一种具有快速瞬态响应的低压差线性稳压器制造技术

本发明专利技术针对现有技术的局限性，提供了一种具有快速瞬态响应的低压差线性稳压器，本发明专利技术的方案在误差放大器和功率管之间添加了一个采用Class AB型结构作为快速瞬态响应环路的瞬态增强电路，减轻了负载电容，也减少了版图面积，提高了利用率；并通过增加米勒电容进行环路补偿产生一个主极点；能够在负载突变时快速稳定输出电压，同时获得较高的增益和较好的相位裕度，实现较低的功耗。当负载在1us内、0～50mA跳变时，在不同工艺角下，过冲与欠冲均在113mV以内，响应时间均在1.13us以内。响应时间均在1.13us以内。响应时间均在1.13us以内。

【技术实现步骤摘要】
一种具有快速瞬态响应的低压差线性稳压器


[0001]本专利技术涉及电力电子变换的
，更具体地，涉及一种具有快速瞬态响应的低压差线性稳压器。

技术介绍

[0002]LDO(Low Dropout Regulator,低压差线性稳压器)是一种应用于便携式电子设备中的电源芯片，它具有低压差、低噪声、低静态功耗以及输出电流大等突出特点。由于LDO输出电流的变化导致LDO中的误差放大器不能稳定工作，因此需要对误差放大器进行频率补偿。
[0003]请参阅图1，传统的低压差线性稳压器，由于在芯片外接大电容，固定系统的主极点在输出端，并依靠该大电容与其等效串联电阻(ESR电阻)产生一个左半平面零点，对系统进行频率补偿，保持系统稳定。但随着工艺进步，对LDO性能要求的提高，传统LDO接上大电容，不利于芯片尺寸的减小，并且消耗PCB板的面积。
[0004]公告日为2017.03.29的中国专利技术专利：一种快速瞬态响应低压差线性稳压器中，在传统的LDO线性稳压器电路的基础上增加了一个瞬态响应增强电路，旨在使得变换器装置的瞬态响应加快,其宣称该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有快速瞬态响应的低压差线性稳压器，包括误差放大器EA、功率管以及反馈电路，其特征在于，还包括带隙基准Bandgap以及瞬态增强电路Enhancement circuit；所述瞬态增强电路Enhancement circuit为采用Class AB型结构的快速瞬态响应环路；所述功率管为MOS驱动管MP，所述MOS驱动管MP通过增加米勒电容进行环路补偿，在所述瞬态增强电路Enhancement circuit中产生一个主极点；其中：输入电压V
IN
分别连接所述带隙基准Bandgap的输入端以及所述MOS驱动管MP的漏极；所述带隙基准Bandgap通过连接所述误差放大器EA的反相输入端向所述误差放大器EA提供所述带隙基准Bandgap产生的基准电压V
REF
；所述误差放大器EA的正相输入端连接所述反馈电路，所述误差放大器EA的输出端连接所述MOS驱动管MP的栅极以及所述瞬态增强电路Enhancement circuit的一端；所述瞬态增强电路Enhancement circuit的另一端连接所述反馈电路、所述MOS驱动管MP的源极以及输出电压V
OUT
；所述反馈电路接地。2.根据权利要求1所述的具有快速瞬态响应的低压差线性稳压器，其特征在于，所述瞬态增强电路Enhancement circuit包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电阻R3、电阻R4、晶体管M
15
、晶体管M
16
、晶体管M
17
、晶体管M
18
、晶体管M
19
、晶体管M
20
、晶体管M
21
以及晶体管M
22
；其中：所述电容C1的一端连接输出电压V
OUT
，另一端连接所述电阻R3的一端以及所述晶体管M
15
的栅极；所述晶体管M
15
的集电极连接电压V
DD
，所述晶体管M
15
的发射极连接所述电阻R3的另一端、所述晶体管M
16
的栅极以及晶体管M
18
的集电极；所述晶体管M
16
的集电极连接电压V
DD
，所述晶体管M
16
的发射极连接所述MOS驱动管MP的栅极V
G
以及所述晶体管M
22
的集电极；所述电容C2的一端连接输出电压V
OUT
，另一端连接所述晶体管M
17
的栅极以及所述晶体管M
18
的栅极；偏置电流源I
B
连接所述晶体管M
17
的集电极，所述晶体管M
17
的发射极接地；所述晶体管M
18
的发射极接地；所述电容C3的一端连接输出电压V
OUT
，另一端连接所述晶体管M
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的栅极以及所述晶体管M
20
的栅极；所述晶体管M
19
的集电极接地，所述晶体管M
19

【专利技术属性】
技术研发人员：李玮鑫，刘斌，张志浩，章国豪，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：