一种平整散热层的嵌埋基板结构的制作方法技术

技术编号:36185275 阅读:54 留言:0更新日期:2022-12-31 20:47
本发明专利技术申请公开了一种平整散热层的嵌埋基板结构的制作方法,通过在框架的口框中贴元器件并压合第一介质层,在第一介质层上镭射盲孔,在框架的正面和背面制作第一图形并压合第二介质层,并在框架背面的第二介质层制作盲孔并去除元器件背面位置的第二介质层,通过在框架背面填塞铜浆或银浆的导电散热材料,并经过烧结固化后进行研磨,得到大面积且平整的散热层,提升了散热效果以及整体平整性,并且背面散热层上可设置增层线路,提供了布线层。提供了布线层。提供了布线层。

【技术实现步骤摘要】
一种平整散热层的嵌埋基板结构的制作方法


[0001]本专利技术涉及电子
,尤其是一种平整散热层的嵌埋基板结构的制作方法。

技术介绍

[0002]对于当前的嵌埋器件封装基板,芯片背面的散热方法主要包括:一是通过加成法直接在芯片背面制备散热层;二是在芯片背面压合介质层后进行镭射制孔,并通过电镀填孔方式制备散热通道;三是采用镭射或者plasma的方式将芯片背面上的介质层去除,并通过电镀的方式在芯片背面制备散热层。
[0003]当芯片背面只有一层散热层时,可以得到比较平整的散热层。然而,当芯片背面还需要增层线路时,由于介质层的存在,镭射填孔的方式虽然可以得到平整的散热层,但由于散热通道的限制,散热效果不佳;而采用镭射或者plasma的方式将芯片背面上的介质层去除后电镀散热层会导致芯片背面出现凹坑,无法得到整体平整的效果。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题,本专利技术实施例提供了一种平整散热层的嵌埋基板结构的制作方法。
[0005]本专利技术实施例所采取的技术方案是:
[0006]一种平整散热层的嵌埋基板结构的制作方法,包括以下步骤:
[0007]设置框架,所述框架中设置有口框和上下导通的铜柱;
[0008]在所述口框贴元器件,并在所述框架和所述元器件上压合第一介质层,所述元器件的背面朝向与所述框架的背面朝向相同;
[0009]在所述第一介质层上镭射盲孔;
[0010]通过电镀在所述框架的正面和背面制作第一图形;
[0011]在所述框架制作有所述第一图形的两面压合第二介质层;
[0012]在所述框架正面的所述第二介质层制作盲孔并电镀;
[0013]在所述框架背面的所述第二介质层制作盲孔并去除所述元器件的背面位置的所述第二介质层;
[0014]在所述框架背面填塞导电散热材料,并对所述导电散热材料进行烧结固化,所述导电散热材料为银浆和铜浆中的任意一种;
[0015]磨平所述导电散热材料至露出所述第二介质层,得到所述元器件背面的散热层。
[0016]作为一种可选的实施方式,所述方法还包括:
[0017]在所述散热层远离所述框架的一面制作第二图形。
[0018]作为一种可选的实施方式,所述在所述框架正面的所述第二介质层制作盲孔并电镀之后,所述方法还包括:
[0019]在所述框架正面的所述第二介质层上制作第三图形。
[0020]作为一种可选的实施方式,所述方法还包括:
[0021]在所述第二图形以及所述第三图形上制作绿油层。
[0022]作为一种可选的实施方式,所述在所述框架背面的所述第二介质层制作盲孔,包括:
[0023]通过镭射或者plasma在所述框架背面的所述第二介质层制作盲孔。
[0024]作为一种可选的实施方式,所述元器件包括集成电路、无源器件和有源器件中的至少一个。
[0025]作为一种可选的实施方式,所述元器件包括单颗芯片或者背对背堆叠的多颗芯片。
[0026]作为一种可选的实施方式,所述元器件包括单面端子器件或双面端子器件。
[0027]作为一种可选的实施方式,所述第一介质层和所述第二介质层的材料为树脂。
[0028]本专利技术实施例的平整散热层的嵌埋基板结构的制作方法,通过在框架的口框中贴元器件并压合第一介质层,在第一介质层上镭射盲孔,在框架的正面和背面制作第一图形并压合第二介质层,并在框架背面的第二介质层制作盲孔并去除元器件背面位置的第二介质层,通过在框架背面填塞铜浆或银浆的导电散热材料,并经过烧结固化后进行研磨,得到大面积且平整的散热层,提升了散热效果以及整体平整性,并且背面散热层上可设置增层线路,提供了布线层。
附图说明
[0029]图1为本专利技术实施例平整散热层的嵌埋基板结构的制作方法流程图
[0030]图2为本专利技术实施例平整散热层的嵌埋基板结构的框架的结构示意图;
[0031]图3为本专利技术实施例平整散热层的嵌埋基板结构的元器件和第一介质层示意图;
[0032]图4为本专利技术实施例平整散热层的嵌埋基板结构的第一介质层的镭射盲孔示意图;
[0033]图5为本专利技术实施例平整散热层的嵌埋基板结构的第一图形示意图;
[0034]图6为本专利技术实施例平整散热层的嵌埋基板结构的第二介质层示意图;
[0035]图7为本专利技术实施例平整散热层的嵌埋基板结构的制作方法的第二介质层处理示意图;
[0036]图8为本专利技术实施例平整散热层的嵌埋基板结构的导电散热材料示意图;
[0037]图9为本专利技术实施例平整散热层的嵌埋基板结构的散热层示意图;
[0038]图10为本专利技术实施例平整散热层的嵌埋基板结构的第二图形示意图;
[0039]图11为本专利技术实施例平整散热层的嵌埋基板结构的第三图形示意图;
[0040]图12为本专利技术实施例平整散热层的嵌埋基板结构的绿油层示意图。
[0041]附图标记:201、口框;202、铜柱;301、元器件;302、第一介质层;501、第一图形;601、第二介质层;801、导电散热材料;901、散热层;1001、第二图形;1101、第三图形;1201、绿油层。
具体实施方式
[0042]为了使本
的人员更好地理解本申请方案,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是
本申请一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本申请保护的范围。
[0043]本申请的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”等是用于区别不同对象,而不是用于描述特定顺序。此外,术语“包括”和“具有”以及它们任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元,而是可选地还包括没有列出的步骤或单元,或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0044]在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0045]当芯片背面只有一层散热层时,可以得到比较平整的散热层。然而,当芯片背面还需要增层线路时,由于介质层的存在,镭射填孔的方式虽然可以得到平整的散热层,但由于散热通道的限制,散热效果不佳;而采用镭射或者plasma的方式将芯片背面上的介质层去除后电镀散热层会导致芯片背面出现凹坑,无法得到整体平整的效果。为此,本专利技术实施例提出了一种平整散热层的嵌埋基板结构的制作方法,通过在框架的口框中贴元器件本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平整散热层的嵌埋基板结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:设置框架,所述框架中设置有口框和上下导通的铜柱;在所述口框贴元器件,并在所述框架的正面和所述元器件上压合第一介质层,所述元器件的背面朝向与所述框架的背面朝向相同;在所述第一介质层上镭射盲孔;通过电镀在所述框架的正面和背面制作第一图形;在所述框架制作有所述第一图形的两面压合第二介质层;在所述框架正面的所述第二介质层制作盲孔并电镀;在所述框架背面的所述第二介质层制作盲孔并去除所述元器件的背面位置的所述第二介质层;在所述框架背面填塞导电散热材料,并对所述导电散热材料进行烧结固化,所述导电散热材料为银浆和铜浆中的任意一种;磨平所述导电散热材料至露出所述第二介质层,得到所述元器件背面的散热层。2.根据权利要求1所述的一种平整散热层的嵌埋基板结构的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:在所述散热层远离所述框架的一面制作第二图形。3.根据权利要求2所述的一种平整散热层的嵌埋基板结构的制作方法,其特征在于,所述在所述框架正面的所述第二介质层制作...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈先明冯磊黄本霞赵江江张治军
申请(专利权)人:珠海越亚半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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