微米发光二极管芯片缺陷检测方法、设备及存储介质技术

本发明专利技术公开了一种微米发光二极管芯片缺陷检测方法、设备及存储介质，属于芯片检测技术领域，该方法包括：获取微米发光二极管芯片的光谱数据，将所述光谱数据转化为待测光谱向量；确定所述待测光谱向量与预设的背景光谱向量之间的第一角度参量，若所述第一角度参量符合预设的检测条件，则将所述待测光谱向量作为目标光谱向量；确定所述目标光谱向量与预设的参考光谱向量之间的第二角度参量，根据所述第二角度参量和预设的参量阈值之间的大小关系判断所述微米发光二极管芯片是否异常。本发明专利技术通过光谱角匹配进行微米发光二极管芯片的缺陷检测，实现了提高微米发光二极管芯片检测效率的技术效果。率的技术效果。率的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
微米发光二极管芯片缺陷检测方法、设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及芯片检测
，尤其涉及一种微米发光二极管芯片缺陷检测方法、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]Micro
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LED（微米发光二极管）显示技术是指以自发光的微米量级LED（Light
‑
Emitting Diode，发光二极管）为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。Micro
‑
LED芯片具有尺寸小、集成度高和自发光等特点，应用在显示产品中具有一定的优势。
[0003]当前Micro
‑
LED行业检测其发光光谱是否异常主要采用CIE（Commission Internationale de l
´
Eclairage，国际照明委员会）标准计算Micro
‑
LED芯片发光的主波长和色纯度，CIE计算过程主要依赖插值算法，相对比较复杂，而应用Micro
‑
LED的产品所使用的芯片数量甚多，检测过程耗时长，导致检测效率低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种微米发光二极管芯片缺陷检测方法、设备及存储介质，旨在解决微米发光二极管显示产品检测效率低的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供一种微米发光二极管芯片缺陷检测方法，该方法包括：获取微米发光二极管芯片的光谱数据，将所述光谱数据转化为待测光谱向量；确定所述待测光谱向量与预设的背景光谱向量之间的第一角度参量，若所述第一角度参量符合预设的检测条件，则将所述待测光谱向量作为目标光谱向量；确定所述目标光谱向量与预设的参考光谱向量之间的第二角度参量，根据所述第二角度参量和预设的参量阈值之间的大小关系判断所述微米发光二极管芯片是否异常。
[0006]可选地，所述获取微米发光二极管芯片的光谱数据的步骤包括：向巨量光谱采集设备发送第一光谱采集信号，控制所述巨量光谱采集设备按照预设第一采样间隔采集所述光谱数据；接收所述巨量光谱采集设备发送的光谱成像帧，其中，所述光谱成像帧中包含多个所述微米发光二极管芯片的光谱数据。
[0007]可选地，所述获取微米发光二极管芯片的光谱数据的步骤包括：向光谱仪发送第二光谱采集信号，控制所述光谱仪按照预设第二采样间隔采集所述光谱数据；接收所述光谱仪发送的光谱数据。
[0008]可选地，所述将所述光谱数据转化为待测光谱向量的步骤包括：确定所述光谱数据中的检测波长，以及所述检测波长对应的光谱响应值；根据所述光谱响应值生成所述待测光谱向量。
[0009]可选地，所述确定所述待测光谱向量与预设的背景光谱向量之间的第一角度参量，若所述第一角度参量符合预设的检测条件，则将所述待测光谱向量作为目标光谱向量的步骤包括：计算所述待测光谱向量和所述背景光谱向量之间的第一夹角余弦值；若所述第一夹角余弦值小于预设的第一余弦值阈值，则确定所述待测光谱向量为目标光谱向量。
[0010]可选地，所述确定所述目标光谱向量与预设的参考光谱向量之间的第二角度参量，根据所述第二角度参量和预设的参量阈值之间的大小关系判断所述微米发光二极管芯片是否异常的步骤包括：获取标准芯片的光谱向量作为所述参考光谱向量，计算所述目标光谱向量和所述参考光谱向量之间的第二夹角余弦值；若所述第二夹角余弦值大于预设的第二余弦值阈值，则确定所述微米发光二极管芯片正常；若所述第二夹角余弦值小于或等于预设的第二余弦值阈值，则确定所述微米发光二极管芯片异常。
[0011]可选地，所述确定所述目标光谱向量与预设的参考光谱向量之间的第二角度参量，根据所述第二角度参量和预设的参量阈值之间的大小关系判断所述微米发光二极管芯片是否异常的步骤包括：获取假设光谱向量作为所述参考光谱向量，计算所述目标光谱向量和所述参考光谱向量之间的夹角偏离值；若所述夹角偏离值小于预设的偏离下限值或大于预设的偏离上限值，则确定所述微米发光二极管芯片异常；若所述夹角偏离值大于或等于预设的偏离下限值且小于或等于预设的偏离上限值，则确定所述微米发光二极管芯片正常。
[0012]可选地，在所述确定所述目标光谱向量与预设的参考光谱向量之间的第二角度参量，根据所述第二角度参量和预设的参量阈值之间的大小关系判断所述微米发光二极管芯片是否异常的步骤之后，还包括：获取判断为异常的微米发光二极管芯片的标识点信息；根据所述标识点信息记录所述微米发光二极管芯片的位置。
[0013]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种电子设备，所述电子设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的微米发光二极管芯片缺陷检测程序，所述微米发光二极管芯片缺陷检测程序配置为实现如上文所述的微米发光二极管芯片缺陷检测方法的步骤。
[0014]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有微米发光二极管芯片缺陷检测程序，所述微米发光二极管芯片缺陷检测程序被处理器执行时实现如上文所述的微米发光二极管芯片缺陷检测方法的步骤。
[0015]本专利技术提供的微米发光二极管芯片缺陷检测方法，获取微米发光二极管芯片的光谱数据，将所述光谱数据转化为待测光谱向量；确定所述待测光谱向量与预设的背景光谱向量之间的第一角度参量，若所述第一角度参量符合预设的检测条件，则将所述待测光谱
向量作为目标光谱向量；确定所述目标光谱向量与预设的参考光谱向量之间的第二角度参量，根据所述第二角度参量和预设的参量阈值之间的大小关系判断所述微米发光二极管芯片是否异常。通过第一角度参量区分待测光谱向量表示的光谱数据是否为背景数据，可以筛选出代表待测样品的目标光谱向量，再根据目标光谱向量和参考光谱向量之间的第二角度参量确定目标光谱向量和参考光谱向量之间的差异性，判断微米发光二极管的状态，检测过程依赖光谱数据本身，无需参照CIE标准将光谱数据绘制成CIE马蹄形光谱轮廓线，简化了计算过程，从而提高了检测效率。
附图说明
[0016]图1为本专利技术实施例方案涉及的硬件运行环境的电子设备的结构示意图；图2为本专利技术微米发光二极管芯片缺陷检测方法第一实施例的流程示意图；图3为本专利技术实施例涉及的一种缺陷检测系统的结构示意图；图4为本专利技术实施例涉及的光谱角、色纯度和主波长之间的关系曲线图；图5为本专利技术微米发光二极管芯片缺陷检测方法第二实施例的流程示意图；图6为本专利技术实施例涉及的另一种缺陷检测系统的结构示意图；图7为本专利技术微米发光二极管芯片缺陷检测方法第三实施例的流程示意图。
[0017]附图标记本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0018]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0019]参照图1，图1为本专利技术实施例方案涉及的硬件运行环境的电子设备结构示意图。
[0020]如图1所示，该电子设备可以包括：处理器1001，例如中央处理器（Ce本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微米发光二极管芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述微米发光二极管芯片缺陷检测方法包括以下步骤：获取微米发光二极管芯片的光谱数据，将所述光谱数据转化为待测光谱向量；确定所述待测光谱向量与预设的背景光谱向量之间的第一角度参量，若所述第一角度参量符合预设的检测条件，则将所述待测光谱向量作为目标光谱向量；确定所述目标光谱向量与预设的参考光谱向量之间的第二角度参量，根据所述第二角度参量和预设的参量阈值之间的大小关系判断所述微米发光二极管芯片是否异常。2.如权利要求1所述的微米发光二极管芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述获取微米发光二极管芯片的光谱数据的步骤包括：向巨量光谱采集设备发送第一光谱采集信号，控制所述巨量光谱采集设备按照预设第一采样间隔采集所述光谱数据；接收所述巨量光谱采集设备发送的光谱成像帧，其中，所述光谱成像帧中包含多个所述微米发光二极管芯片的光谱数据。3.如权利要求1所述的微米发光二极管芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述获取微米发光二极管芯片的光谱数据的步骤包括：向光谱仪发送第二光谱采集信号，控制所述光谱仪按照预设第二采样间隔采集所述光谱数据；接收所述光谱仪发送的光谱数据。4.如权利要求2或3所述的微米发光二极管芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述将所述光谱数据转化为待测光谱向量的步骤包括：确定所述光谱数据中的检测波长，以及所述检测波长对应的光谱响应值；根据所述光谱响应值生成所述待测光谱向量。5.如权利要求1所述的微米发光二极管芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述确定所述待测光谱向量与预设的背景光谱向量之间的第一角度参量，若所述第一角度参量符合预设的检测条件，则将所述待测光谱向量作为目标光谱向量的步骤包括：计算所述待测光谱向量和所述背景光谱向量之间的第一夹角余弦值；若所述第一夹角余弦值小于预设的第一余弦值阈值，则确定所述待测光谱向量为目标光谱向量。6.如权利要求2或3所述的微米发光二极管芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述确定所述目标光谱向量与预设的参考光谱向量之间的第二角度参量，根据所述第二角度参量和预设...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪伟，毕海，张海裕，石壮威，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：