放置机构以及晶片表面粗糙度测量装置制造方法及图纸

提供一种放置机构以及晶片表面粗糙度测量装置。放置机构包括第一平台、第二平台、滑轨及驱动器；第一平台包括支撑水平面、第一竖直止挡面和第二竖直止挡面，第一竖直止挡面垂直于支撑水平面且相对前后方向和左右方向倾斜并设定为与晶片的基准面平行，第一竖直止挡面用于与晶片的基准面贴合，第二竖直止挡面垂直于支撑水平面且与前后方向垂直，第二竖直止挡面用于与晶片的沿前后方向穿过圆心的直径与晶片的圆周的交点处的母线之一贴合，第一竖直止挡面和第二竖直止挡面配合定位晶片；第二平台位于第一平台下方；滑轨固定在第二平台上，滑轨与第一平台滑动配合；驱动器用于驱动第一平台。由此能提高晶片放置的精度、降低晶片表面粗糙度的测量误差。面粗糙度的测量误差。面粗糙度的测量误差。

【技术实现步骤摘要】
放置机构以及晶片表面粗糙度测量装置


[0001]本公开涉及晶片领域，更具体地涉及一种放置机构以及晶片表面粗糙度测量装置。

技术介绍

[0002]对于检测砷化镓晶片切片后表面粗糙度的WCM(Waviness Curve Measured)数值(即滤波波纹度曲线测量值(Filtering Waviness Curve Measured Valves))，便于前序工序出货至后续工序的标准，通常需要表面粗糙度测量仪进行滤波膨胀测量晶片WCM值(标准为≤30μm)；滤波类型为高斯滤波就是对整幅图像进行加权平均的过程，每一个像素点的值，都由其本身和邻域内的其他像素值经过加权平均后得到。
[0003]目前申请人主要以晶片OF(Orientation Flat，简写OF)边作为参考边(也称为基准面)，用于放置晶片测量角度为标准进行测量。测量方式为将晶片放置在表面粗糙度测量仪的测量平台上，测量方向与切割方式一致，相当于垂直于切割线。金刚石线锯切割晶片表面有切割纹路，放置时也可与OF边同时作为参考基准面，但存在视觉误差，导致测量方向并未与切割方向一致或并未垂直于切割线；而砂浆线切割晶片表面无纹路，只能依靠OF边作为参考，由此可能会带来较大测量误差，导致后续工序加工异常等情况。测量平台由移动探针和水平放置台组成，导致测量晶片未有一个实质性放置标准，依靠人工确认放置标准，由此带来很大测量误差。

技术实现思路

[0004]鉴于
技术介绍
中存在的问题，本公开的目的在于提供一种放置机构以及晶片表面粗糙度测量装置，其能提高晶片放置的精度、降低晶片表面粗糙度的测量误差。
[0005]由此，在一些实施例中，一种放置机构用于晶片表面粗糙度测量，放置机构包括第一平台、第二平台、滑轨以及驱动器；第一平台包括支撑水平面、第一竖直止挡面和第二竖直止挡面，支撑水平面、第一竖直止挡面和第二竖直止挡面围成收容晶片的空间，支撑水平面沿前后方向和左右方向延伸，第一竖直止挡面垂直于支撑水平面且相对前后方向和左右方向倾斜并设定为与晶片的基准面平行，第一竖直止挡面用于与晶片的基准面贴合，第二竖直止挡面垂直于支撑水平面且与前后方向垂直，第二竖直止挡面与第一竖直止挡面的一端连接，第二竖直止挡面用于与晶片的沿前后方向穿过圆心的直径与晶片的圆周的交点处的母线之一贴合，第一竖直止挡面和第二竖直止挡面配合定位晶片；第二平台位于第一平台的下方，第二平台在上下方向上与第一平台间隔开；滑轨固定在第二平台上，滑轨沿左右方向延伸，滑轨与第一平台滑动配合以形成左右方向移动的滑动副；驱动器用于驱动第一平台，以使第一平台沿滑轨在左右方向上移动、进而使第一平台承载并定位的晶片沿左右方向移动到测量机构的测量起点位置。
[0006]在一些实施例中，第一竖直止挡面和第二竖直止挡面的在上下方向的高度设定为不小于晶片的厚度。
[0007]在一些实施例中，第一竖直止挡面的长度设定为不小于晶片的基准面的长度；第二竖直止挡面的长度设定为不小于晶片的直径。
[0008]在一些实施例中，第一平台还包括第三竖直面，第三竖直面垂直于支撑水平面且与左右方向垂直；第三竖直面连接于第一竖直止挡面的另一端。
[0009]在一些实施例中，第一竖直止挡面、第二竖直止挡面和第三竖直面的顶缘共面。
[0010]在一些实施例中，晶片的基准面与第二竖直止挡面的夹角为135
°
；第一竖直止挡面与第二竖直止挡面的夹角为135
°
。
[0011]在一些实施例中，第一平台设有沿左右方向延伸的内螺纹；驱动器包括支撑座、螺杆以及帽部；支撑座固定在第二平台上，支撑座设有螺纹孔；螺杆用于拧入支撑座的螺纹孔并与第一平台的内螺纹螺接，螺杆的长度大于第一平台的内螺纹的沿左右方向的长度且螺杆的长度设定为满足第一平台沿滑轨在左右方向上移动以使承载的晶片沿左右方向移动到测量机构的测量起点位置；帽部位于螺杆的外端并位于支撑座的左右方向的外侧，帽部供操作人员抓握来施加扭力，以使螺杆通过与支撑座的螺纹孔配合行进且螺杆进入到第一平台的内螺纹的左右方向的最内侧，进而使得第一平台沿滑轨滑动到测量机构的测量起点位置。
[0012]在一些实施例中，放置机构包括定位块，定位块设置在第二平台上且位于第一平台的与驱动器相反的一侧，定位块用于止挡使沿滑轨滑动的第一平台并沿滑轨滑动的第一平台被定位块止挡的位置为测量机构的测量起点位置；放置机构还包括标志件，标志件设置在第二平台上且沿前后方向位于第一平台的与第二竖直止挡面相对的一侧，标志件用于在随第一平台运动的晶片的圆周的交点与标志件处于沿前后方向的直径上时使得驱动器停止驱动。
[0013]在一些实施例中，放置机构还包括磁铁，磁铁沿上下方向位于测量机构和第二平台之间，以将第二平台吸附在测量机构上。
[0014]在一些实施例中，一种晶片表面粗糙度测量装置包括：前述的放置机构；以及测量机构，用于测量晶片的表面粗糙度。
[0015]本公开的有益效果如下：第一竖直止挡面和第二竖直止挡面配合实现了晶片在两侧的定位，起到了晶片放置标准的作用，交点在第一平台上的位置被固定，与人为放置晶片或仅用基准面放置晶片相比，提高了晶片的放置位置的精度、放置效率，进而确保后续的晶片表面粗糙度测量的精度(即减小测量误差)。
附图说明
[0016]图1是根据本公开的晶片表面粗糙度测量装置的示意图。
[0017]图2是根据本公开的晶片表面粗糙度测量装置的放置机构的示意图，其中，晶片并未放置在其上。
[0018]其中，附图标记说明如下：
[0019]100晶片表面粗糙度测量装置
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141a螺纹孔
[0020]D1前后方向
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142螺杆
[0021]D2左右方向
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143帽部
[0022]D3上下方向
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15定位块
[0023]1放置机构
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16标志件
[0024]11第一平台
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17磁铁
[0025]111支撑水平面
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2测量机构
[0026]112第一竖直止挡面
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21支撑台
[0027]113第二竖直止挡面
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22探针
[0028]114第三竖直面
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23第一移动器
[0029]115内螺纹
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24第二移动器
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种放置机构(1)，用于晶片表面粗糙度测量，其特征在于，放置机构(1)包括第一平台(11)、第二平台(12)、滑轨(13)以及驱动器(14)；第一平台(11)包括支撑水平面(111)、第一竖直止挡面(112)和第二竖直止挡面(113)，支撑水平面(111)、第一竖直止挡面(112)和第二竖直止挡面(113)围成收容晶片(200)的空间(S)，支撑水平面(111)沿前后方向(D1)和左右方向(D2)延伸，第一竖直止挡面(112)垂直于支撑水平面(111)且相对前后方向(D1)和左右方向(D2)倾斜并设定为与晶片(200)的基准面(200a)平行，第一竖直止挡面(112)用于与晶片(200)的基准面(200a)贴合，第二竖直止挡面(113)垂直于支撑水平面(111)且与前后方向(D1)垂直，第二竖直止挡面(113)与第一竖直止挡面(112)的一端连接，第二竖直止挡面(113)用于与晶片(200)的沿前后方向(D1)穿过圆心(O)的直径与晶片(200)的圆周的交点(P)处的母线之一贴合，第一竖直止挡面(112)和第二竖直止挡面(113)配合定位晶片(200)；第二平台(12)位于第一平台(11)的下方，第二平台(12)在上下方向(D3)上与第一平台(11)间隔开；滑轨(13)固定在第二平台(12)上，滑轨(13)沿左右方向(D2)延伸，滑轨(13)与第一平台(11)滑动配合以形成左右方向(D2)移动的滑动副；驱动器(14)用于驱动第一平台(11)，以使第一平台(11)沿滑轨(13)在左右方向(D2)上移动、进而使第一平台(11)承载并定位的晶片(200)沿左右方向(D2)移动到测量机构(2)的测量起点位置。2.根据权利要求1所述的放置机构(1)，其特征在于，第一竖直止挡面(112)和第二竖直止挡面(113)的在上下方向(D3)的高度设定为不小于晶片(200)的厚度。3.根据权利要求1所述的放置机构(1)，其特征在于，第一竖直止挡面(112)的长度设定为不小于晶片(200)的基准面(200a)的长度；第二竖直止挡面(113)的长度设定为不小于晶片(200)的直径。4.根据权利要求1所述的放置机构(1)，其特征在于，第一平台(11)还包括第三竖直面(114)，第三竖直面(114)垂直于支撑水平面(111)且与左右方向(D2)垂直；第三竖直面(114)连接于第一竖直止挡面(112)的另一端。5.根据权利要求4所述的放置机构(1)，其特征在于，第一竖直止挡面(112)、第二竖直止挡面(113)和第三竖直面(114)的顶缘共面。6.根据权利要求1所述的放置机构(1)，其特征在于，晶片(200...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴瑶，周铁军，王金灵，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：