射频开关电路制造技术

本实用新型专利技术涉及射频开关技术领域，公开了射频开关电路，包括射频开关支路和切换电路，射频开关支路包括至少两个串联的MOS管，每个MOS管的栅极电连接有偏置电阻，每个偏置电阻未与对应MOS管电连接的一端均与输入电阻一端电连接，每个偏置电阻的两端并联有切换电路，切换电路在偏置电阻两端的电压突变时将偏置电阻旁路，在使用时，当输入到MOS管的偏置电压发生切换时，偏置电阻两端的电压会发生突变，切换电路通过让偏置电阻旁路，可以让MOS管的栅极快速充电，让MOS管快速打开和关闭，当MOS管充放电完成后，偏置电阻两端电压恢复稳定，从而让MOS管继续导通，不影响MOS开关电路的射频性能，从而可以在降低射频开关切换时间的同时保证射频开关的使用稳定性。时保证射频开关的使用稳定性。时保证射频开关的使用稳定性。

【技术实现步骤摘要】
射频开关电路


[0001]本技术涉及射频开关
，具体涉及射频开关电路。

技术介绍

[0002]射频开关电路是射频模组的重要组成部分，主要用于实现信号通道的切换。其核心通常是由多个MOS管串联而成的射频开关支路。如图1所示，现有的射频开关电路由MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4和MOS管M5串联而成，即前一个MOS管的源极与后一个MOS管的漏极电连接。由于MOS管存在寄生电容，在射频信号发生变化时，如果不在MOS管的栅极设置偏置电阻或者偏置电阻的阻值较小，可能会导致MOS管的栅源电压不能保持稳定，进而导致MOS管频繁切换开关，进而影响射频开关电路的使用稳定性，因此在图1中，MOS管M1至MOS管M5的栅极分别连接有电阻。
[0003]然而设置阻值较大的偏置电阻后，偏置电阻和MOS管的寄生电容组成的RC延时电路会导致输入到MOS管栅极的偏置电压存在较大延迟，导致射频开关切换时间过长。

技术实现思路

[0004]鉴于
技术介绍
的不足，本技术是提供了射频开关电路，能在保证工作稳定性的前提下降低射频开关的切换时间。
[0005]为解决以上技术问题，本技术提供了如下技术方案：射频开关电路，包括射频开关支路，所述射频开关支路包括至少两个MOS管，所有MOS管依次串联，所述串联是指前一个MOS管的源极与后一个MOS管的漏极电连接，每个MOS管的栅极电连接有偏置电阻，每个偏置电阻未与对应MOS管电连接的一端均与输入电阻一端电连接；
[0006]还包括切换电路，每个偏置电阻的两端分别与一个切换电路的第一连接端和第二连接端电连接，所述切换电路在所述偏置电阻两端的电压突变时将所述偏置电阻旁路。
[0007]在某种实施方式中，所述输入电阻的两端与一个切换电路的第一连接端和第二连接端电连接，所述切换电路在所述输入电阻两端的电压突变时将所述输入电阻旁路。
[0008]在某种实施方式中，所述切换电路包括双向二极管。
[0009]在某种实施方式中，所述射频开关支路包括五个MOS管，分别是MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4和MOS管M5，MOS管M1的源极与MOS管M2的漏极电连接，MOS管M2的源极与MOS管M3的漏极电连接，MOS管M3的源极与MOS管M4的漏极电连接，MOS管M4的源极与MOS管M5的漏极电连接，MOS管M1的栅极、MOS管M2的栅极、MOS管M3的栅极、MOS管M4的栅极和MOS管M5的栅极分别与一个偏置电阻电连接，五个偏置电阻未与MOS管电连接的一端与输入电阻一端电连接。
[0010]本技术与现有技术相比所具有的有益效果是：在实际使用时，当输入到MOS管的偏置电压发生切换时，偏置电阻两端的电压会发生突变，切换电路通过让偏置电阻旁路，可以让MOS管的栅极快速充电，能让MOS管快速打开和关闭，当MOS管的栅极充放电完成后，偏置电阻两端电压恢复稳定，从而让MOS管继续导通，不影响MOS开关电路的射频性能，从而
可以在降低射频开关切换时间的同时保证射频开关的使用稳定性。
附图说明
[0011]图1为现有射频开关电路的电路图；
[0012]图2为实施例中的本技术的第一种结构示意图；
[0013]图3为实施例中的本技术的第二种结构示意图；
[0014]图4为图1所示电路的负压纹波仿真示意图；
[0015]图5为图3所示电路的负压纹波仿真示意图；
[0016]图6为图1所示电路的切换时间仿真示意图；
[0017]图7为图3所示电路的切换时间仿真示意图。
具体实施方式
[0018]现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。
[0019]如图2所示，射频开关电路，包括射频开关支路1，射频开关支路包括五个MOS管，分别是MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4和MOS管M5，MOS管M1的源极与MOS管M2的漏极电连接，MOS管M2的源极与MOS管M3的漏极电连接，MOS管M3的源极与MOS管M4的漏极电连接，MOS管M4的源极与MOS管M5的漏极电连接，每个MOS管的栅极电连接有偏置电阻，MOS管M1的栅极、MOS管M2的栅极、MOS管M3的栅极、MOS管M4的栅极和MOS管M5的栅极分别与一个偏置电阻电连接，五个偏置电阻分别是电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5，五个偏置电阻未与MOS管电连接的一端与输入电阻R6一端电连接；
[0020]在实际使用时，偏置电压经输入电阻R6和偏置电阻输入到MOS管的栅极，对MOS管进行充电；
[0021]另外，本技术还包括切换电路2，每个偏置电阻的两端分别与一个切换电路2的第一连接端和第二连接端电连接，切换电路2在偏置电阻两端的电压突变时将偏置电阻旁路。
[0022]在实际使用时，当输入到MOS管的偏置电压发生切换时，偏置电阻两端的电压会发生突变，切换电路2通过让偏置电阻旁路，可以让MOS管的栅极快速充电，能让MOS管快速打开和关闭，当MOS管的栅极充放电完成后，偏置电阻两端电压恢复稳定，从而让MOS管继续导通，不影响MOS开关电路的射频性能，从而可以在降低射频开关切换时间的同时保证射频开关的使用稳定性
[0023]如图3所示，为了进一步降低本技术的切换时间，输入电阻R6的两端与一个切换电路2的第一连接端和第二连接端电连接，切换电路2在输入电阻两端的电压突变时将输入电阻R6旁路。
[0024]在图2和图3所示的电路中，切换电路2包括双向二极管。
[0025]在某种实施方式中，可以根据实际需求在增加或者减少射频开关支路1中的MOS管的数量。
[0026]结合图4和图5，从负压的纹波前后仿真对比可以看出，本技术的射频信号传输稳定性得到了提高；结合图6和图7，在增加了偏置电阻和输入电阻R6改善了射频信号传
输稳定性的同时，因为双向二极管的存在，射频开关切换时间也相应得到改善，本技术的切换时间得到降低。
[0027]上述依据本技术为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.射频开关电路，包括射频开关支路，所述射频开关支路包括至少两个MOS管，所有MOS管依次串联，所述串联是指前一个MOS管的源极与后一个MOS管的漏极电连接，每个MOS管的栅极电连接有偏置电阻，每个偏置电阻未与对应MOS管电连接的一端均与输入电阻一端电连接，其特征在于，还包括切换电路，每个偏置电阻的两端分别与一个切换电路的第一连接端和第二连接端电连接，所述切换电路在所述偏置电阻两端的电压突变时将所述偏置电阻旁路。2.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述输入电阻的两端与一个切换电路的第一连接端和第二连接端电连接，所述切换电路在所述输入电阻两端的电压突变时将所述输入电阻旁路。3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁佳佳，刘刚，江海波，郭天生，赵鹏，
申请(专利权)人：江苏乾合微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：