射频功率放大器、射频芯片及无线通讯设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种射频功率放大器，其包括第一功率放大器、第二功率放大器、第三功率放大器、第一变压器、第二变压器、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容以及电感；第一功率放大器的输出端分别连接至电感的第一端和第一电容的第一端；第一电容的第二端接地；电感的第二端连接至第一变压器的初级线圈的第一端；第一变压器的次级线圈分别通过第二功率放大器和第三功率放大器后连接至第二变压器的初级线圈，第二变压器的次级线圈的第一端作为射频功率放大器的输出端。本实用新型专利技术还提供一种射频芯片和无线通讯设备。采用本实用新型专利技术的技术方案在常压下功率高且线性度高、电路结构简单且器件少，并使得整机系统的复杂度低。度低。度低。

【技术实现步骤摘要】
射频功率放大器、射频芯片及无线通讯设备


[0001]本技术涉及电路
，尤其涉及一种射频功率放大器、射频芯片及无线通讯设备。

技术介绍

[0002]目前，无线通信技术的发展，尤其5G的应用越来越广。5GNR是基于OFDM的全新空口设计的全球性5G标准，也是下一代非常重要的蜂窝移动技术基础，5G技术将实现超低时延、高可靠性。由于数据传输更快和高的线性度要求，在射频前端模组中的射频功率放大器成为重要的组成部分。
[0003]相关技术的射频功率放大器一般包括依次连接的第一级功率放大器、第二功率放大器以及输出匹配网络。请参考图1所示，图1为相关技术的射频功率放大器的电路结构示意图。所述输出匹配网络包括电感LA、电容CA、电感LB以及电容CB。射频信号从射频信号输入端RFin输入，经过第一级功率放大器PA和第二功率放大器PB两级功率放大，通过输出匹配网络后从射频信号输出端RFout馈送到外部的天线发射出去。
[0004]然而，相关技术的射频功率放大器为4G技术。而5G网络的主要优势在于，数据传输速率远远高于以前的蜂窝网络，最高可达10Gbit/s，比当前的有线互联网要快，比先前的4G LTE蜂窝网络快100倍。另一个优点是较低的网络延迟(更快的响应时间)，低于1毫秒，而4G为30
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70毫秒。4G LTE射频前端模块的射频功率放大器已经无法达到5G
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NR的线性度要求。另外，通信网将是4G和5G共存的局面。一是5G的建设不会那么快；二是5G从技术上就是把对应的频段定在超高频，难以一人打天下，需要和4G配合组网。正因如此5G的协议就有两个两种组网方式，分别为：NSA non
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Standalone(4G和5G共同组网)和SA Standalone(5G单独组网)。需要在现有的4G射频半导体基础上的相关技术的射频功率放大器，同时支持5G
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NR的标准。相关技术的射频功率放大器为了满足高功率、高线性和成本等方面的需求，需要工作在4.5V电压以上，这就额外增加一颗升压芯片给相关技术的射频功率放大器供电，这增加了整机系统的套片成本和备货难度。
[0005]因此，实有必要提供一种新的射频功率放大器、相关芯片和设备解决上述问题。

技术实现思路

[0006]针对以上现有技术的不足，本技术提出一种在常压下功率高且线性度高、电路结构简单且器件少，并使得整机系统的复杂度低的射频功率放大器、射频芯片及无线通讯设备。
[0007]为了解决上述技术问题，第一方面，本技术的实施例提供了一种射频功率放大器，所述射频功率放大器包括第一功率放大器、第二功率放大器、第三功率放大器、第一变压器、第二变压器、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容以及电感；所述第一功率放大器的输入端作为所述射频功率放大器的输入端；所述第一功率放大器的输出端分别连接至所述电感的第一端和所述第一电容的第一端；所述第一电容的第二端接地；所
述电感的第二端连接至所述第一变压器的初级线圈的第一端，所述第一变压器的初级线圈的第二端接地；所述第一变压器的次级线圈的第一端分别连接至所述第二功率放大器的输入端和所述第二电容的第一端；所述第一变压器的次级线圈的第二端分别连接至所述第三功率放大器的输入端和所述第二电容的第二端；所述第二功率放大器的输出端分别连接至所述第二变压器的初级线圈的第一端和所述第三电容的第一端；所述第三功率放大器的输出端分别连接至所述第二变压器的初级线圈的第二端和所述第二电容的第二端；所述第二变压器的次级线圈的第一端作为所述射频功率放大器的输出端，且所述第二变压器的次级线圈的第一端分别连接至所述第四电容的第一端和所述第五电容的第一端；所述第四电容的第二端和所述第五电容的第二端均接地；所述第二变压器的次级线圈的第二端接地。
[0008]优选的，所述第一电容的电容值参数可调，所述电感的电感值参数可调。
[0009]优选的，所述第二电容的电容值参数可调。
[0010]优选的，所述第三电容的电容值参数可调。
[0011]优选的，所述第四电容的电容值参数可调；所述第五电容的电容值参数可调。
[0012]优选的，所述第一功率放大器、所述第二功率放大器以及所述第三功率放大器均采用晶体管实现。
[0013]第二方面，本技术的实施例提供了一种射频芯片，所述射频芯片包括如本技术的实施例提供的上述射频功率放大器。
[0014]第三方面，本技术的实施例提供了一种无线通讯设备，所述无线通讯设备包括如本技术的实施例提供的上述射频功率放大器。
[0015]与相关技术相比，本技术的射频功率放大器、射频芯片及无线通讯设备通过对射频功率放大器的电路进行设置：第一功率放大器与第一变压器之间设置第一电容和电感，使得第一电容和电感组成的电路与第一变压器的初级线圈谐振并且增加带宽。通过第二电容与第一变压器的次级线圈谐振产生一个小阻抗，从而使得第一功率放大器的输出较大的功率和线性度高，第三电容与第二变压器的初级线圈谐振产生另一个小阻抗，从而使得本技术的射频功率放大器的输出较大的功率和线性度高，第四电容和第五电容组成的电路与第二变压器的初级线圈谐振并且增加带宽，上述射频功率放大器的电路设置使得本技术的射频功率放大器满足5G
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NR的标准下的电路功率高且线性度高。另外，第一功率放大器作为第一级功率放大器，而第二功率放大器和第三功率放大器作为第二级功率放大器，外部输入的射频信号通过第一功率放大器放大后，通过第一变压器耦合到第二级功率放大器，再通过第二变压器将第二级功率放大器中的第二功率放大器和第三功率放大器各自输出的射频信号合成一路信号输出至外部的天线。该电路的电路结构简单且器件少，上述射频功率放大器的电路均可在常压下工作，不需要额外增加一颗升压芯片给第一功率放大器、第二功率放大器以及第三功率放大器使用，并使得整机系统的复杂度低，从而降低成本的同时减轻系统复杂度和备货难度等的需求。
附图说明
[0016]下面结合附图详细说明本技术。通过结合以下附图所作的详细描述，本技术的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中，
[0017]图1为相关技术的射频功率放大器的电路结构示意图；
[0018]图2为本技术射频功率放大器的电路结构示意图。
具体实施方式
[0019]下面结合附图详细说明本技术的具体实施方式。
[0020]在此记载的具体实施方式/实施例为本技术的特定的具体实施方式，用于说明本技术的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本技术实施方式及本技术范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本技术的保护范围之内。
[0021]本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器包括第一功率放大器、第二功率放大器、第三功率放大器、第一变压器、第二变压器、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容以及电感；所述第一功率放大器的输入端作为所述射频功率放大器的输入端；所述第一功率放大器的输出端分别连接至所述电感的第一端和所述第一电容的第一端；所述第一电容的第二端接地；所述电感的第二端连接至所述第一变压器的初级线圈的第一端，所述第一变压器的初级线圈的第二端接地；所述第一变压器的次级线圈的第一端分别连接至所述第二功率放大器的输入端和所述第二电容的第一端；所述第一变压器的次级线圈的第二端分别连接至所述第三功率放大器的输入端和所述第二电容的第二端；所述第二功率放大器的输出端分别连接至所述第二变压器的初级线圈的第一端和所述第三电容的第一端；所述第三功率放大器的输出端分别连接至所述第二变压器的初级线圈的第二端和所述第二电容的第二端；所述第二变压器的次级线圈的第一端作为所述射频功率放大器的输出端，且所述第二变压器的次级线圈的第一端分别连...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁威，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：