基于压电材料的声表面滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于压电材料的声表面滤波器，包括：设于主基板和盖板键合连接形成的封装结构内的子基板、输入输出端口、金属层、IDT功能区域和复合压电层；其中，所述复合压电层包括至少三个子压电层，所述子压电层采用的靶材为掺杂元素和基础元素形成的拼接靶材，且每个子压电层中的掺杂元素含量不同。本发明专利技术中每个子压电层中的掺杂元素含量均不相同，降低滤波器的损耗；复合压电层中不同掺杂元素含量的子压电层的制作，仅按照需求选择一定数量掺杂元素和基础元素形成的单元块进行拼接即可，提升了不同掺杂元素含量的子压电层的制作效率，降低制作难度。降低制作难度。降低制作难度。

【技术实现步骤摘要】
基于压电材料的声表面滤波器


[0001]本专利技术涉及薄膜滤波器
，更具体地说，本专利技术涉及一种基于压电材料的声表面滤波器。

技术介绍

[0002]声表面滤波器是在一块具有压电效应的材料基片上蒸发一层金属膜，然后经光刻，在两端各形成一对叉指形电极组成。当在发射换能器上加上信号电压后，就在输入叉指电极间形成一个电场使压电材料发生机械振动（即超声波）以超声波的形式向左右两边传播，向边缘一侧的能量由吸声材料所吸收。在接收端，由接收换能器将机械振动再转化为电信号，并由叉指形电极输出。
[0003]声表面波滤波器具有工作频率高、通频带宽、选频特性好、体积小和重量轻等特点，并且可采用与集成电路相同的生产工艺，制造简单，成本低，频率特性的一致性好，因此广泛应用于各种电子设备中。
[0004]近年来，随着电子技术的不断发展，当前薄膜滤波器的应用的过程中往往要求其尺寸做到足够小，才能够应用于许多精密的无线通信终端中。当前，常采用在压电材料中掺杂稀土元素的方式解决滤波器尺寸缩小的问题，但是，由于随着对于压电层的稀土元素的掺杂浓度提高，滤波器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于压电材料的声表面滤波器，其特征在于，包括：设于主基板（1）和盖板（10）键合连接形成的封装结构内的子基板（2）、输入输出端口（3）、金属层（4）、IDT功能区域（5）和复合压电层（6）；其中，所述复合压电层（6）包括至少三个子压电层，所述子压电层采用的靶材为掺杂元素和基础元素形成的拼接靶材，且每个子压电层中的掺杂元素含量不同。2.根据权利要求1所述的基于压电材料的声表面滤波器，其特征在于，所述拼接靶材中的掺杂元素为钪元素，基础元素为铝元素。3.根据权利要求2所述的基于压电材料的声表面滤波器，其特征在于，所述拼接靶材为圆形或环形，由多个扇形的单元块拼接而成。4.根据权利要求3所述的基于压电材料的声表面滤波器，其特征在于，多个单元块包括：钪元素形成的掺杂单元块（7），以及铝元素形成的基础单元块（8），所述掺杂单元块（7）和基础单元块（8）均匀分布。5.根据权利要求4所述的基于压电材料的声表面滤波器，其特征在于，所述复合压电层（6）包括：由下向上依次设置的第一子压电层（61）、第二子压电层（62）以及第三子压电层（63）；每个子压电层中的钪元素含量不同。6.根据权利要求5所述的基于压电材料的声表面滤波器，其特征在于，依据钪元素含量的不同，分别初步确定每个子压电层中的多个单元块的数量、以及掺杂单元块（7）与基础单元块（8）的比例；通过检测每个子压电层中钪元素含量的均匀度，对单元块的数量、以及掺杂单元块（7）与基础单元块（8）的分布进行优化。7.根据权利要求6所述的基于压电材料的声表面滤波器，其特征在于，对单元块的数量、以及掺杂单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ五一IntClH零三H九零二，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：