扇出型封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种扇出型封装结构及其制作方法，所述扇出型封装结构包括至少一个芯片和设于芯片功能面侧的至少一层重布线层，所述重布线层包括介电层和分布于所述介电层内的金属布线层，所述扇出型封装结构还包括至少一个设置于所述重布线层上的假片，所述假片与所述芯片之间绝缘设置，所述金属布线层与所述假片之间接触设置。通过在重布线层上设置假片，并将其与金属布线层与其相接，使得假片不仅能够起到结构支撑、抑制翘曲的作用，还能够形成连续的散热通道，提高扇出型封装结构的热管理能力。力。力。

【技术实现步骤摘要】
扇出型封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及封装
，具体地涉及一种扇出型封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]在扇出型封装中，其通常具有较大的芯片长宽比、较厚重的重布线层堆叠结构和较少的塑封料选项，这导致了扇出型封装结构的热管理能力较差，为了加强散热会将塑封层减薄使芯片非功能面外露，但在上述几个结构特征的共同作用下，不同材料间的热膨胀差异会进一步造成的扇出型封装结构出现翘曲的情况。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种扇出型封装结构及其制作方法。
[0004]本专利技术提供一种扇出型封装结构，其包括至少一个芯片和设于芯片功能面侧的至少一层重布线层，所述重布线层包括介电层和分布于所述介电层内的金属布线层，所述扇出型封装结构还包括至少一个设置于所述重布线层上的假片，所述假片与所述芯片之间绝缘设置，所述金属布线层与所述假片之间接触设置。
[0005]作为本专利技术的进一步改进，相邻于所述假片的第一介电层内设置有至少一个位于所述假片下方的第一通孔，分布于所述第一介电层内的第一金属布线层通过所述第一通孔连接于所述假片。
[0006]作为本专利技术的进一步改进，所述假片包括设置于其下表面的绝缘层，所述第一金属布线层连接于所述绝缘层。
[0007]作为本专利技术的进一步改进，所述芯片功能面上包括多个焊盘和分布于所述焊盘之间的绝缘区，所述焊盘电性连接于所述第一金属布线层。所述第一介电层内设置有至少一个位于所述绝缘区下方的第二通孔，所述金属布线层通过所述第二通孔连接于所述绝缘区。
[0008]作为本专利技术的进一步改进，还包括塑封层，包覆所述芯片和所述假片，所述第一介电层内设置有至少一个位于所述塑封层区域下方的第三通孔，所述金属布线层通过所述第三通孔连接于所述塑封层。
[0009]作为本专利技术的进一步改进，所述塑封层至少完全包覆所述假片的上表面。
[0010]作为本专利技术的进一步改进，所述假片上表面设置有散热层，所述塑封层至少包覆所述散热层侧面。
[0011]作为本专利技术的进一步改进，所述假片上表面设置有向内凹陷的空腔，所述塑封层至少填充于所述空腔内。
[0012]作为本专利技术的进一步改进，所述空腔表面设置有一层散热层。
[0013]作为本专利技术的进一步改进，所述散热层至少厚于所述金属布线层。
[0014]作为本专利技术的进一步改进，所述假片和所述芯片形成等效长宽，该等效长宽与所述扇出型封装结构的长宽形成有效相对长宽比范围为0.5～1.5，或所述芯片和所述假片侧
面X方向的塑封层面积与Y方向的塑封层面积比范围为0.5～ 1.5。
[0015]本专利技术还提供一种扇出型封装结构制作方法，包括步骤：
[0016]提供芯片和假片，塑封所述芯片和所述假片，并暴露所述芯片功能面和假片下表面，形成塑封层；
[0017]在所述芯片功能面和所述假片下表面侧形成包括介电层和金属布线层的重布线层，并将所述金属布线层直接与所述假片之间接触设置；
[0018]切割获得单颗扇出型封装结构。
[0019]作为本专利技术的进一步改进，“将金属布线层直接与所述假片之间接触设置”具体包括：
[0020]在所述芯片功能面和所述假片下表面侧形成第一金属布线层和第一介电层 21a，并在所述第一介电层21a上开设至少一个位于所述假片下方的第一通孔，将第一金属布线层通过第一通孔连接于所述假片。
[0021]作为本专利技术的进一步改进，在“形成塑封层”之前还包括步骤：
[0022]在所述假片下表面设置一层绝缘层。
[0023]作为本专利技术的进一步改进，还包括步骤：
[0024]在所述第一介电层上开设至少一个位于芯片功能面绝缘区下方的第二通孔，将第一金属布线层通过第二通孔连接于所述绝缘区。
[0025]作为本专利技术的进一步改进，还包括步骤：
[0026]在所述第一介电层上开设至少一个位于塑封层区域下方的第三通孔，将第一金属布线层通过第三通孔连接于所述塑封层。
[0027]作为本专利技术的进一步改进，所述塑封层至少完全包覆所述假片的上表面。
[0028]作为本专利技术的进一步改进，在“形成塑封层”之前还包括步骤：
[0029]在所述假片上表面设置散热层。
[0030]作为本专利技术的进一步改进，在“形成塑封层”之前还包括步骤：
[0031]在所述假片上表面形成向内凹陷的空腔；
[0032]在所述空腔内表面设置散热层。
[0033]作为本专利技术的进一步改进，所述散热层至少厚于一层所述金属布线层。
[0034]作为本专利技术的进一步改进，等效长宽，该等效长宽与所述扇出型封装结构的长宽形成有效相对长宽比范围为0.5～1.5，或所述芯片和所述假片侧面X方向的塑封层面积与Y方向的塑封层面积比范围为0.5～1.5。
[0035]本专利技术的有益效果是：本专利技术通过在重布线层上设置假片，并将相邻于假片的第一层重布线层内的金属布线层与其相接，使得假片不仅能够起到结构支撑、抑制翘曲的作用，还能够形成连续的散热通道，提高扇出型封装结构的热管理能力
附图说明
[0036]图1是本专利技术实施例一中的扇出型封装结构示意图。
[0037]图2是本专利技术实施例一中的扇出型封装结构俯视图。
[0038]图3是本专利技术实施例二中的扇出型封装结构示意图。
[0039]图4是本专利技术实施例二中的扇出型封装结构俯视图。
[0040]图5是本专利技术实施例三中的扇出型封装结构示意图。
[0041]图6是本专利技术实施例三中的扇出型封装结构俯视图。
[0042]图7是本专利技术一实施方式中的扇出型封装结构制作方法流程示意图。
具体实施方式
[0043]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施方式及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
[0044]下面详细描述本专利技术的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0045]为方便说明，本文使用表示空间相对位置的术语来进行描述，例如“上”、“下”、“后”、“前”等，用来描述附图中所示的一个单元或者特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的装置翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“上方”的单元将位于其他单元或特征“下方”或“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括下方和上方这两种空间方位。
[0046]如图1所示，本专利技术提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出型封装结构，其包括至少一个芯片和设于芯片功能面侧的至少一层重布线层，所述重布线层包括介电层和分布于所述介电层内的金属布线层，其特征在于：所述扇出型封装结构还包括至少一个设置于所述重布线层上的假片，所述假片与所述芯片之间绝缘设置，所述金属布线层与所述假片之间接触设置。2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，相邻于所述假片的第一介电层内设置有至少一个位于所述假片下方的第一通孔，分布于所述第一介电层内的第一金属布线层通过所述第一通孔连接于所述假片。3.根据权利要求2所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述假片包括设置于其下表面的绝缘层，所述第一金属布线层连接于所述绝缘层。4.根据权利要求2所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述芯片功能面上包括多个焊盘和分布于所述焊盘之间的绝缘区，所述焊盘电性连接于所述第一金属布线层，所述第一介电层内设置有至少一个位于所述绝缘区下方的第二通孔，所述金属布线层通过所述第二通孔连接于所述绝缘区。5.根据权利要求2所述的扇出型封装结构，其特征在于，还包括塑封层，包覆所述芯片和所述假片，所述第一介电层内设置有至少一个位于所述塑封层区域下方的第三通孔，所述金属布线层通过所述第三通孔连接于所述塑封层。6.根据权利要求5所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述塑封层至少完全包覆所述假片的上表面。7.根据权利要求5所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述假片上表面设置有散热层，所述塑封层至少包覆所述散热层的侧面。8.根据权利要求5所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述假片上表面设置有向内凹陷的空腔，所述塑封层至少填充于所述空腔内。9.根据权利要求8所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述空腔表面设置有一层散热层。10.根据权利要求7或9所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述散热层至少厚于所述金属布线层。11.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述假片和所述芯片形成等效长宽，所述等效长宽与所述扇出型封装结构的长宽形成有效相对长宽比范围为0.5～1.5，或所述芯片和所述假片侧面X方向的塑封层面积与Y方向的塑封层面积比范围为0.5～1.5。12.一种扇出型封装结构制作方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：林耀剑，左健，杨丹凤，高英华，刘硕，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：