面，阳极法兰2
‑
6同心焊接在散热体2
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5的上端面。
[0006]所述散热体2
‑
5外部为裙齿结构，散热体2
‑
5内部设有芯片安装面，散热体2
‑
5为无氧铜或铜合金制成。
[0007]所述阳极压块2
‑
1上设有内引线安装孔3，内引线安装孔3呈对称分布。
[0008]本技术的器件的封装结构，通过在其内部侧面设置芯片安装面，在其外部设置裙齿结构，实现多个芯片均流并联，同时实现三维立体冷却，极大提高了管壳的通流能力和散热能力。
附图说明
[0009]图1是本技术器件封装结构主视剖面结构图。
[0010]图2是本技术器件封装结构的俯视图。
[0011]图中：1、管帽， 1
‑
1、阴极压块，1
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2阴极法兰，2为管座，2
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1阳极压块，2
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2缓冲框，2
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3陶瓷体，2
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4封接框，2
‑
5散热体，2
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6阳极法兰，3、内引线安装孔。
具体实施方式
[0012]本技术的器件金属陶瓷封装结构如图1和图2所示，其外形为方形，包括有管
帽1和管座2，管帽1盖置于管座2上，管帽1包括有阴极压块1
‑
1和阴极法兰1
‑
2，阴极法兰1
‑
2同心焊接在阴极压块1
‑
1的外缘；管座2包括有阳极压块2
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1、缓冲框2
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2、陶瓷体2
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3、封接框2
‑
4、散热体2
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5和阳极法兰2
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6，缓冲框2
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2内缘同心焊接在阳极压块2
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1的外缘，缓冲框2
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2外缘同心焊接在陶瓷体2
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3的下端面，封接框2
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4内缘同心焊接在陶瓷体2
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3的上端面，封接框2
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4的外缘同心焊接在散热体2
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5的下端面，阳极法兰2
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6同心焊接在散热体2
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5的上端面。散热体2
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5外部为裙齿结构，内部设有芯片安装面，散热体2
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5采用无氧铜或铜合金制成。阳极压块上设有内引线安装孔3，安装孔呈对称分布。
[0013]使用时，将芯片安装于管帽1、管座2和散热体2
‑
5形成的空间内，通过在散热体2
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5内部侧面设置芯片安装面，在其外部设置裙齿结构，实现多个芯片均流并联，同时实现三维立体冷却，极大提高了管壳的通流能力和散热能力。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种器件的封装结构，其特征在于：包括有管帽（1）和管座（2），管帽（1）盖置于管座（2）上，管帽（1）包括阴极压块（1
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1）和阴极法兰（1
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2），阴极法兰（1
‑
2）同心焊接于阴极压块（1
‑
1）的外缘；管座（2）包括阳极压块（2
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1）、缓冲框（2
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2）、陶瓷体（2
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3）、封接框（2
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4）、散热体（2
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5）和阳极法兰（2
‑
6），缓冲框（2
‑
2）内缘同心焊接于阳极压块（2
‑
1）的外缘，缓冲框（2
‑
2）外缘同心焊接于陶瓷体（2

【专利技术属性】
技术研发人员：赵岩，纪伟，曲成研，
申请(专利权)人：阜新飞宇电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：