一种容积式锡膏喷射控制电路制造技术

本发明专利技术提供了一种容积式锡膏喷射控制电路，涉及控制电路技术领域，包括电机驱动模块、第一压电陶瓷驱动模块和第二压电陶瓷驱动模块，电机驱动模块包括电机驱动芯片U25与主控MCU连接，电机驱动芯片U25与电机连接，输出电机使能信号、电机运行速度控制信号和电机正反转控制信号给电机，控制电机的正反转和运行速度，使电机驱动螺杆对阀体和流道进行搅拌以及清洗；第一压电陶瓷驱动模块与主控MCU连接，第一压电陶瓷驱动模块与伸缩杆连接，用于接收主控MCU驱动信号后驱动伸缩杆打开或关闭流道锡膏的供料；第二压电陶瓷驱动模块与主控MCU连接，第二压电陶瓷驱动模块与撞针连接，用于接收主控MCU驱动信号后驱动撞针对阀体容积式腔体中的锡膏进行撞击喷射。体中的锡膏进行撞击喷射。体中的锡膏进行撞击喷射。

【技术实现步骤摘要】
一种容积式锡膏喷射控制电路


[0001]本专利技术涉及控制电路
，更具体的说，本专利技术涉及一种容积式锡膏喷射控制电路。

技术介绍

[0002]在点胶喷射行业中，锡膏喷射的应用需求越来越大，产生了各类锡膏喷射的应用产品，比如螺杆泵点锡膏应用，以及基于压电阀锡膏喷射应用。目前市面上使用的螺杆泵锡膏点胶基本都是接触式，点径大且不是很圆润，且频率效率也很低，由于是接触式的，存在拉丝现象，能实现的锡膏点径都比较粗，精度不够。而压电阀喷射锡膏，虽然效率提升了，但可达到的最小喷射锡膏点径一般也较大，精度不够，并且由于锡膏胶水的粘度比较大的，在通过气压推送针管供料，往往造成锡膏被挤压，导致锡膏沉淀在底部，随着不断进行喷射，锡膏胶量越来越少，最后进入阀体的胶水密度也越来增大，粘度也相应增大，稳定性就下降了。
[0003]本专利技术的容积式锡膏喷射控制电路结合螺杆泵和压电阀的优势，能很好的解决精度和稳定性的问题。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术的不足，本专利技术提供了一种容积式锡膏喷射控制电路。
[0005]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种容积式锡膏喷射控制电路，其改进之处在于：包括电机驱动模块、第一压电陶瓷驱动模块和第二压电陶瓷驱动模块，电机驱动模块包括电机驱动芯片U25，电机驱动芯片U25包括使能端口EN
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MOTOR、PWM端口CLK
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MOTOR_IN1和转向控制端口DIR
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MOTOR，使能端口EN
>‑
MOTORR与主控MCU连接，接收电机使能信号，PWM端口CLK
‑
MOTOR_IN1与主控MCU连接，接收电机运行速度控制信号，转向控制端口DIR
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MOTOR与主控MCU连接，接收电机正反转控制信号，电机驱动芯片U25与电机连接，输出电机使能信号、电机运行速度控制信号和电机正反转控制信号给电机，控制电机的正反转和运行速度，使电机驱动螺杆对阀体和流道进行搅拌以及清洗；第一压电陶瓷驱动模块与主控MCU连接，第一压电陶瓷驱动模块与伸缩杆连接，用于接收主控MCU驱动信号后驱动伸缩杆打开或关闭流道锡膏的供料；第二压电陶瓷驱动模块与主控MCU连接，第二压电陶瓷驱动模块与撞针连接，用于接收主控MCU驱动信号后驱动撞针对阀体容积式腔体中的锡膏进行撞击喷射。
[0006]在上述电路中，所述电机驱动模块还包括参考电压单元，所述电机驱动芯片U25还包括参考电压端口Vref_MOTOR，参考电压端口Vref_MOTOR与参考电压单元连接，用于接收参考电压。
[0007]在上述电路中，所述第一压电陶瓷驱动模块包括截止驱动芯片U16、N
‑
MOS管Q19、N
‑
MOS管Q20、二极管D36、自举电容C168和第一稳压单元，截止驱动芯片U16包括第一电源端口VCC、第一输入端口HIN、第一输入端口LIN、第一输出端口VB、第一输出端口HO、第一输出
端口VS和第一输出端口LO，
[0008]第一输入端口HIN和第一输入端口LIN与主控MCU连接，接收主控MCU的PWM驱动信号，第一输出端口HO与N
‑
MOS管Q19的栅极连接，第一输出端口LO与N
‑
MOS管Q20的栅极连接，第一电源端口VCC与二极管D36的正极连接，二极管D36的负极与自举电容C168连接，自举电容C168的另一端连接有第一连接点，该第一连接点与N
‑
MOS管Q19的源极连接，并与N
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MOS管Q20的漏极连接，第一连接点输出截止驱动正电压PZT
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A+，第一稳压单元与第一电源连接，稳压后输出截止驱动负电压PZT
‑
A
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，驱动伸缩杆。
[0009]在上述电路中，所述第二压电陶瓷驱动模块包括喷射驱动芯片U18、N
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MOS管Q21、N
‑
MOS管Q22、二极管D45、自举电容C181和第二稳压单元，喷射驱动芯片U18包括第二电源端口VCC、第二输入端口HIN、第二输入端口LIN、第二输出端口VB、第二输出端口HO、第二输出端口VS和第二输出端口LO，
[0010]第二输入端口HIN和第二输入端口LIN与主控MCU连接，接收主控MCU的PWM驱动信号，第二输出端口HO与N
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MOS管Q21的栅极连接，第二输出端口LO与N
‑
MOS管Q22的栅极连接，第二电源端口VCC与二极管D45的正极连接，二极管D45的负极与自举电容C181连接，自举电容C181的另一端连接有第二连接点，该第二连接点与N
‑
MOS管Q21的源极连接，并与N
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MOS管Q22的漏极连接，第二连接点输出喷射驱动正电压PZT
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B+，第二稳压单元与第一电源连接，稳压后输出喷射驱动负电压PZT
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B
‑
，驱动撞针。
[0011]在上述电路中，所述第一稳压单元包括电阻R235、电阻R240、分压电阻R245、分压电阻R246、稳压二极管Z3、滤波电容EC2和滤波电容EC4,电阻R235的一端与第一电源连接，另一端与电阻R240连接，电阻R240的另一端连接有第三连接点，该第三连接点与稳压二极管Z3的负极连接，并与分压电阻R245和分压电阻R246的一端电性连接，第三连接点输出截止驱动负电压PZT
‑
A
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；
[0012]稳压二极管Z3的正极连接有第四连接点，该第四连接点与分压电阻R245和分压电阻R246的另一端连接；
[0013]滤波电容EC2和滤波电容EC4的一端与所述第三连接点连接，另一端与所述第四连接点连接。
[0014]在上述电路中，所述第一压电陶瓷驱动模块还包括第一监测单元，第一监测单元包括电阻R248，电阻R248的一端与所述第四连接点连接，并输出监测电压PZT
‑
A
‑
I，电阻R248的另一端接地。
[0015]在上述电路中，所述第一压电陶瓷驱动模块还包括时钟芯片U17，时钟芯片U17与所述自举电容C168连接，用于给自举电容C168提供稳定电压。
[0016]在上述电路中，所述第二稳压单元包括电阻R123、电阻R129、分压电阻R265、分压电阻R266、稳压二极管Z9,电阻R123的一端与第一电源连接，另一端与电阻R129连接，电阻R129的另一端连接有第五连接点，该第五连接点与稳压二极管Z9的负极连接，并与分压电阻R265和分压电阻R266的一端电性连接，第五连接点输出喷射驱动负电压PZT
‑
B
‑
；
[0017]稳压二极管Z9的正极连接有第六连接点，该第六连接点与分压电阻R265和分压电阻R266的另一端连接。
[0018]在上述电路中，所述第二稳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种容积式锡膏喷射控制电路，其特征在于：包括电机驱动模块、第一压电陶瓷驱动模块和第二压电陶瓷驱动模块，电机驱动模块包括电机驱动芯片U25，电机驱动芯片U25包括使能端口EN
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MOTOR、PWM端口CLK
‑
MOTOR_IN1和转向控制端口DIR
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MOTOR，使能端口EN
‑
MOTORR与主控MCU连接，接收电机使能信号，PWM端口CLK
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MOTOR_IN1与主控MCU连接，接收电机运行速度控制信号，转向控制端口DIR
‑
MOTOR与主控MCU连接，接收电机正反转控制信号，电机驱动芯片U25与电机连接，输出电机使能信号、电机运行速度控制信号和电机正反转控制信号给电机，控制电机的正反转和运行速度，使电机驱动螺杆对阀体和流道进行搅拌以及清洗；第一压电陶瓷驱动模块与主控MCU连接，第一压电陶瓷驱动模块与伸缩杆连接，用于接收主控MCU驱动信号后驱动伸缩杆打开或关闭流道锡膏的供料；第二压电陶瓷驱动模块与主控MCU连接，第二压电陶瓷驱动模块与撞针连接，用于接收主控MCU驱动信号后驱动撞针对阀体容积式腔体中的锡膏进行撞击喷射。2.如权利要求1所述的一种容积式锡膏喷射控制电路，其特征在于：所述电机驱动模块还包括参考电压单元，所述电机驱动芯片U25还包括参考电压端口Vref_MOTOR，参考电压端口Vref_MOTOR与参考电压单元连接，用于接收参考电压。3.如权利要求1所述的一种容积式锡膏喷射控制电路，其特征在于：所述第一压电陶瓷驱动模块包括截止驱动芯片U16、N
‑
MOS管Q19、N
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MOS管Q20、二极管D36、自举电容C168和第一稳压单元，截止驱动芯片U16包括第一电源端口VCC、第一输入端口HIN、第一输入端口LIN、第一输出端口VB、第一输出端口HO、第一输出端口VS和第一输出端口LO，第一输入端口HIN和第一输入端口LIN与主控MCU连接，接收主控MCU的PWM驱动信号，第一输出端口HO与N
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MOS管Q19的栅极连接，第一输出端口LO与N
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MOS管Q20的栅极连接，第一电源端口VCC与二极管D36的正极连接，二极管D36的负极与自举电容C168连接，自举电容C168的另一端连接有第一连接点，该第一连接点与N
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MOS管Q19的源极连接，并与N
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MOS管Q20的漏极连接，第一连接点输出截止驱动正电压PZT
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A+，第一稳压单元与第一电源连接，稳压后输出截止驱动负电压PZT
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A
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，驱动伸缩杆。4.如权利要求3所述的一种容积式锡膏喷射控制电路，其特征在于：所述第二压电陶瓷驱动模块包括喷射驱动芯片U18、N
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MOS管Q21、N
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MOS管Q22、二极管D45、自举电容C181和第二稳压单元，喷射驱动芯片U18包括第二电源端口VCC、第二输入端口HIN、第二输入端口LIN、第二输出端口VB、第二输出端口HO、第二输出端口VS和第二输出端口LO，第二输入端口HIN和第二输入端口LIN与主控MCU连接，接收主控MCU的PWM驱动信号，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张定岩，
申请(专利权)人：深圳市轴心压电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：