本实用新型专利技术公开了一种带有防护结构的氮化镓功率半导体，包括加宽板和氮化镓半导体，加宽板的底端安装有氮化镓半导体，且氮化镓半导体的顶端与加宽板固定连接，加宽板的外壁上安装有散热铜块，且散热铜块的外壁与加宽板固定连接，并且氮化镓半导体的外壁与散热铜块固定连接，加宽板的内部设有通孔，通孔的内部设有锁紧螺栓，且锁紧螺栓的一端延伸至散热铜块的内部，并且加宽板通过锁紧螺栓与散热铜块固定连接。本实用新型专利技术不仅实现了氮化镓功率半导体可靠的支撑防护，提高了氮化镓功率半导体的安全性，而且延长了氮化镓功率半导体的使用寿命。命。命。
【技术实现步骤摘要】
一种带有防护结构的氮化镓功率半导体
[0001]本技术涉及氮化镓功率半导体
，具体为一种带有防护结构的氮化镓功率半导体。
技术介绍
[0002]氮化镓，由镓和氮结合而来的化合物，它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料，氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构，由于氮化镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快几十倍，以氮化镓为代表的第三代半导体材料具备耐高温、耐高压、高频率、大功率、抗辐射等优异特性，相对硅基功率器件而言，氮化镓器件在基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景都有着绝对优势。
[0003]现今市场上的此类氮化镓功率半导体种类繁多，基本可以满足人们的使用需求，但是依然存在一定的问题，现有的此类氮化镓功率半导体在使用时一般不便于可靠的支撑防护，大大的影响了氮化镓功率半导体使用时的安全性，给氮化镓功率半导体的使用寿命带来了很大的影响。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种带有防护结构的氮化镓功率半导体，以解决上述
技术介绍
中提出氮化镓功率半导体不便于可靠的支撑防护的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种带有防护结构的氮化镓功率半导体，包括加宽板和氮化镓半导体，所述加宽板的底端安装有氮化镓半导体，且氮化镓半导体的顶端与加宽板固定连接，所述加宽板的外壁上安装有散热铜块，且散热铜块的外壁与加宽板固定连接，并且氮化镓半导体的外壁与散热铜块固定连接，所述加宽板的内部设有通孔，所述通孔的内部设有锁紧螺栓，且锁紧螺栓的一端延伸至散热铜块的内部，并且加宽板通过锁紧螺栓与散热铜块固定连接，所述氮化镓半导体的底端安装有等间距的三组触脚，且触脚的顶端延伸至氮化镓半导体的内部。
[0006]优选的，所述氮化镓半导体的外壁上设有防护架，且防护架与氮化镓半导体固定连接。
[0007]优选的，所述防护架的两端皆安装有转接架，且转接架的外壁皆与防护架固定连接。
[0008]优选的，所述散热铜块的外壁上设有散热铝块，且散热铝块的外壁与散热铜块固定连接。
[0009]优选的，所述散热铝块两侧的外壁上皆设有螺纹孔座，且螺纹孔座的外壁与散热铝块固定连接。
[0010]优选的，所述转接架的内部皆设有放置孔，所述放置孔的内部皆设有连接螺栓，且
连接螺栓的一端延伸至螺纹孔座的内部，并且转接架通过连接螺栓与散热铝块相连接。
[0011]优选的，所述散热铝块的内部设有等间距的多组散热通槽，且散热通槽的底端贯穿于散热铝块的内部。
[0012]优选的，所述散热铝块的外壁上安装有支架，所述支架的内部设有风扇。
[0013]优选的，所述支架的外壁上设有保护架，所述支架的内部设有加长螺栓，且加长螺栓的一端延伸至保护架和支架的内部，并且支架通过加长螺栓与散热铝块相连接。
[0014]与现有技术相比，本技术的有益效果是：该氮化镓功率半导体不仅实现了氮化镓功率半导体可靠的支撑防护，提高了氮化镓功率半导体的安全性，而且延长了氮化镓功率半导体的使用寿命；
[0015](1)通过将防护架安装在氮化镓半导体的外壁上，将转接架与防护架进行连接，将连接螺栓插入放置孔的内部，将连接螺栓插入螺纹孔座的内部，在连接螺栓的连接下将转接架与散热铝块进行固定，从而对防护架进行连接固定，实现了氮化镓功率半导体可靠的支撑防护，提高了氮化镓功率半导体的安全性；
[0016](2)通过将散热铜块与通孔进行连接，加宽板通过锁紧螺栓与散热铜块进行固定，散热铝块来对散热铜块起到散热的作用，散热通槽来方便散热铝块内部空气流动，来提高散热效果，实现了氮化镓功率半导体便捷的散热，提高了氮化镓功率半导体运行时的稳定性；
[0017](3)通过将支架与散热铝块连接一起，风扇对散热铝块进行吹风来加快散热铝块内部气体的流动，保护架起到防护的作用，加长螺栓起到连接固定的作用，实现了氮化镓功率半导体高效的散热，延长了氮化镓功率半导体的使用寿命。
附图说明
[0018]图1为本技术的三维立体爆炸结构示意图；
[0019]图2为本技术的三维立体结构示意图；
[0020]图3为本技术的三维立体结构示意图；
[0021]图4为本技术的连接螺栓正视结构示意图；
[0022]图5为本技术的防护架俯视结构示意图；
[0023]图6为本技术的加宽板侧视结构示意图。
[0024]图中：1、通孔；2、加宽板；3、锁紧螺栓；4、放置孔；5、防护架；6、转接架；7、连接螺栓；8、触脚；9、氮化镓半导体；10、散热铝块；11、螺纹孔座；12、散热通槽；13、散热铜块；14、支架；15、风扇；16、保护架；17、加长螺栓。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0026]请参阅图1
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6，本技术提供的一种实施例：一种带有防护结构的氮化镓功率半导体，包括加宽板2和氮化镓半导体9，加宽板2的底端安装有氮化镓半导体9，且氮化镓半导体9的顶端与加宽板2固定连接，加宽板2的外壁上安装有散热铜块13，且散热铜块13的外壁
与加宽板2固定连接，散热铜块13起到散热的作用，散热铜块13来增加散热面积，氮化镓半导体9的外壁与散热铜块13固定连接，加宽板2的内部设有通孔1，通孔1的内部设有锁紧螺栓3，且锁紧螺栓3的一端延伸至散热铜块13的内部，并且加宽板2通过锁紧螺栓3与散热铜块13固定连接，氮化镓半导体9的底端安装有等间距的三组触脚8，且触脚8的顶端延伸至氮化镓半导体9的内部，氮化镓半导体9的外壁上设有防护架5，且防护架5与氮化镓半导体9固定连接，防护架5起到遮挡防护的作用，防护架5的两端皆安装有转接架6，且转接架6的外壁皆与防护架5固定连接，转接架6的内部皆设有放置孔4，放置孔4的内部皆设有连接螺栓7，且连接螺栓7的一端延伸至螺纹孔座11的内部，并且转接架6通过连接螺栓7与散热铝块10相连接，连接螺栓7起到连接固定的作用；
[0027]使用时通过将加宽板2与氮化镓半导体9安装一起，将加宽板2与散热铜块13进行连接，将氮化镓半导体9与散热铜块13进行连接，散热铜块13起到传热散热的作用，将加宽板2插入通孔1和散热铜块13的内部，在散热铜块13的连接下来将加宽板2与散热铜块13进行固定，将触脚8与氮化镓半导体9进行连接，触脚8起到导电的作用，将防护架5安装在氮化镓半导体9的外壁上，将转接架6与防护架5进行连接，将连接螺栓7插入放置孔4的内部，将连接螺栓7插入螺纹孔座11的内部，在连接螺栓7的连接下将转接架6与散热铝块10进行固定，从而对本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带有防护结构的氮化镓功率半导体，包括加宽板(2)和氮化镓半导体(9)，其特征在于：所述加宽板(2)的底端安装有氮化镓半导体(9)，且氮化镓半导体(9)的顶端与加宽板(2)固定连接，所述加宽板(2)的外壁上安装有散热铜块(13)，且散热铜块(13)的外壁与加宽板(2)固定连接，并且氮化镓半导体(9)的外壁与散热铜块(13)固定连接，所述加宽板(2)的内部设有通孔(1)，所述通孔(1)的内部设有锁紧螺栓(3)，且锁紧螺栓(3)的一端延伸至散热铜块(13)的内部，并且加宽板(2)通过锁紧螺栓(3)与散热铜块(13)固定连接，所述氮化镓半导体(9)的底端安装有等间距的三组触脚(8)，且触脚(8)的顶端延伸至氮化镓半导体(9)的内部。2.根据权利要求1所述的一种带有防护结构的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述氮化镓半导体(9)的外壁上设有防护架(5)，且防护架(5)与氮化镓半导体(9)固定连接。3.根据权利要求2所述的一种带有防护结构的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述防护架(5)的两端皆安装有转接架(6)，且转接架(6)的外壁皆与防护架(5)固定连接。4.根据权利要求1所述的一种带有防护结构的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述散热铜块(13)的外壁上设有散热铝块(10)，且散热铝块(10)的外壁与散热...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘一锋，
申请(专利权)人：绍兴芯能光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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