【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器及其制作方法、滤波器及电子设备
[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种体声波谐振器及其制作方法、滤波器及电子设备。
技术介绍
[0002]随着电磁频谱的日益拥挤、无线通讯设备频段与功能的不断增加、以及无线通讯电磁频谱从500MHz到5GHz以上的高速增长，人们对性能高、成本低、功耗低、体积小的射频前端模块的需求与日俱增。滤波器作为射频前端模块之一，具有改善发射和接收信号的功能，在射频前端模块中发挥着举足轻重的作用。由多个体声波谐振器(Thin film bulk acoustic resonator，Fbar)以拓扑网络结构连接组成的滤波器，因具有体积小、集成能力强、高频下仍具有高品质因子和强功率承受能力等特点而满足了射频前端模块的高标准要求。因而，高性能体声波谐振器的制备成为如今的研究热门之一。
[0003]体声波谐振器通常由上下电极和夹在上下电极之间的压电层组成，即“三明治”结构，当上下电极施加电场时，压电层将电能转换为机械能，机械能以声波的形式存在，且上电极的上表面与空气接触，使得声波在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上或嵌入所述基底内的声反射结构；位于所述声反射结构和所述基底一侧依次排布的底电极、压电层和顶电极，其中，所述底电极背离所述基底的表面设置有第一凹陷，所述压电层填充所述第一凹陷，所述压电层背离所述基底的表面设置有第二凹陷，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述压电层各处厚度相等，所述第一凹陷在所述基底所在平面的正投影覆盖所述第二凹陷在所述基底所在平面的正投影。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述声反射结构和所述基底组成的整体朝向所述底电极的表面设置有第三凹陷，所述底电极填充所述第三凹陷，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述底电极各处厚度相等，所述第三凹陷在所述基底所在平面的正投影覆盖所述第一凹陷在所述基底所在平面的正投影。3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述声反射结构的边缘位于所述顶电极的边缘外侧，或与所述顶电极的边缘重合；所述第二凹陷具有相对的第一侧边和第二侧边，所述第二侧边位于所述第一侧边的外侧；在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述第二凹陷的第一侧边位于所述顶电极的边缘外侧，或与所述顶电极的边缘重合。4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述声反射结构的边缘位于所述顶电极的边缘外侧，或与所述顶电极的边缘重合；所述第二凹陷具有相对的第一侧边和第二侧边，所述第二侧边位于所述第一侧边的外侧；在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述第二凹陷的第二侧边位于所述顶电极的边缘内侧，或与所述顶电极的边缘重合。5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述顶电极对应所述第二凹陷的部分的延伸方向与所述基底所在平面平行；或，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述顶电极对应所述第二凹陷的部分向背离所述基底的一侧凸起。6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述声反射结构的边缘位于所述顶电极的边缘外侧，或与所述顶电极的边缘重合；所述第二凹陷具有相对的第一侧边和第二侧边，所述第二侧边位于所述第一侧边的外侧；在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述第二凹陷的第一侧边位于所述顶电极的边缘内侧，所述第二凹陷的第二侧边位于所述顶电极的边缘外侧。7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述顶电极的边缘位于所述声反射结构的边缘外侧；所述第二凹陷具有相对的第一侧边和第二侧边，所述第二侧边位于所述第一侧边的外侧；在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述第二凹陷的第一侧边位于所述声反射结构
的边缘内侧，或与所述声反射结构的边缘重合，所述第二凹陷的第二侧边位于所述顶电极的边缘外侧，或与所述顶电极的边缘重合。8.根据权利要求6或7所述的体声波谐振器，其特征在于，所述顶电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分的延伸方向平行于所述基底所在平面，且所述第一部分与所述压电层背离所述基底的表面接触，所述第二部分悬空于所述第二凹陷上方；所述第二部分的延伸方向平行于所述基底所在平面；或，所述第二部分的延伸方向与所述第一部分的延伸方向之...
【专利技术属性】
技术研发人员：李林萍，崔美慧，
申请(专利权)人：见闻录浙江半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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