【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器的存储单元及其形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种动态随机存取存储器的存储单元及其形成方法。
技术介绍
[0002]随着现今科技快速的发展，半导体存储器被广泛地应用于电子装置中。动态随机存取存储器(dynamic random access memory，简称DRAM)属于一种挥发性存储器，对于储存大量数据的应用而言，动态随机存取存储器是最常被利用的解决方案。
[0003]通常，动态随机存取存储器是由多个存储单元构成，每一个存储单元主要是由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容所构成，且每一个存储单元通过字线与位线彼此电连接。
[0004]然而，现有的动态随机存取存储器的存储单元仍存在诸多问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种动态随机存取存储器的存储单元及其形成方法，以降低工艺制程的难度。
[0006]为解决上述问题，本专利技术提供一种动态随机存取存储器的存储单元，包括：衬底，所述衬底包括沟道区；字线栅结构，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器的存储单元，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括沟道区；字线栅结构，所述字线栅结构覆盖所述沟道区部分表面；分别位于所述字线栅结构两侧所述沟道区内的第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区；电容结构，所述电容结构与所述第一源漏掺杂区连接，其中所述电容结构包括：导电支撑结构，所述导电支撑结构与所述第一源漏掺杂区连接；位于所述导电支撑结构侧壁表面的第一电极层；位于所述第一电极层侧壁表面和所述导电支撑结构顶部表面的绝缘层；位于所述绝缘层侧壁表面和所述绝缘层顶部表面的第二电极层。2.如权利要求1所述动态随机存取存储器的存储单元，其特征在于，所述沟道区包括相对的第一面和第二面；所述第一源漏掺杂区位于所述沟道区的第一面，所述第二源漏掺杂区位于所述沟道区的第二面。3.如权利要求2所述动态随机存取存储器的存储单元，其特征在于，还包括：位线层，所述位线层与所述电容结构分别位于所述沟道区的不同面，且所述位线层与所述第二源漏掺杂区连接。4.如权利要求1所述动态随机存取存储器的存储单元，其特征在于，还包括：金属硅化物层，所述金属硅化物层位于所述第一电极层和所述导电支撑结构之间。5.如权利要求1所述动态随机存取存储器的存储单元，其特征在于，所述第一电极层的材料包括：金属或氮化钛；所述第二电极层的材料包括：金属或氮化钛。6.如权利要求1所述动态随机存取存储器的存储单元，其特征在于，所述绝缘层的材料包括：高K介质材料。7.如权利要求1所述动态随机存取存储器的存储单元，其特征在于，所述导电支撑结构的材料包括：掺杂的多晶硅或掺杂的硅锗。8.如权利要求4所述动态随机存取存储器的存储单元，其特征在于，所述金属硅化物层的材料包括：硅化钛、硅化钴或硅化镍。9.如权利要求1所述动态随机存取存储器的存储单元，其特征在于，所述字线栅结构包括：位于所述沟道区部分侧壁表面的字线栅介质层、以及位于所述字线栅介质层表面的字线栅层。10.如权利要求9所述动态随机存取存储器的存储单元，其特征在于，所述字线栅层包括：单层结构或复合结构。11.如权利要求10所述动态随机存取存储器的存储单元，其特征在于，当所述字线栅层为单层结构时，所述字线栅层的材料包括：金属或多晶硅。12.如权利要求10所述动态随机存取存储器的存储单元，其特征在于，当所述字线栅层为复合结构时，所述字线栅层包括第一栅极层以及位于所述第一栅极层上的第二栅极层，所述第一栅极层和所述第二栅极层的材料不同。13.如权利要求12所述动态随机存取存储器的存储单元，其特征在于，所述第一栅极层的材料包括：金属或多晶硅；所述第二栅极层的材料包括：多晶硅或金属。14.一种动态随机存取存储器的存储单元的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括沟道区；
形成字线栅结构，所述字线栅结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：华文宇，朱宏斌，江宁，丁潇，
申请(专利权)人：芯盟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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