混酸激活状态的控制方法、装置、计算机设备及存储介质制造方法及图纸

本申请涉及一种混酸激活状态的控制方法、装置、计算机设备及存储介质。混酸激活状态的控制方法包括：混酸包括氢氟酸、硝酸和醋酸，方法包括：获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时混酸中氢氟酸的浓度；其中，刻蚀状态包括混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；在浓度低于预设阈值时，控制混酸桶排出预设体积的混酸，并向混酸桶中注入新混酸，以使混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。相较于常规在刻蚀回合结束后更换全部的混酸而需要重新进行激活混酸的方式，本申请的换酸方式可以维持混酸激活状态，不需要在每个刻蚀回合结束后重新激活混酸，且不会出现混酸中各个酸的浓度突高和突低的情况，可以降低过刻或者蚀刻不足等异常的发生。异常的发生。异常的发生。

【技术实现步骤摘要】
混酸激活状态的控制方法、装置、计算机设备及存储介质


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种混酸激活状态的控制方法、装置、计算机设备及存储介质。

技术介绍

[0002]随着半导体工艺技术的发展，半导体器件的尺寸越来越小，因此需要从各方面实现尺寸的减缩，对于晶圆则需要进行减薄，在晶圆减薄过程中涉及到刻蚀工艺，其中，采用刻蚀工艺中的湿法腐蚀工艺减薄晶圆时，需要使混酸等刻蚀液处于激活状态，因此湿法腐蚀工艺中用到的混酸等刻蚀液的激活状态的稳定性在减薄晶圆的过程中格外重要。
[0003]常规晶圆减薄的湿法腐蚀过程是在每个刻蚀回合结束后，通过人工设置更换全部的混酸，在下一回合刻蚀开始时，需要使用控片重新激活混酸，以使混酸达到激活状态才能进行晶圆减薄，成本高且占用较多工艺时间。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述问题提供一种混酸激活状态的控制方法、装置、计算机设备及存储介质。
[0005]为了实现上述目的，一方面，本申请提供了一种混酸激活状态的控制方法，所述混酸包括氢氟酸、硝酸和醋酸，所述方法包括：获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时所述混酸中氢氟酸的浓度；其中，所述刻蚀状态包括所述混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；在所述浓度低于预设阈值时，控制所述混酸桶排出预设体积的所述混酸，并向所述混酸桶中注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。
[0006]在其中一个实施例中，所述获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时所述混酸中氢氟酸的浓度，包括：获取处于刻蚀状态时所述混酸的特征参数，所述特征参数用于表征所述混酸中氢氟酸的浓度；其中，所述特征参数包括颜色特征、电导率特征和离子浓度特征中的至少一种。
[0007]在其中一个实施例中，所述向所述混酸桶中注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内，包括：向所述混酸桶中注入所述预设体积的新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内；其中，所述预设范围为所述新混酸中氢氟酸的浓度的82%~95%。
[0008]在其中一个实施例中，所述预设阈值为4.5%~5.5%。
[0009]在其中一个实施例中，所述新混酸中氢氟酸的浓度为7.5%~8.5%。
[0010]在其中一个实施例中，所述预设体积为初始体积的3/5~7/10。
[0011]第二方面，本申请还提供一种混酸激活状态的控制装置，包括：刻蚀机，所述刻蚀机内设置有机械臂，所述机械臂用于取放待刻蚀器件；
混酸桶，位于所述刻蚀机内，用于容置混酸，所述混酸包括氢氟酸、硝酸和醋酸；采集装置，与所述混酸桶连接，用于采集所述混酸桶中混酸处于刻蚀状态时所述混酸中氢氟酸的浓度；其中，所述刻蚀状态包括所述混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；主控装置，与所述混酸桶及所述采集装置连接，用于获取所述混酸中氢氟酸的浓度，并在所述浓度低于预设阈值时，控制所述混酸桶排出预设体积的所述混酸，并向所述混酸桶中注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。
[0012]上述混酸激活状态的控制装置，采用采集装置在混酸处于刻蚀状态时采集混酸中氢氟酸的浓度，并通过主控装置在浓度低于预设阈值时控制混酸桶排出预设体积混酸，相较于常规的在刻蚀回合结束后更换全部的混酸而需要重新进行激活混酸的方式，本申请的换酸方式可以节省混酸成本，且在节省混酸成本的同时可以维持混酸激活状态，不需要在每个刻蚀回合结束后重新激活混酸；并且控制混酸桶排出预设体积的混酸和向混酸桶中注入新混酸，以使混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内，且使得混酸中硝酸和醋酸的浓度也可以一直维持在需要的浓度水平，不会出现混酸中各个酸的浓度出现突高和突低的情况，以降低过刻或者蚀刻不足等异常的发生，减少基于此刻蚀过程而制备的半导体器件出现性能异常的情况。
[0013]第三方面，本申请还提供一种混酸激活状态的控制装置，包括：获取模块，用于获取混酸处于刻蚀状态时混酸中氢氟酸的浓度；所述刻蚀状态包括所述混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；控制模块，与所述获取模块连接，用于在所述浓度低于预设阈值时，控制混酸桶排出预设体积的所述混酸，并向所述混酸桶注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。
[0014]第四方面，本申请还提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上所述的方法的步骤。
[0015]第五方面，本申请还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的方法的步骤。
[0016]上述混酸激活状态的控制方法、装置、计算机设备及可读存储介质，在混酸处于刻蚀状态时获取混酸中氢氟酸的浓度，并在浓度低于预设阈值时更换部分体积混酸，相较于常规的在刻蚀回合结束后更换全部的混酸而需要重新进行激活混酸的方式，本申请的换酸方式可以节省混酸成本，且在节省混酸成本的同时可以维持混酸激活状态，不需要在每个刻蚀回合结束后重新激活混酸；并且控制混酸桶排出预设体积的混酸，向混酸桶中注入新混酸，以使混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内，且使得混酸中硝酸和醋酸的浓度也可以一直维持在需要的浓度水平，不会出现混酸中各个酸的浓度出现突高和突低的情况，以降低过刻或者蚀刻不足等异常的发生，减少基于此刻蚀过程而制备的半导体器件出现性能异常的情况。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本
申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为一实施例中提供的混酸激活状态的控制方法的流程图；图2为一实施例中提供的维持混酸激活状态的过程示意图；图3为一实施例中提供的混酸激活状态的控制装置的结构示意图；图4为一实施例中提供的混酸激活状态的控制装置的结构框图；图5为一实施例中提供的计算机设备的内部结构图。
[0019]附图标记说明：1
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混酸桶；11
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进酸口；12
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出酸口；100
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刻蚀机；101
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机械臂；102
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待刻蚀器件；2
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混酸；20
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初始混酸；21
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旧混酸；22
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新混酸；23
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混合后的混酸；3
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采集装置；4
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主控装置；401
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获取模块；402
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控制模块。
具体实施方式
[0020]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种混酸激活状态的控制方法，所述混酸包括氢氟酸、硝酸和醋酸，其特征在于，所述方法包括：获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时所述混酸中氢氟酸的浓度；其中，所述刻蚀状态包括所述混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；在所述浓度低于预设阈值时，控制所述混酸桶排出预设体积的所述混酸，并向所述混酸桶中注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。2.根据权利要求1所述的混酸激活状态的控制方法，其特征在于，所述获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时所述混酸中氢氟酸的浓度，包括：获取处于刻蚀状态时所述混酸的特征参数，所述特征参数用于表征所述混酸中氢氟酸的浓度；其中，所述特征参数包括颜色特征、电导率特征和离子浓度特征中的至少一种。3.根据权利要求1所述的混酸激活状态的控制方法，其特征在于，所述向所述混酸桶中注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内，包括：向所述混酸桶中注入所述预设体积的新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内；其中，所述预设范围为所述新混酸中氢氟酸的浓度的82%~95%。4.根据权利要求1所述的混酸激活状态的控制方法，其特征在于，所述预设阈值为4.5%~5.5%。5.根据权利要求1所述的混酸激活状态的控制方法，其特征在于，所述新混酸中氢氟酸的浓度为7.5%~8.5%。6.根据权利要求1所述的混酸激活状态的控制方法，其特征在于，所述预设体积为初始体积的3/5~7...

【专利技术属性】
技术研发人员：程曲，汪松，谢冬，王逸群，
申请(专利权)人：湖北江城芯片中试服务有限公司，
类型：发明
国别省市：