一种体声波谐振器及制作方法、滤波器技术

本发明专利技术提供了一种体声波谐振器及制作方法、滤波器，该体声波谐振器中，在叠置的第一谐振功能区和第二谐振功能区之间设置有布拉格反射层，在体声波谐振器的纵截面上，该布拉格反射层中第三反射层的最大截面宽度大于第一反射层与第二反射层的最大截面宽度，第一谐振功能区和第二谐振功能区中产生的声波分别在第三反射层形成有效的反射，第三反射层的最大截面宽度相比第一反射层与第二反射层更大，减小了第一谐振功能区和第二谐振功能区之间的声学耦合，使得该体声波谐振器具有更好的声学隔离效果，从而保证了体声波谐振器的性能不受影响。影响。影响。

【技术实现步骤摘要】
一种体声波谐振器及制作方法、滤波器


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地说，涉及一种体声波谐振器及制作方法、滤波器。

技术介绍

[0002]体声波谐振器具有高工作频率、高品质因数、小体积、低成本的优点，相应的体声波滤波器具有低插入损耗、高矩形系数、高功率容量等优点，被广泛应用于电子器件的制造中。
[0003]在体声波滤波器中，一般具有两个或两个以上谐振器之间相连接的情况，包括将多个谐振器平铺连接设置或将多个谐振器重叠连接设置，平铺连接设置多个谐振器势必会使最终器件的体积增大，重叠设置多个谐振器虽然横向上的体积有所减小，但声学隔离效果也较差，极易引起谐振器之间的耦合，从而影响最终器件性能。
[0004]因此，在保证器件的体积较小的前提下，如何提高声学隔离效果成为了亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种体声波谐振器及制作方法、滤波器，技术方案如下：
[0006]一种体声波谐振器，所述体声波谐振器至少包括：
[0007]叠置的第一谐振功能区和第二谐振功能区；
[0008]位于所述第一谐振功能区和所述第二谐振器功能区之间的布拉格反射层；
[0009]所述布拉格反射层包括靠近所述第一谐振功能区的第一反射层，靠近所述第二谐振功能区的第二反射层，以及位于所述第一反射层和所述第二反射层之间的第三反射层；
[0010]其中，在所述体声波谐振器的纵截面上，所述第三反射层的最大截面宽度大于所述第一反射层的最大截面宽度与所述第二反射层的最大截面宽度。
[0011]一种体声波谐振器的制作方法，所述制作方法包括：
[0012]形成第一谐振功能区和第二谐振功能区，所述第一谐振功能区和所述第二谐振功能区叠置设置；
[0013]在所述第一谐振功能区和所述第二谐振功能区之间形成布拉格反射层；所述布拉格反射层包括靠近所述第一谐振功能区的第一反射层，靠近所述第二谐振功能区的第二反射层，以及位于所述第一反射层和所述第二反射层之间的第三反射层；其中，在所述体声波谐振器的纵截面上，所述第三反射层的最大截面宽度大于所述第一反射层的最大截面宽度与所述第二反射层的最大截面宽度。
[0014]一种滤波器，所述滤波器包括上述任一所述的体声波谐振器。
[0015]相较于现有技术，本专利技术实现的有益效果为：
[0016]该体声波谐振器中，在叠置的第一谐振功能区和第二谐振功能区之间设置有布拉
格反射层，在体声波谐振器的纵截面上，该布拉格反射层中第三反射层的最大截面宽度大于第一反射层与第二反射层的最大截面宽度，第一谐振功能区和第二谐振功能区中产生的声波分别在第三反射层形成有效的反射，第三反射层的最大截面宽度相比第一反射层与第二反射层更大，减小了第一谐振功能区和第二谐振功能区之间的声学耦合，使得该体声波谐振器具有更好的声学隔离效果，从而保证了体声波谐振器的性能不受影响。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0018]图1为现有的体声波谐振器的结构示意图；
[0019]图2为本专利技术实施例提供的一种体声波谐振器的截面结构示意图；
[0020]图3为本专利技术实施例提供的一种布拉格反射层的截面结构示意图；
[0021]图4为本专利技术实施例提供的一种体声谐振器的另一种截面结构示意图；
[0022]图5为本专利技术实施例提供的一种体声谐振器的又一种截面结构示意图；
[0023]图6为本专利技术实施例提供的一种体声谐振器的又一种截面结构示意图；
[0024]图7为本专利技术实施例提供的一种体声谐振器的又一种截面结构示意图；
[0025]图8为本专利技术实施例提供的一种体声谐振器的又一种截面结构示意图；
[0026]图9为本专利技术实施例提供的一种体声波谐振器的俯视结构示意图；
[0027]图10为图9中以BB
’
为纵截方向的截面结构示意图；
[0028]图11为本专利技术实施例提供的一种体声谐振器的又一种截面结构示意图；
[0029]图12为本专利技术实施例提供的一种体声谐振器的又一种截面结构示意图；
[0030]图13为本专利技术实施例提供一种体声波谐振器的一部分截面结构示意图；
[0031]图14为本专利技术实施例提供一种体声波谐振器的另一部分截面结构示意图；
[0032]图15为本专利技术实施例提供一种体声波谐振器的又一部分截面结构示意图；
[0033]图16为本专利技术实施例提供一种体声波谐振器的又一部分截面结构示意图。
具体实施方式
[0034]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0035]基于上述
技术介绍
中记载的内容而言，参考图1，图1为现有的体声波谐振器的结构示意图，图1的体声波谐振器中，包括虚线框中的谐振器S1与虚线框中的谐振器S2，虚线框仅为了更好的说明该体声波谐振器，谐振器S1与谐振器S2的功能区是平铺连接设置在同一衬底01上的，谐振器S1的功能区包括谐振器S1的底电极02、谐振器S1的压电层03、谐振器S1的顶电极04，谐振器S2的谐振功能区包括谐振器S2的底电极06、谐振器S2的压电层08以及谐振器S2的顶电极07，谐振器S1的顶电极04通过金属连接部05与谐振器S2的底电极06连
接，且金属连接部05与谐振器S1的顶电极04是同时形成的。图1是以两个谐振功能区为例来对现有的体声波谐振器进行说明的，当然可以为多个谐振功能区进行平铺连接设置，由于多个谐振功能区是平铺在衬底01上的，势必会使最终器件的体积较大。假如直接将多个谐振功能区进行叠置设置，虽然横向上的体积有所减小，但极易引起谐振功能区之间的耦合，影响最终器件性能。需要说明的是，谐振功能区至少包括底电极、顶电极与压电层三层结构，还可以包括种子层、钝化层、温度补偿层等其他功能层。谐振器相比于谐振功能区增加了支撑结构与声波反射结构，如衬底与空腔，或衬底与布拉格反射层等，但无论是谐振功能区或是谐振器，都可以产生谐振，达到相同的作用。
[0036]为了减小在叠置设置的相邻谐振功能区之间的声学耦合，通常在相邻谐振功能区之间设置空腔或常规布拉格反射层用于声学隔离，常规的布拉格反射层为高低声阻抗层交替形成的，且声阻抗层设置为偶数个，通常为4层；将两个相邻的高低声阻抗层作为组合反射层，相邻两个谐振功能区的声波在到达两组组合反射层的交界处时还未形成完全反射，会在布拉格反射层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器至少包括：叠置的第一谐振功能区和第二谐振功能区；位于所述第一谐振功能区和所述第二谐振器功能区之间的布拉格反射层；所述布拉格反射层包括靠近所述第一谐振功能区的第一反射层，靠近所述第二谐振功能区的第二反射层，以及位于所述第一反射层和所述第二反射层之间的第三反射层；其中，在所述体声波谐振器的纵截面上，所述第三反射层的最大截面宽度大于所述第一反射层的最大截面宽度与所述第二反射层的最大截面宽度。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一反射层以及所述第二反射层包括多层声阻抗层；所述第三反射层包括单层所述声阻抗层；所述声阻抗层为低声阻抗层或高声阻抗层；所述第一反射层为声阻抗不同的所述低声阻抗层和所述高声阻抗层交替层叠而成；所述第二反射层为声阻抗不同的所述低声阻抗层和所述高声阻抗层交替层叠而成。3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第三反射层为高声阻抗层。4.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第三反射层中的所述声阻抗层的声阻抗大于所述第一反射层与所述第二反射层中的所述声阻抗层的声阻抗。5.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一反射层中的所述声阻抗层的层数为奇数；所述第二反射层中的所述声阻抗层的层数为奇数。6.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一反射层和所述第二反射层中的所述声阻抗层的层数相同；且所述第一反射层和所述第二反射层以所述第三反射层为对称轴对称设置。7.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其特征在于，在所述第一谐振功能区指向所述第二谐振功能区的方向上，所述第一反射层中每层所述声阻抗层的截面宽度逐渐增大，所述第二反射层中每层所述声阻抗层的截面宽度逐渐减小。8.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一反射层中紧邻所述第一谐振功能区的所述声阻抗层的厚度与所述第一反射层内其他所述声阻抗层的厚度不同；所述第二反射层中紧邻所述第二谐振功能区的所述声阻抗层的厚度与所述第二反射层内其他所述声阻抗层的厚度不同；其中，所述第一反射层中紧邻所述第一谐振功能区的所述声阻抗层的厚度与所述第二反射层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李林萍，
申请(专利权)人：见闻录浙江半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：