一种体声波谐振器及制作方法、滤波器技术

本发明专利技术提供了一种体声波谐振器及制作方法、滤波器，该体声波谐振器中，在叠置的第一谐振功能区和第二谐振功能区之间设置有布拉格反射层，在体声波谐振器的纵截面上，该布拉格反射层中第三反射层的最大截面宽度大于第一反射层与第二反射层的最大截面宽度，第一谐振功能区和第二谐振功能区中产生的声波分别在第三反射层形成有效的反射，第三反射层的最大截面宽度相比第一反射层与第二反射层更大，减小了第一谐振功能区和第二谐振功能区之间的声学耦合，使得该体声波谐振器具有更好的声学隔离效果，从而保证了体声波谐振器的性能不受影响。影响。影响。

【技术实现步骤摘要】
一种体声波谐振器及制作方法、滤波器


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地说，涉及一种体声波谐振器及制作方法、滤波器。

技术介绍

[0002]体声波谐振器具有高工作频率、高品质因数、小体积、低成本的优点，相应的体声波滤波器具有低插入损耗、高矩形系数、高功率容量等优点，被广泛应用于电子器件的制造中。
[0003]在体声波滤波器中，一般具有两个或两个以上谐振器之间相连接的情况，包括将多个谐振器平铺连接设置或将多个谐振器重叠连接设置，平铺连接设置多个谐振器势必会使最终器件的体积增大，重叠设置多个谐振器虽然横向上的体积有所减小，但声学隔离效果也较差，极易引起谐振器之间的耦合，从而影响最终器件性能。
[0004]因此，在保证器件的体积较小的前提下，如何提高声学隔离效果成为了亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种体声波谐振器及制作方法、滤波器，技术方案如下：
[0006]一种体声波谐振器，所述体声波谐振器至少包括：
[0007]叠置的第一谐振功能区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器至少包括：叠置的第一谐振功能区和第二谐振功能区；位于所述第一谐振功能区和所述第二谐振器功能区之间的布拉格反射层；所述布拉格反射层包括靠近所述第一谐振功能区的第一反射层，靠近所述第二谐振功能区的第二反射层，以及位于所述第一反射层和所述第二反射层之间的第三反射层；其中，在所述体声波谐振器的纵截面上，所述第三反射层的最大截面宽度大于所述第一反射层的最大截面宽度与所述第二反射层的最大截面宽度。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一反射层以及所述第二反射层包括多层声阻抗层；所述第三反射层包括单层所述声阻抗层；所述声阻抗层为低声阻抗层或高声阻抗层；所述第一反射层为声阻抗不同的所述低声阻抗层和所述高声阻抗层交替层叠而成；所述第二反射层为声阻抗不同的所述低声阻抗层和所述高声阻抗层交替层叠而成。3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第三反射层为高声阻抗层。4.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第三反射层中的所述声阻抗层的声阻抗大于所述第一反射层与所述第二反射层中的所述声阻抗层的声阻抗。5.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一反射层中的所述声阻抗层的层数为奇数；所述第二反射层中的所述声阻抗层的层数为奇数。6.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一反射层和所述第二反射层中的所述声阻抗层的层数相同；且所述第一反射层和所述第二反射层以所述第三反射层为对称轴对称设置。7.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其特征在于，在所述第一谐振功能区指向所述第二谐振功能区的方向上，所述第一反射层中每层所述声阻抗层的截面宽度逐渐增大，所述第二反射层中每层所述声阻抗层的截面宽度逐渐减小。8.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一反射层中紧邻所述第一谐振功能区的所述声阻抗层的厚度与所述第一反射层内其他所述声阻抗层的厚度不同；所述第二反射层中紧邻所述第二谐振功能区的所述声阻抗层的厚度与所述第二反射层内其他所述声阻抗层的厚度不同；其中，所述第一反射层中紧邻所述第一谐振功能区的所述声阻抗层的厚度与所述第二反射层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李林萍，
申请(专利权)人：见闻录浙江半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：