晶圆的处理方法技术

本公开实施例提供一种晶圆的处理方法，所述方法包括：对第一晶圆的边缘进行第一修边处理，在所述第一晶圆的边缘的拐角处形成第一倾斜面；所述第一倾斜面为平面或凹面；键合所述第一晶圆和第二晶圆。本公开实施例可以在键合前或键合后对第一晶圆进行第一修边处理，使最终得到的结构具有第一倾斜面且第一倾斜面可以是凹面或者是平面。这样，若后续需要对第一晶圆与第二晶圆进行解键合，可通过预留的第一倾斜面方便的操作，这样不会对第一晶圆和/或第二晶圆的键合面产生破坏。第二晶圆的键合面产生破坏。第二晶圆的键合面产生破坏。

【技术实现步骤摘要】
晶圆的处理方法


[0001]本公开实施例涉及半导体
，涉及但不限于一种晶圆的处理方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，3D
‑
IC(三维集成电路)技术得到了广泛的应用，其是利用晶圆级封装技术将不同的晶圆堆叠键合在一起，该技术具有高性能、低成本且高集成度的优点。而一些晶圆在键合后还需要对其进行解键合，如何高质、高效地对晶圆进行键合与解键合成为了亟需解决的问题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开实施例提供一种晶圆的处理方法，所述方法包括：
[0004]对第一晶圆的边缘进行第一修边处理，在所述第一晶圆的边缘的拐角处形成第一倾斜面；所述第一倾斜面为平面或凹面；
[0005]键合所述第一晶圆和第二晶圆。
[0006]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0007]对所述第二晶圆进行第二修边处理。
[0008]在一些实施例中，所述对第二晶圆进行第二修边处理包括：
[0009]沿第一表面的边缘对所述第二晶圆进行直角修边处理，在所述边缘的拐角处形成台阶；所述直角修边的深度小于所述第二晶圆的厚度；
[0010]对所述第二晶圆的第二表面进行减薄处理得到减薄后的所述第二晶圆，所述减薄处理的深度大于或等于所述第二晶圆的厚度减去所述直角修边的深度。
[0011]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0012]对所述第二晶圆的边缘进行第三修边处理，在所述第二晶圆的边缘的拐角处形成第二倾斜面；其中，所述第二倾斜面为平面、凸面或凹面。
[0013]在一些实施例中，所述第一倾斜面与所述第二倾斜面之间的平面的宽度小于或等于第一预设值。
[0014]在一些实施例中，所述第二倾斜面的深度小于所述减薄后的所述第二晶圆的厚度。
[0015]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0016]对具有所述第一倾斜面的第一晶圆沉积抗刻蚀膜；所述抗刻蚀膜至少覆盖所述第一晶圆未被所述第二晶圆遮挡的表面区域。
[0017]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0018]对所述第一晶圆与所述第二晶圆进行解键合处理。
[0019]在一些实施例中，所述对所述第一晶圆与所述第二晶圆进行解键合处理，包括:
[0020]沿所述第一晶圆的第一倾斜面，向所述第一晶圆与所述第二晶圆的键合面之间插入刀片，使所述第一晶圆与所述第二晶圆至少部分分离；
[0021]从所述第二晶圆的表面向远离所述第一晶圆的方向施加拉力，使所述第一晶圆与所述第二晶圆分离。
[0022]本公开实施例通过在键合前对第一晶圆进行第一修边处理，使其具有第一倾斜面，且第一倾斜面是凹面或者是平面。这样，当第一晶圆与第二晶圆键合后，进行后续的光刻等操作时可以减少对第一晶圆的损伤以及减少台阶处的胶泡。并且，若后续需要对第一晶圆与第二晶圆进行解键合，可通过预留的第一倾斜面方便的操作，并且不会对第一晶圆和/或第二晶圆的键合面进行破坏。
附图说明
[0023]图1为一些实施例中提供的一种经过直角修边后键合的半导体结构示意图；
[0024]图2A至图2B为在一些实施例中的解键合装置及过程示意图；
[0025]图3为在一些实施例中在解键合工艺中承载晶圆与刀具引发干涉问题的示意图；
[0026]图4为本公开实施例提供一种晶圆的处理方法的流程图；
[0027]图5至图7为本公开实施例提供的对第一晶圆进行第一修边处理的过程示意图；
[0028]图8为本公开实施例提供另一种晶圆的处理方法的流程图；
[0029]图9为本公开实施例提供又一种晶圆的处理方法的流程图；
[0030]图10至12为本公开实施例提供的对第二晶圆进行键合以及第三修边处理的过程示意图；
[0031]图13为本公开实施例提供的一种晶圆键合、减薄后的半导体结构的示意图；
[0032]图14为本公开实施例提供的一种晶圆键合、减薄以及修边后的半导体结构的示意图；
[0033]图15为本公开实施例提供的一种具有抗刻蚀膜的晶圆键合后的半导体结构的示意图；
[0034]图16为本公开实施例提供的另一种具有抗刻蚀膜的晶圆键合后的半导体结构的示意图；
[0035]图17为本公开实施例提供的一种具有键合胶层与抗刻蚀膜的晶圆键合后的半导体结构的示意图；
[0036]图18为本公开实施例提供另一种晶圆的处理方法的流程图；
[0037]图19A至图19B为本公开实施例提供的两种待解键合的晶圆的示意图；
[0038]图20A至图20B为本公开实施例对两种待解键合的晶圆解键合的过程示意图。
具体实施方式
[0039]为了便于理解本公开，下面将参照相关附图更详细地描述本公开公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0040]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本公开更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本公开可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在一些实施例中，为了避免与本公开发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进
行描述；即，这里可以不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。
[0041]一般地，术语可以至少部分地从上下文中的使用来理解。例如，至少部分地取决于上下文，如本文中所用的术语“一个或多个”可以用于以单数意义描述任何特征、结构或特性，或者可以用于以复数意义描述特征、结构或特性的组合。类似地，诸如“一”或“所述”的术语同样可以被理解为传达单数用法或传达复数用法，这至少部分地取决于上下文。另外，属于“基于”可以被理解为不一定旨在传达排他的一组因素，并且可以替代地允许存在不一定明确地描述的附加因素，这同样至少部分地取决于上下文。
[0042]除非另有定义，本文所使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本公开的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0043]为了彻底理解本公开，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本公开的技术方案。本公开的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本公开还可以具有其他实施方式。
[0044]本公开实施例所述的沉积工艺包括但不限于：化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)、物理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的处理方法，其特征在于，所述方法包括：对第一晶圆的边缘进行第一修边处理，在所述第一晶圆的边缘的拐角处形成第一倾斜面；所述第一倾斜面为平面或凹面；键合所述第一晶圆和第二晶圆。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：对所述第二晶圆进行第二修边处理。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对第二晶圆进行第二修边处理包括：沿第一表面的边缘对所述第二晶圆进行直角修边处理，在所述边缘的拐角处形成台阶；所述直角修边的深度小于所述第二晶圆的厚度；对所述第二晶圆的第二表面进行减薄处理得到减薄后的所述第二晶圆，所述减薄处理的深度大于或等于所述第二晶圆的厚度减去所述直角修边的深度。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：对所述第二晶圆的边缘进行第三修边处理，在所述第二晶圆的边缘的拐角处形成第二倾斜面；其中，所述第二倾斜面为平面、凸面或凹面。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李琳瑜，胡杏，田应超，曹瑞霞，
申请(专利权)人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：