本发明专利技术涉及一种X频段场效应晶体管通用验证板卡，N个待测器件和N+1个射频MIC电路板采用级联的方式连接，射频连接器与信号源连接为第一个射频MIC电路板提供射频信号输入，第一级射频MIC电路板为级联在其后的待测器件提供栅极供电以及射频输入阻抗匹配；最后一级射频MIC电路板为最后一个级联的待测器件提供漏极供电以及输出阻抗匹配；两个待测器件之间的射频MIC电路板为级联在其之前的待测器件提供漏极供电以及输出阻抗匹配，并为后一级待测器件提供栅极供电以及射频输入阻抗匹配；通过低频连接器将供电电源与低频控制电路PCB板连接，由低频控制电路PCB板为各射频MIC电路板提供对应的栅极、漏极供电电压。漏极供电电压。漏极供电电压。
【技术实现步骤摘要】
一种X频段场效应晶体管通用验证板卡
[0001]本专利技术涉及一种X频段场效应晶体管通用验证板卡，适用于X频段宽带、窄带场效应晶体管器件多级验证,属于微波器件验证领域。
技术介绍
[0002]X频段微波场效应晶体管的板级验证项目一般包括非线性特性测试、输出功率测试、增益特性、幅频特性、栅偏置稳定性验证等，板卡设计原则根据被测器件的类型、封装、测试要求等进行开发。
[0003]以往设计师及生产厂针对单一器件设计典型验证板卡，开展单器件验证工作。该种验证板卡的优点是设计简单，但在对大批量器件进行应用验证时效率低下，且占用较多的设备资源，不能满足日益增长的器件应用验证的需求。鉴于此问题，自主设计，专利技术了一种新型的X频段通用验证板卡。在进行板级应用验证时，将相同频段的器件安装到同一块通用板卡上开展验证工作，大大提高了验证效率。
技术实现思路
[0004]本专利技术解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种X频段场效应晶体管通用验证板卡，大大提高验证效率。
[0005]本专利技术解决技术的方案是：一种X频段场效应晶体管通用验证板卡，包括：射频连接器、低频连接器、射频MIC电路板、低频控制电路PCB板、待测器件；
[0006]N个待测器件和N+1个射频MIC电路板采用级联的方式连接，射频连接器与信号源连接为第一个射频MIC电路板提供射频信号输入，第一级射频MIC电路板为级联在其后的待测器件提供栅极供电以及射频输入阻抗匹配；最后一级射频MIC电路板为最后一个级联的待测器件提供漏极供电以及输出阻抗匹配；两个待测器件之间的射频MIC电路板为级联在其之前的待测器件提供漏极供电以及输出阻抗匹配，并为后一级待测器件提供栅极供电以及射频输入阻抗匹配；通过低频连接器将供电电源与低频控制电路PCB板连接，由低频控制电路PCB板为各射频MIC电路板提供对应的栅极、漏极供电电压。
[0007]优选的，所述射频MIC电路板设计为直通板MIC电路。
[0008]优选的，所述N≥2。
[0009]优选的，第一级射频MIC电路板包括隔直电容C1、V1输入匹配电路、宽带偏置枝节bias
‑
T1、RC滤波电路1、滤波电容C3；
[0010]第一级射频MIC电路板的射频输入端串联隔直电容C1后与级联在其后的待测器件V1的输入匹配电路输入端相连，V1输入匹配电路输出端作为射频输出端；V1输入匹配电路供电端连接宽带偏置枝节bias
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T1输入端；RC滤波电路1输入端与宽带偏置枝节bias
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T1输出端连接；C3与RC滤波电路1并联且输出端共接地电位；宽带偏置枝节bias
‑
T1输出端接Vgs1为MIC电路板的供电输入端口。
[0011]优选的，两个待测器件之间的射频MIC电路板记为MICj包括Vi输出匹配电路、级间
隔直电容C6、Vj输入匹配电路、带偏置枝节bias
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T2、RC滤波电路2、滤波电容C5；带偏置枝节bias
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T3、RC滤波电路3、滤波电容C8；上述两个待测器件按照级联先后顺序分别记为Vi、Vj；
[0012]MICj射频输入端与Vi输出匹配电路输入端相连，Vi输出匹配电路输出端与级间隔直电容C6输入端相连，C6输出端与Vj输入匹配电路输入端相连，V j输入匹配电路输出端接MICj射频输出端；
[0013]Vi输出匹配电路供电端连接宽带偏置枝节bias
‑
T2输入端；RC滤波电路2输入端与宽带偏置枝节bias
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T2输出端连接；C5与RC滤波电路2并联且输出端共接地电位；宽带偏置枝节bias
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T2输出端接Vdsi为MICj供电输入1端口。Vj输入匹配电路供电端连接宽带偏置枝节bias
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T3输入端；RC滤波电路3输入端与宽带偏置枝节bias
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T3输出端连接；C8与RC滤波电路3并联且输出端共接地电位；宽带偏置枝节bias
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T3输出端接Vgsj为MICj供电输入2端口。
[0014]优选的，最后一级MIC电路板包括Vm输出匹配电路、隔直电容C11、宽带偏置枝节bias
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T4、RC滤波电路4、滤波电容C10、Vdsm；与最后一级MIC电路板级联的待测器件记为Vm；
[0015]最后一级MIC电路板的射频输入端与Vm输出匹配电路输入端相连，Vm输出匹配电路输出端与隔直电容C11输入端相连，C11输出端作为最后一级MIC电路板的射频输出端；Vm输出匹配电路供电端连接宽带偏置枝节bias
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T4输入端；RC滤波电路4输入端与宽带偏置枝节bias
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T4输出端连接；C10与RC滤波电路4并联且输出端共接地电位；宽带偏置枝节bias
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T4输出端接Vdsm为最后一级MIC电路板的供电输入端口。
[0016]优选的，所述通用验证板卡还包括铝合金外壳、盖板；所述铝合金外壳包括上下两个腔体，所述待测器件、射频MIC电路板放置在铝合金外壳的下腔体内，由盖板屏蔽外部射频干扰信号；低频控制电路PCB板放置在上腔体内。
[0017]本专利技术与现有技术相比的有益效果是：
[0018](1)本专利技术对原有单器件验证方法涉及参数验证的同时，补充了器件端口级间匹配特性验证。
[0019](2)载体及MIC片电路级联，可实现多款器件同时验证，且具有扩展功能。
[0020](3)本专利技术通过调整射频MIC电路即可实现X频段的器件通用验证板卡装置，适用于多品种X频段场效应晶体管器件外形结构与尺寸，满足航天器半定制产品需求，实现同一测试平台对不同型号规格器件的测试。
[0021](4)本专利技术换掉外围匹配无源器件并使用宽带偏置枝节(bias
‑
T)作为测试附件，即可验证宽带性能的微波场效应晶体管。
[0022](5)本专利技术针对通用板卡在测试中引入的测试误差，设计通用的直通板M IC电路即可对测试中引入的测试误差进行校准，以得到准确的测试结果。
[0023](6)本专利技术为X频段通用验证板卡，适用于X频段宽带、窄带场效应晶体管器件验证，实用性强。
附图说明
[0024]图1为本专利技术低频控制电路示意图；
[0025]图2为本专利技术射频电路示意图。
具体实施方式
[0026]下面结合实施例对本专利技术作进一步阐述。
[0027]本专利技术依据器件的工作频段进行划分，将X频段的器件设计到一块板卡，本专利技术可以同时对多款X频段器件开展应用验证工作。
[0028]其中待测器件和射频MIC电路板均通过螺钉紧固在铝合金外壳下腔体上，多款器件可以通过MIC片电路级联，然后射频连接器使用螺钉紧固外壳之上。本专利技术能够解决：1.单一器件设计典型板级应用验证电路验证效率低下的问题。2.X频段验证器件因规格型号不同外围电路及附件重复投产问题本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种X频段场效应晶体管通用验证板卡，其特征在于包括：射频连接器、低频连接器、射频MIC电路板、低频控制电路PCB板、待测器件；N个待测器件和N+1个射频MIC电路板采用级联的方式连接，射频连接器与信号源连接为第一个射频MIC电路板提供射频信号输入，第一级射频MIC电路板为级联在其后的待测器件提供栅极供电以及射频输入阻抗匹配；最后一级射频MIC电路板为最后一个级联的待测器件提供漏极供电以及输出阻抗匹配；两个待测器件之间的射频MIC电路板为级联在其之前的待测器件提供漏极供电以及输出阻抗匹配，并为后一级待测器件提供栅极供电以及射频输入阻抗匹配；通过低频连接器将供电电源与低频控制电路PCB板连接，由低频控制电路PCB板为各射频MIC电路板提供对应的栅极、漏极供电电压。2.根据权利要求1所述的通用验证板卡，其特征在于：所述射频MIC电路板设计为直通板MIC电路。3.根据权利要求1所述的通用验证板卡，其特征在于：所述N≥2。4.根据权利要求1所述的通用验证板卡，其特征在于：第一级射频MIC电路板包括隔直电容C1、V1输入匹配电路、宽带偏置枝节bias
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T1、RC滤波电路1、滤波电容C3；第一级射频MIC电路板的射频输入端串联隔直电容C1后与级联在其后的待测器件V1的输入匹配电路输入端相连，V1输入匹配电路输出端作为射频输出端；V1输入匹配电路供电端连接宽带偏置枝节bias
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T1输入端；RC滤波电路1输入端与宽带偏置枝节bias
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T1输出端连接；C3与RC滤波电路1并联且输出端共接地电位；宽带偏置枝节bias
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T1输出端接Vgs1为MIC电路板的供电输入端口。5.根据权利要求1所述的通用验证板卡，其特征在于：两个待测器件之间的射频MIC电路板记为MICj包括Vi输出匹配电路、级间隔直电容C6、Vj输入匹配电路、带偏置枝节bias
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T2、RC滤波电路2、滤波电容C5；带偏置枝节bias
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T3、RC滤波电路3、滤波电容C8；上述两个待测器件按照级联先后顺...
【专利技术属性】
技术研发人员：贠发红，刘萌萌，张全，贺卿，姚晓雷，王必辉，杨钊，
申请(专利权)人：西安空间无线电技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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