一种抗单粒子辐射的基准源制造技术

本发明专利技术属于集成电路领域，涉及一种抗单粒子辐射的基准源电路。针对传统的基准源电路对单粒子辐射敏感，本发明专利技术提出了一种抗单粒子辐射的基准源，其包括两个基准电路、两个瞬态检测电路、判断电路、两个开关。其中，一个瞬态检测电路连接一个基准电路，瞬态检测电路用于检测基准的工作状态；瞬态检测电路分别输出两路信号与判断电路相连；判断电路输出两路信号，分别连接两个开关的控制端；一个开关的一端连接一个基准电路产生的基准电压V

【技术实现步骤摘要】
一种抗单粒子辐射的基准源


[0001]本专利技术属于集成电路领域，具体的说是涉及一种抗单粒子辐射的基准源。

技术介绍

[0002]单粒子效应和总剂量效应是集成电路在辐射环境中失效主的要原因。
[0003]基准电路作为集成电路中不可或缺的部分，它为整个集成电路甚至整个电子系统提供稳定的电压、电流参考，因此基准电路的抗辐射功能是航空航天集成电路的关键。因为Bipolar管的在受到总剂量辐射后电流增益会下降，工程上采用PMOS替换带隙基准中的Bipolar得到DTMOS(dynamic
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threshold MOS transistor)型基准，DTMOS型基准对总剂量辐射不敏感，但是受到单粒子辐射后基准的输出电压出现扰动且恢复过程非常缓慢，从而导致整个集成电路甚至整个电子系统长时间内无法正常工作。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的，就是针对上述问题，提出一种对单粒子辐射不敏感的基准源电路。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案。
[0006]本专利技术的抗单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗单粒子辐射的基准源，其特征在于，包括第一基准电路、第二基准电路、第一瞬态检测电路、第二瞬态检测、判断电路、第一开关和第二开关；所述第一瞬态检测电路的输入端连接第一基准电路，第一瞬态检测电路用于检测第一基准电路的工作状态，第一瞬态检测电路的输出端连接判断电路的第一输入端；所述第二瞬态检测电路的输入端连接第二基准电路，第二瞬态检测电路用于检测第二基准电路的工作状态，第二瞬态检测电路的输出端连接判断电路的第二输入端；所述判断电路的第一输出端连接第一开关的控制端，判断电路的第二输出端接第二开关的控制端，第一开关的一端接第一基准电路输出的第一基准电压信号，第二开关的一端接第二基准电路输出的第二基准电压信号，第一开关的另一端与第二开关的另一端连接作为基准源的输出端；所述第一瞬态检测电路检测第一基准电路工作状态的方法是：当第一基准电路受到单粒子轰击时，第一瞬态检测电路检测到第一基准电路的输出出现偏移，同时输出高电平信号到判断电路，同理，第二瞬态检测电路检测到第二基准电路的输出出现偏移时，输出高电平信号到判断电路；所述判断电路用于，当接收到第一瞬态电路输出的高电平信号时，输出第一控制信号关断第一开关，当接收到第二瞬态电路输出的高电平信号时，输出第二控制信号关断第一开关，并且使得第一开关和第二开关同时只有一个处于导通状态。2.根据权利要求1所述的一种抗单粒子辐射的基准源，其特征在于，所述第一基准电路和第二基准电路均为DTMOS基准电路，并且定义DTMOS基准电路中运算放大器的负向输入端电压为第一偏置电压，正向输入端电压为第二偏置电压。3.根据权利要求2所述的一种抗单粒子辐射的基准源，其特征在于，所述第一瞬态检测电路和第二瞬态检测电路的结构相同；第一瞬态检测电路由第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一NMOS管MN11、第二NMOS管MN21、第三NMOS管MN22、第四NMOS管MN23、第五NMOS管MN31、第六NMOS管MN41、第七NMOS管MN42、第八NMOS管MN43、第一PMOS管MP11、第二PMOS管MP12、第三PMOS管MP13、第四PMOS管MP21、第五PMOS管MP22、第六PMOS管MP23组成、第七PMOS管MP31、第八PMOS管MP32、第九PMOS管MP33、第十PMOS管MP34、第十一PMOS管MP35、第十二PMOS管MP41第十三PMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗萍，赵忠，吴昱操，范佳航，张致远，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：