一种高边驱动电路制造技术

本发明专利技术提供一种高边驱动电路，应用于电力电子技术领域，该高边驱动电路包括电压转换电路、上拉电流电路和下拉电流电路，低边转高边电路的信号输入端作为高边驱动电路的输入端；低边转高边电路的信号输出端分别与上拉电流电路的控制端、下拉电流电路的控制端相连；上拉电流电路的输出端与下拉电流电路的输出端相连，连接点作为高边驱动电路的输出端。本发明专利技术提供一种高边驱动电路，可串联于供电电源与用电负载之间，能够实现用电负载的高边驱动，进而提高用电负载供电的安全性。进而提高用电负载供电的安全性。进而提高用电负载供电的安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种高边驱动电路


[0001]本专利技术属于电力电子
，尤其涉及一种高边驱动电路。

技术介绍

[0002]高边驱动是指通过直接在用电负载上游，通过控制电源线的导通状态来实现为用电负载供电或断电的控制方式。
[0003]高边驱动的控制方式在很多场景中都有应用需求，以汽车控制系统为例，由于现有汽车结构的原因，车身上接地的金属板无处不在，车辆的各种用电负载极容易发生接地故障，对这些用电负载采用高边驱动，由于是否供电的控制是在用电负载的上游控制的，即使用电负载发生接地故障，也不会直接导致用电负载与电源连通，因此，用电负载也不会直接上电运行，这在车辆的实际使用中是非常重要的，可以有效防止交通事故的发生。
[0004]鉴于以上高边驱动的重要作用，如何提供一种高边驱动电路，提高用电负载供电的安全性，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种高边驱动电路，提高用电负载供电的安全性，具体方案如下：
[0006]本申请一方面提供一种高边驱动电路，包括：低边转高边电路、上拉电流电路、下拉电流电路和自举电路；其中：
[0007]所述自举电路的输入端连接于所述高边驱动电路的对应支路的电源端；所述自举电路的输出端分别连接于所述上拉电流电路的第一电源端、所述下拉电流电路的第一电源端、所述低边转高边电路的电源端；
[0008]所述低边转高边电路的信号输入端作为所述高边驱动电路的输入端；
[0009]所述低边转高边电路的信号输出端分别与所述上拉电流电路的控制端、所述下拉电流电路的控制端相连；
[0010]所述上拉电流电路的输出端与所述下拉电流电路的输出端相连，连接点作为所述高边驱动电路的输出端。
[0011]可选的，还包括：电压生成电路；其中：
[0012]所述电压生成电路的基准端连接于所述上拉电流电路的第一电源端与所述下拉电流电路的第一电源端的连接点；
[0013]所述电压生成电路的输出端分别连接于所述上拉电流电路的第二电源端、所述下拉电流电路的第二电源端；
[0014]所述电压生成模块的输出电压等于所述电压生成模块的输入电压减去预设电压。
[0015]可选的，所述电压生成电路，包括：第一转换电路和第二转换电路；其中：
[0016]所述第一转换电路的输入端接收所述预设电压，所述第一转换电路的输出端与所述第二转换电路的输入端相连，所述第一转换电路用于将所述预设电压转换成预设电流；
[0017]所述第二转换电路的基准端作为所述电压生成电路的基准端，所述第二转换电路的输出端作为所述电压生成电路的输出端，所述第二转换电路用于将所述预设电流转换预设电压，并且所述第二转换电路的输出电压等于自身基准端的电位减去所述预设电压。
[0018]可选的，所述第一转换电路，包括：第一电阻和三个NMOS管；其中：
[0019]所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极的连接点，与所述第一NMOS管的漏极相连；
[0020]所述第一NMOS管的漏极与所述第一电阻的一端相连，所述第一电阻的另一端接收所述预设电压；
[0021]所述第二NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极相连，所述第三NMOS管的漏极作为所述电压电流转换电流的输出端，所述第三NMOS管的栅极接收使能信号；
[0022]所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均与低边地相连；
[0023]所述第一NMOS管与所述第二NMOS管相同。
[0024]可选的，所述第二转换电路，包括：两个电阻、两个电容、四个NMOS管和两个PMOS管；其中：
[0025]所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极的连接点，与所述第一PMOS管的漏极相连；
[0026]所述第一PMOS管的漏极作为所述第二转换电路的输入端，所述第一PMOS管的源极与所述第四NMOS管源极相连；
[0027]所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极的连接点，与所述第四NMOS管的漏极相连；
[0028]所述第四NMOS管的漏极通过第二电阻与所述第五NMOS管的漏极相连，连接点作为所述第二转换电路的基准端；
[0029]所述第二PMOS管的源极分别连接于所述第五NMOS管的源极、所述第七NMOS管的漏极，所述第二PMOS管的漏极与所述第六NMOS管的漏极相连；
[0030]所述第六NMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极的连接点，分别与所述第六NMOS管的漏极相连；
[0031]所述第六NMOS管的源极和所述第七NMOS管的源极的连接点，与高边地相连；
[0032]所述第一电容的一端连接于所述第四NMOS管的源极、另一端连接于所述第二转换电路的基准端；
[0033]所述第二电容的一端连接于所述第五NMOS管的源极、另一端连接于所述第二转换电路的基准端；
[0034]第三电阻的一端连接于所述第六NMOS管的栅极、另一端连接于所述第六NMOS管的源极；
[0035]所述第一电阻和所述第二电阻的阻值相同，所述第一NMOS管与所述第五NMOS管相同。
[0036]可选的，所述上拉电流电路，包括：第一稳流电路和上拉主电路；其中：
[0037]所述上拉主电路的输入端接收第一基准电流，所述上拉主电路的输出端作为所述上拉电流电路的输出端，所述上拉主电路的控制端作为所述上拉电流电路的控制端；
[0038]所述第一稳流电路的输入端与所述上拉主电路的第一电源端相连，所述第一稳流
电路的接地端与低边地相连，所述第一稳流电路的输出端与所述上拉主电路相连，所述第一稳流电路用于根据所述上拉主电路的第一电源端的电位变化，向所述上拉主电路输入补偿电流。
[0039]可选的，所述第一稳流电路，包括：第八NMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管；其中：
[0040]所述第八NMOS管的栅极和源极的连接点连接于低边地；
[0041]所述第八NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极相连；
[0042]所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极的连接点，与所述第三PMOS管的漏极相连；
[0043]所述第三PMOS管的源极和所述第四PMOS管的源极的连接点与所述上拉主电路的第一电源端相连；
[0044]所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极的连接点，与所述第三PMOS管的漏极相连；
[0045]所述第四PMOS管的漏极作为所述上拉主电路的输出端。
[0046]可选的，所述下拉电流电路，包括：第二稳流电路和下拉主电路；其中：
[0047]所述下拉主电路的输入端接收第二基准电流，所述下拉主电路的输出端作为所述下拉电流电路的输出端，所述下拉主电路的控制端作为所述下拉电流电路的控制端；
[0048]所述第二稳流电路的参考端与所述下拉主电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高边驱动电路，其特征在于，包括：低边转高边电路、上拉电流电路、下拉电流电路和自举电路；其中：所述自举电路的输入端连接于所述高边驱动电路的对应支路的电源端；所述自举电路的输出端分别连接于所述上拉电流电路的第一电源端、所述下拉电流电路的第一电源端、所述低边转高边电路的电源端；所述低边转高边电路的信号输入端作为所述高边驱动电路的输入端；所述低边转高边电路的信号输出端分别与所述上拉电流电路的控制端、所述下拉电流电路的控制端相连；所述上拉电流电路的输出端与所述下拉电流电路的输出端相连，连接点作为所述高边驱动电路的输出端。2.根据权利要求1所述的高边驱动电路，其特征在于，还包括：电压生成电路；其中：所述电压生成电路的基准端连接于所述上拉电流电路的第一电源端(VBST)与所述下拉电流电路的第一电源端的连接点；所述电压生成电路的输出端分别连接于所述上拉电流电路的第二电源端、所述下拉电流电路的第二电源端；所述电压生成模块的输出电压等于所述电压生成模块的输入电压减去预设电压。3.根据权利要求2所述的高边驱动电路，其特征在于，所述电压生成电路，包括：第一转换电路和第二转换电路；其中：所述第一转换电路的输入端接收所述预设电压，所述第一转换电路的输出端与所述第二转换电路的输入端相连，所述第一转换电路用于将所述预设电压转换成预设电流；所述第二转换电路的基准端作为所述电压生成电路的基准端，所述第二转换电路的输出端作为所述电压生成电路的输出端，所述第二转换电路用于将所述预设电流转换预设电压，并且所述第二转换电路的输出电压等于自身基准端的电位减去所述预设电压。4.根据权利要求3所述的高边驱动电路，其特征在于，所述第一转换电路，包括：第一电阻和三个NMOS管；其中：所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极的连接点，与所述第一NMOS管的漏极相连；所述第一NMOS管的漏极与所述第一电阻的一端相连，所述第一电阻的另一端接收所述预设电压；所述第二NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极相连，所述第三NMOS管的漏极作为所述电压电流转换电流的输出端，所述第三NMOS管的栅极接收使能信号；所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均与低边地相连；所述第一NMOS管与所述第二NMOS管相同。5.根据权利要求4所述的高边驱动电路，其特征在于，所述第二转换电路，包括：两个电阻、两个电容、四个NMOS管和两个PMOS管；其中：所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极的连接点，与所述第一PMOS管的漏极相连；所述第一PMOS管的漏极作为所述第二转换电路的输入端，所述第一PMOS管的源极与所述第四NMOS管源极相连；
所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极的连接点，与所述第四NMOS管的漏极相连；所述第四NMOS管的漏极通过第二电阻与所述第五NMOS管的漏极相连，连接点作为所述第二转换电路的基准端；所述第二PMOS管的源极分别连接于所述第五NMOS管的源极、所述第七NMOS管的漏极，所述第二PMOS管的漏极与所述第六NMOS管的漏极相连；所述第六NMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极的连接点，分别与所述第六NMOS管的漏极相连；所述第六NMOS管的源极和所述第七NMOS管的源极的连接点，与高边地相连；所述第一电容的一端连接于所述第四NMOS管的源极、另一端连接于所述第二转换电路的基准端；所述第二电容的一端连接于所述第五NMOS管的源极、另一端连接于所述第二转换电路的基准端；第三电阻的一端连接于所述第六NMOS管的栅极、另一端连接于所述第六...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑凯华，王云，张建华，陆超，李荣荣，王明照，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：