存储器的控制方法、存储器及存储器系统技术方案

本公开实施例提供了一种存储器的控制方法、存储器及存储器系统。所述存储器包括多个存储单元，每个所述存储单元被配置为存储N位数据，其中，N为大于1的整数；所述方法包括：基于目标逻辑页对应的读取电压执行读取操作，得到所述目标逻辑页的硬读取值和软读取值，并将所述硬读取值、所述软读取值和禁止信息分别存储至页缓冲器中的三个锁存器中；基于所述目标逻辑页的所述硬读取值，得到所述目标逻辑页的硬数据；基于所述目标逻辑页的所述硬数据和所述软读取值，得到所述目标逻辑页的软数据。得到所述目标逻辑页的软数据。得到所述目标逻辑页的软数据。

【技术实现步骤摘要】
存储器的控制方法、存储器及存储器系统


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种存储器的控制方法、存储器及存储器系统。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，目前存储器制造技术已经逐步从简单的平面结构过渡到较为复杂的三维结构，通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。这种三维存储器件的技术研发是国际研发的主流之一。
[0003]然而，为了读取存储单元的硬数据和软数据，所需的读取时间较长，且读取过程中需要占用较多的锁存器。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种存储器的控制方法、存储器及存储器系统。
[0005]为达到上述目的，本公开实施例的技术方案是这样实现的：
[0006]本公开实施例的第一方面提供了一种存储器的控制方法，所述存储器包括多个存储单元，每个所述存储单元被配置为存储N位数据，其中，N为大于1的整数；所述方法包括：
[0007]基于目标逻辑页对应的读取电压执行读取操作，得到所述目标逻辑页的硬读取值和软读取本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的控制方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储单元，每个所述存储单元被配置为存储N位数据，其中，N为大于1的整数；所述方法包括：基于目标逻辑页对应的读取电压执行读取操作，得到所述目标逻辑页的硬读取值和软读取值，并将所述硬读取值、所述软读取值和禁止信息分别存储至页缓冲器中的三个锁存器中；基于所述目标逻辑页的所述硬读取值，得到所述目标逻辑页的硬数据；基于所述目标逻辑页的所述硬数据和所述软读取值，得到所述目标逻辑页的软数据。2.根据权利要求1所述的存储器的控制方法，其特征在于，所述页缓冲器包括主锁存器、偏置锁存器和N个数据锁存器；所述将所述硬读取值、所述软读取值和禁止信息分别存储至页缓冲器中的三个锁存器中，包括：将所述硬读取值、所述软读取值和所述禁止信息分别存储至所述偏置锁存器、所述N个数据锁存器中的第一数据锁存器和所述主锁存器中；或者，将所述硬读取值、所述软读取值和所述禁止信息分别存储至所述N个数据锁存器中的第一数据锁存器、所述偏置锁存器和所述主锁存器中。3.根据权利要求2所述的存储器的控制方法，其特征在于，所述方法还包括：在得到所述硬数据之后，释放所述主锁存器；在得到所述软数据之后，将所述软数据存储至所述主锁存器中。4.根据权利要求3所述的存储器的控制方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述硬数据从所述偏置锁存器或所述第一数据锁存器转储至所述N个数据锁存器中的第二数据锁存器中，将所述软数据从所述主锁存器转储至所述N个数据锁存器中的第三数据锁存器中，并释放所述偏置锁存器、所述第一数据锁存器和所述主锁存器。5.根据权利要求1所述的存储器的控制方法，其特征在于，每个所述目标逻辑页对应至少一个所述读取电压；所述基于目标逻辑页对应的读取电压执行读取操作，得到所述目标逻辑页的硬读取值和软读取值，包括：对所述存储单元施加每个所述读取电压后，通过连续的第一感测和第二感测分别得到对应于该读取电压的所述硬读取值和所述软读取值；所述第一感测的感测时间小于所述第二感测的感测时间。6.根据权利要求1所述的存储器的控制方法，其特征在于，N为3时，每个所述存储单元被配置为以23个存储状态中的一个存储状态存储3位数据；第一读取电压至第七读取电压被用于区分所述23个存储状态。7.根据权利要求6所述的存储器的控制方法，其特征在于，N为3时，3个逻辑页中的第一逻辑页对应第一读取电压和第五读取电压；3个逻辑页中的第二逻辑页对应第二读取电压、第四读取电压和第六读取电压；3个逻辑页中的第三逻辑页对应第三读取电压和第七读取电压；其中，所述第一读取电压至所述第七读取电压依次增大。8.根据权利要求7所述的存储器的控制方法，其特征在于，所述目标逻辑页为所述第一逻辑页时，所述基于目标逻辑页对应的读取电压执行读取操作，得到所述目标逻辑页的硬读取值和软读取值，包括：对所述存储单元施加所述第一读取电压；通过连续的第一感测和第二感测分别得到第一硬读取值和第一软读取值；所述第一感
测的感测时间小于所述第二感测的感测时间；对所述存储单元施加所述第五读取电压；通过连续的第三感测和第四感测分别得到第二硬读取值和第二软读取值；所述第三感测的感测时间小于所述第四感测的感测时间；所述第一硬读取值和所述第二硬读取值构成所述第一逻辑页的所述硬读取值；所述第一软读取值和所述第二软读取值构成所述第一逻辑页的所述软读取值。9.根据权利要求1所述的存储器的控制方法，其特征在于，所述基于目标逻辑页对应的读取电压执行读取操作，得到所述目标逻辑页的硬读取值和软读取值，包括：对所述存储单元分别施加硬读取电压和软读取电压，以分别得到所述目标逻辑页的硬读...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建杰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：