模拟开关布置制造技术

一种模拟开关布置，包括：模拟开关，所述模拟开关包括在输入端与输出端之间并联的第一晶体管和第二晶体管；以及输入晶体管布置，所述输入晶体管布置包括第一控制晶体管、第二控制晶体管、第一电压控制晶体管和第二电压控制晶体管。所述第一晶体管和所述第二晶体管两者的栅极端被配置成接收第一控制信号和第二控制信号，以用于控制所述模拟开关在接通状态与断开状态之间切换。所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管两者的栅极端被配置成基于所述输出端处的电压接收电压，以在所述模拟开关处于所述断开状态时基于所述输出端处的所述电压提供对施加于所述输入端处的电压的控制。压的控制。压的控制。

【技术实现步骤摘要】
模拟开关布置


[0001]本公开涉及包括模拟开关和输入晶体管布置的模拟开关布置。

技术介绍

[0002]多路复用器通常包括多个开关，所述多个开关可以包括模拟开关。模拟比较器可以包括多个多路复用器，且因此可以包括多个模拟开关。

技术实现思路

[0003]根据本公开的第一方面，提供一种模拟开关布置，包括：
[0004]模拟开关，所述模拟开关包括在输入端与输出端之间与第二晶体管并联的第一晶体管，其中所述第一晶体管的栅极端被配置成接收第二控制信号并且其中所述第二晶体管的栅极端被配置成接收第一控制信号，其中所述第一控制信号和所述第二控制信号提供对使所述模拟开关在接通状态与断开状态之间切换的控制；
[0005]输入晶体管布置，所述输入晶体管布置包括链，所述链包括第一控制晶体管，所述第一控制晶体管具有耦合到被配置成接收电源电压的电源电压端的第一端以及耦合到第一电压控制晶体管的第一端的第二端，所述第一电压控制晶体管的第二端耦合到第二电压控制晶体管的第一端，所述第二电压控制晶体管的第二端耦合到第二控制晶体管的第一端且所述第二控制晶体管的第二端耦合到被配置成耦合到基准电压的接地端；
[0006]其中所述输入端耦合到所述第一电压控制晶体管的所述第二端和所述第二电压控制晶体管的所述第一端；并且
[0007]所述第一控制晶体管的栅极被配置成接收所述第二控制信号，并且所述第二控制晶体管的栅极被配置成接收所述第一控制信号，其中所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管被配置成在所述模拟开关处于所述断开状态时将所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管耦合到所述电源电压端和所述接地端；并且
[0008]所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管两者的栅极端被配置成基于所述输出端处的电压接收电压，并且其中所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管被配置成在所述模拟开关处于所述断开状态时基于所述输出端处的所述电压提供对施加于所述输入端处的电压的控制。
[0009]在一个或多个例子中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、第一控制晶体管、所述第二控制晶体管、所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管中的一个或多个是MOSFET。
[0010]在一个或多个实施例中，所述第一晶体管是NMOS晶体管，并且所述第二晶体管是PMOS晶体管。
[0011]在一个或多个实施例中，所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管被配置成在所述模拟开关处于所述接通状态时使所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管从所述电源电压端和所述接地端去耦。
[0012]在一个或多个实施例中，所述第一控制晶体管的主体耦合到所述电源电压端，并且所述第二控制晶体管的主体耦合到所述接地端。
[0013]在一个或多个实施例中，所述第一控制晶体管的所述主体被配置成耦合到第一基准电压，并且所述第二控制晶体管的所述主体被配置成耦合到第二基准电压，其中所述第一基准电压大于所述第二基准电压，并且其中
[0014]所述第一电压控制晶体管的主体被配置成耦合到第三基准电压，其中所述第三基准电压是形成有所述模拟开关和输入晶体管布置的基板的电压，并且所述第二电压控制晶体管的主体被配置成耦合到第四基准电压，其中所述第四基准电压基于所述输入端处的所述电压。
[0015]在一个或多个实施例中，所述模拟开关布置被配置成在包括第一模式和第二模式的至少两种模式中操作，其中：
[0016]在所述第一模式中，所述模拟开关处于所述接通状态且导电以耦合所述输入端和所述输出端，并且其中所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管不导电且所述输入端处的所述电压不受所述输入晶体管布置控制；并且
[0017]在所述第二模式中，所述模拟开关处于所述断开状态且不导电，并且其中所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管导电且所述输入端处的所述电压借助于所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管受所述输出端处的所述电压控制。
[0018]在一个或多个实施例中，所述第二晶体管的源极端耦合到所述输入端且所述第二晶体管的漏极端耦合到所述输出端，并且所述第二晶体管的主体被配置成耦合到所述第二晶体管的所述源极端；并且
[0019]其中所述第一晶体管的源极端耦合到所述输入端且所述第一晶体管的漏极端耦合到所述输出端，并且所述第一晶体管的主体被配置成耦合在所述接地端处以接收所述基准电压。
[0020]在一个或多个实施例中，所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管中的一个的主体被配置成耦合到基板，所述模拟开关和输入晶体管布置形成于所述基板中，并且所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管中的另一个的主体被配置成耦合以接收第一电压。
[0021]在一个或多个实施例中，所述第一电压包括所述输入端处的所述电压。
[0022]在一个或多个实施例中，所述第一控制信号和第二控制信号是互补信号。在一个或多个实施例中，所述第一控制信号和所述第二控制信号是数字控制信号。
[0023]在一个或多个实施例中，所述第一控制晶体管是PMOS晶体管，并且其中所述第二控制晶体管是NMOS晶体管。在一个或多个实施例中，第一电压控制晶体管是NMOS晶体管，并且其中所述第二电压控制晶体管是PMOS晶体管。
[0024]根据本公开的第二方面，提供一种设备，包括基板，所述基板包括根据在前的任一项权利要求所述的模拟开关布置和至少一个另外的模拟开关，其中所述至少一个另外的模拟开关与所述模拟开关布置形成于相同的基板上。
[0025]在一个或多个实施例中，所述设备另外包括数模转换器DAC和比较器，其中
[0026]所述DAC的输出被配置成耦合到所述至少一个另外的模拟开关的输入端，并且其中
[0027]所述模拟开关布置和所述至少一个另外的模拟开关的输出端耦合到所述比较器的输入端。
[0028]虽然本公开容许各种修改和替代形式，但其细节已经借助于例子在图式中示出且将进行详细描述。然而，应理解，除所描述的具体实施例以外的其它实施例也是可能的。也涵盖落在所附权利要求书的精神和范围内的所有修改、等效物和替代实施例。
[0029]以上论述并非旨在表示当前或未来权利要求集的范围内的每一示例实施例或每一实施方案。以下附图和具体实施方式还举例说明了各种示例实施例。结合附图考虑以下具体实施方式可以更全面地理解各种示例实施例。
附图说明
[0030]现将仅借助于例子参考附图来描述一个或多个实施例，在附图中：
[0031]图1示出了包括模拟开关和输入晶体管布置的模拟开关布置的示例实施例；
[0032]图2示出了包括模拟开关布置的示例设备；并且
[0033]图3示出了模拟开关布置的第二示例实施例，其中输入晶体管布置具有晶体管的耦合到不同基准电压的主体。
具体实施方式
[0034]模拟开关通常包括晶体管对并且提供有效的开关元件。模拟开关可以形成多路复用器的一部分。模拟开关可以形成模拟比较器的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种模拟开关布置，其特征在于，包括：模拟开关，所述模拟开关包括在输入端与输出端之间与第二晶体管并联的第一晶体管，其中所述第一晶体管的栅极端被配置成接收第二控制信号并且其中所述第二晶体管的栅极端被配置成接收第一控制信号，其中所述第一控制信号和所述第二控制信号提供对使所述模拟开关在接通状态与断开状态之间切换的控制；输入晶体管布置，所述输入晶体管布置包括链，所述链包括第一控制晶体管，所述第一控制晶体管具有耦合到被配置成接收电源电压的电源电压端的第一端以及耦合到第一电压控制晶体管的第一端的第二端，所述第一电压控制晶体管的第二端耦合到第二电压控制晶体管的第一端，所述第二电压控制晶体管的第二端耦合到第二控制晶体管的第一端且所述第二控制晶体管的第二端耦合到被配置成耦合到基准电压的接地端；其中所述输入端耦合到所述第一电压控制晶体管的所述第二端和所述第二电压控制晶体管的所述第一端；并且所述第一控制晶体管的栅极被配置成接收所述第二控制信号，并且所述第二控制晶体管的栅极被配置成接收所述第一控制信号，其中所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管被配置成在所述模拟开关处于所述断开状态时将所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管耦合到所述电源电压端和所述接地端；并且所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管两者的栅极端被配置成基于所述输出端处的电压接收电压，并且其中所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管被配置成在所述模拟开关处于所述断开状态时基于所述输出端处的所述电压提供对施加于所述输入端处的电压的控制。2.根据在前的任一项权利要求所述的模拟开关布置，其特征在于，所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管被配置成在所述模拟开关处于所述接通状态时使所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管从所述电源电压端和所述接地端去耦。3.根据在前的任一项权利要求所述的模拟开关布置，其特征在于，所述第一控制晶体管的主体耦合到所述电源电压端，并且所述第二控制晶体管的主体耦合到所述接地端。4.根据权利要求1所述的模拟开关布置，其特征在于，所述第一控制晶体管的所述主体被配置成耦合到第一基准电压，并且所述第二控制晶体管的所述主体被配置成耦合到第二基准电压，其中所述第一基准电压大于所述第二基准电压，并且其中所述第一电压控制晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈剑洛，吴建舟，莫易昆，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：