MOS管控制开关矩阵电路及通信协议切换电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOS管控制开关矩阵电路及通信协议切换电路，包括第一级控制电路和第二级驱动电路，该电路通过所述第一级控制电路分别设有多个，所述第一级控制电路用于将控制信号转换为相应的驱动信号；第二级驱动电路分别设有多个，每个所述第二级驱动电路与一个所述第一级控制电路连接，所述第二级驱动电路用于在所述驱动信号的控制下，对通道进行导通或截止控制，以对通道上的信号控制输出。这个，通过多个第一级控制电路和第二级驱动电路可构成控制开关矩阵电路。且第一级控制电路采用三极管实现，第二级驱动电路采用MOS管实现，使得整体电路体积小、信号波形不失真，且开关矩阵双向截止，不会出现信号无法正常关断的情况出现。况出现。况出现。

【技术实现步骤摘要】
MOS管控制开关矩阵电路及通信协议切换电路


[0001]本技术涉及汽车OBD接口通信
，尤其涉及一种MOS管控制开关矩阵电路及通信协议切换电路。

技术介绍

[0002]汽车故障诊断盒主要通过汽车的OBDII接口采集汽车的故障信息，并将汽车的故障信息发送至上位机，通过所述上位机对汽车采集的故障信息进行故障诊断。现有的汽车故障采集盒中，主要通过CAN总线与汽车的OBDII接口进行通信采集汽车故障数据，通信方式相对比较单一。使得现有的数据诊断盒不能较好地适应采用不同的通信总线汽车。若汽车采用的通信总线与汽车故障诊断盒的通信总线不同，所述汽车故障诊断盒则不能正常使用。
[0003]现有解决方法是通常采用继电器开关的方式来实现通信接口的切换，但是，通过继电器构成控制开关矩阵会导致整体电路体积庞大，且继电器属于机械开关，导致控制开关矩阵容易产生故障。也有采用模拟开关芯片来实现，模拟开关工作状态不稳定，或者采用现有的芯片开关切换。但是现有芯片成本较高。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种MOS管控制开关矩阵电路。
[0005]为实现上述目的，根据本技术实施例的MOS管控制开关矩阵电路，包括：
[0006]第一级控制电路，所述第一级控制电路分别设有多个，所述第一级控制电路用于将控制信号转换为相应的驱动信号；
[0007]第二级驱动电路，所述第二级驱动电路分别设有多个，每个所述第二级驱动电路与一个所述第一级控制电路连接，所述第二级驱动电路用于在所述驱动信号的控制下，对通道进行导通或截止控制，以对通道上的信号控制输出。
[0008]进一步地，根据本技术的一个实施例，所述MOS管控制开关矩阵电路还包括：
[0009]控制电源电路，所述控制电源电路与所述第一级控制电路连接，以为所述第一级控制电路提供驱动电源。
[0010]进一步地，根据本技术的一个实施例，所述第一级控制电路包括：
[0011]第一三极管Q1，所述第一三极管Q1的发射极与供电电源连接，所述第一三极管Q1的基极通过第一电阻R1与供电电源连接，所述第一三极管Q1的集电极与所述第二级驱动电路连接；
[0012]第二三极管Q2，所述第二三极管Q2的集电极与所述第一三极管Q1的基极连接，所述第二三极管Q2的发射极通过第二电阻R3与参考地连接，所述第二三极管Q2的基极与开关控制信号连接。
[0013]进一步地，根据本技术的一个实施例，所述第二级驱动电路包括：
[0014]第一MOS管Q3，所述第一三极管Q1的集电极通过第三电阻R2与所述第一MOS管Q3连接；其中，所述第三电阻R2的一端与所第一三极管Q1的集电极连接，所述第三电阻R2的另一端与所述第一MOS管Q3的栅极连接，所述第一MOS管Q3的源极还通过第四电阻R4与所述第三电阻R2的所述另一端连接，所述第一MOS管Q3的漏极与第一信号端连接；
[0015]第二MOS管Q4，所述第二MOS管Q4的栅极与所述第三电阻R2的所述另一端连接，所述第二MOS管Q4的源极与所述第一MOS管Q3的源极连接，所述第二MOS管Q4的漏极与第二信号端连接；
[0016]所述第一MOS管Q3、第二MOS管Q4用于在所述第一三极管Q1的控制下导通，将所述第一信号端和所述第二信号端之间导通。
[0017]进一步地，根据本技术的一个实施例，所述第二级驱动电路还包括：
[0018]第三MOS管Q5，所述第一三极管Q1的集电极通过第三电阻R2与所述第三MOS管Q5连接；其中，所述第三电阻R2的一端与所第一三极管Q1的集电极连接，所述第三电阻R2的另一端与所述第三MOS管Q5的栅极连接，所述第三MOS管Q5的源极还通过第五电阻R5与所述第三电阻R2的所述另一端连接，所述第三MOS管Q5的漏极与第三信号端连接；
[0019]第五MOS管Q6，所述第五MOS管Q6的栅极与所述第三电阻R2的所述另一端连接，所述第五MOS管Q6的源极与所述第三MOS管Q5的源极连接，所述第五MOS管Q6的漏极与第四信号端连接；
[0020]所述第三MOS管Q5、第五MOS管Q6用于在所述第一三极管Q1的控制下导通，将所述第三信号端和所述第四信号端之间导通；
[0021]所述第一信号端、第三信号端的信号分别为差分信号。
[0022]进一步地，根据本技术的一个实施例，所述控制电源电路包括：
[0023]升压电感L1，所述升压电感L1的一端供电电源的输入端连接；
[0024]第四MOS管Q8，所述第四MOS管Q8的漏极与所述升压电感L1的另一端连接，所述第四MOS管Q8的源极与参考地连接，所述第四MOS管Q8的栅极通过第六电阻R14与参考地连接，所述第四MOS管Q8的栅极还通过第七电阻R13与PWM控制信号输出端连接；
[0025]续流二极管D11，所述续流二极管D11的阳极与所述升压电感L1的所述另一端连接；
[0026]滤波电容C3，所述滤波电容C3的一端与所述续流二极管D11的另一端连接，所述滤波电容C3的另一端与参考地连接。
[0027]进一步地，根据本技术的一个实施例，所述控制电源电路还包括：
[0028]第八电阻R16，所述第八电阻R16的一端与所述滤波电容C3的所述一端连接；
[0029]第九电阻R17，所述第九电阻R17的一端与所述第八电阻R16的另一端连接，所述第九电阻R17的另一端与参考地连接，所述第九电阻R17的所述一端还与电压反馈信号端连接；所述反馈信号用于对所述PWM控制信号的脉宽宽度进行控制，从而将电源电压的升压至设定值。
[0030]进一步地，根据本技术的一个实施例，所述控制电源电路还包括：
[0031]第五MOS管Q6，所述升压电感L1通过所述第五MOS管Q6与供电电源的输入端连接；其中，所述第五MOS管Q6的源极与所述供电电源的输入端连接，所述第五MOS管Q6的漏极与所述升压电感L1的所述一端连接，所述第五MOS管Q6的栅极通过第十电阻R10与所述第五
MOS管Q6的源极连接；
[0032]第四三极管Q7，所述第四三极管Q7的集电极与所述第五MOS管Q6的栅极连接，所述第四三极管Q7的发射极与参考地连接，所述第四三极管Q7的发射极还通过第十一电阻R12与所述第四三极管Q7的基极连接，所述第四三极管Q7的基极还通过第十二电阻R11与供电控制信号端连接；所述供电控制信号端用于输出供电控制信号，通过第四三极管Q7驱动第五MOS管Q6导通或截止，将所述供电电源控制输出。
[0033]另一方面，本技术还提供一种通信协议切换电路，包括：
[0034]上述的MOS管控制开关矩阵电路，所述MOS管控制开关矩阵电路用于与汽车OBD接口连接，以对汽车OBD接口进行选择控制输出；
[0035]控制器，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS管控制开关矩阵电路，其特征在于，包括：第一级控制电路，所述第一级控制电路分别设有多个，所述第一级控制电路用于将控制信号转换为相应的驱动信号；第二级驱动电路，所述第二级驱动电路分别设有多个，每个所述第二级驱动电路与一个所述第一级控制电路连接，所述第二级驱动电路用于在所述驱动信号的控制下，对通道进行导通或截止控制，以对通道上的信号控制输出。2.根据权利要求1所述的MOS管控制开关矩阵电路，其特征在于，还包括：控制电源电路，所述控制电源电路与所述第一级控制电路连接，以为所述第一级控制电路提供驱动电源。3.根据权利要求1所述的MOS管控制开关矩阵电路，其特征在于，所述第一级控制电路包括：第一三极管(Q1)，所述第一三极管(Q1)的发射极与供电电源连接，所述第一三极管(Q1)的基极通过第一电阻(R1)与供电电源连接，所述第一三极管(Q1)的集电极与所述第二级驱动电路连接；第二三极管(Q2)，所述第二三极管(Q2)的集电极与所述第一三极管(Q1)的基极连接，所述第二三极管(Q2)的发射极通过第二电阻(R3)与参考地连接，所述第二三极管(Q2)的基极与开关控制信号连接。4.根据权利要求3所述的MOS管控制开关矩阵电路，其特征在于，所述第二级驱动电路包括：第一MOS管(Q3)，所述第一三极管(Q1)的集电极通过第三电阻(R2)与所述第一MOS管(Q3)连接；其中，所述第三电阻(R2)的一端与所第一三极管(Q1)的集电极连接，所述第三电阻(R2)的另一端与所述第一MOS管(Q3)的栅极连接，所述第一MOS管(Q3)的源极还通过第四电阻(R4)与所述第三电阻(R2)的所述另一端连接，所述第一MOS管(Q3)的漏极与第一信号端连接；第二MOS管(Q4)，所述第二MOS管(Q4)的栅极与所述第三电阻(R2)的所述另一端连接，所述第二MOS管(Q4)的源极与所述第一MOS管(Q3)的源极连接，所述第二MOS管(Q4)的漏极与第二信号端连接；所述第一MOS管(Q3)、第二MOS管(Q4)用于在所述第一三极管(Q1)的控制下导通，将所述第一信号端和所述第二信号端之间导通。5.根据权利要求4所述的MOS管控制开关矩阵电路，其特征在于，所述第二级驱动电路还包括：第三MOS管(Q5)，所述第一三极管(Q1)的集电极通过第三电阻(R2)与所述第三MOS管(Q5)连接；其中，所述第三电阻(R2)的一端与所第一三极管(Q1)的集电极连接，所述第三电阻(R2)的另一端与所述第三MOS管(Q5)的栅极连接，所述第三MOS管(Q5)的源极还通过第五电阻(R5)与所述第三电阻(R2)的所述另一端连接，所述第三MOS管(Q5)的漏极与第三信号端连接；第五MOS管(Q6)，所述第五MOS管(Q6)的栅极与所述第三电阻(R2)的所述另一端连接，所述第五MOS管(Q6)的源极与所述第三MOS管(Q5)的源极连接，所述第五MOS管(Q6)的漏极与第四信号端连接；
所述第三MOS管(Q5)、第五MOS管(Q6)用于在所述第一三极管(Q1)的控制下导通，将所述第三信号端和所述第四信号端之间导通；所述第一信号端、第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈华明，吴凯，
申请(专利权)人：深圳市云伽智能技术有限公司，
类型：新型
国别省市：