量子点发光器件及其制备方法与显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种量子点发光器件及其制备方法与显示装置，所述量子点发光器件包括：阳极、设置于阳极上的功能层以及设置于功能层远离阳极一侧的阴极，功能层包括层叠设置的电子传输辅助层和量子点发光层，其中电子传输辅助层靠近阳极，量子点发光层靠近阴极，电子传输辅助层的材料包括金属氯化物和金属氧化物，金属氧化物能促使电子加速富集于所述空穴传输层，金属氯化物的绝缘性质能使电子暂时地快速富集于电子传输辅助层，并当形成预设的电势后能将电子转移至所述空穴传输层，从而使量子点发光器件在低亮度、低电流的条件下也可实现电子

【技术实现步骤摘要】
量子点发光器件及其制备方法与显示装置


[0001]本申请涉及光电
，具体涉及一种量子点发光器件及其制备方法与显示装置。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)属于量子点发光器件，具有发射光谱可调、发光光谱窄、发光效率高等优点。QLED显示面板是当前显示
的研究热点之一，相较于传统的液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)和有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板，QLED显示面板在色纯度和色饱和度上具有显著的竞争优势。
[0003]目前，QLED仍处于技术不成熟阶段，效率滚降是限制QLED应用的主要原因。显示面板往往需要在低亮度下运行，而QLED在低亮度下存在电流效率低和外部量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)低的问题，从而会对QLED的能耗和发光效率造成负面影响。造成前述问题的主要原因在于：QLED的正常运行需满足电子
‑
空穴传输平衡的条件，而QLED在通电后需要累积一定量的电子才能达到电子
‑
空穴传输平衡，即由于QLED通常电子注入强于空穴注入，所以达到电子
‑
空穴传输平衡的前提条件是过量注入电子并使注入的电子富集于空穴传输层以形成一定的电子抑制效果，基于此，因为低亮度下的电子注入量较少，所以电子无法过量富集于空穴传输层，从而电子
‑r/>空穴注入失衡，导致QLED的发光效率下降，出现低亮度下效率滚降的问题。
[0004]因此，如何提高QLED在低亮度下的电流效率和EQE是目前QLED显示
亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中存在的问题，本申请提供了一种量子点发光器件及其制备方法与显示装置，以改善现有量子点发光器件在低亮度、低电流的条件下效率滚降的问题。
[0006]本申请的技术方案如下：
[0007]第一方面，本申请提供了一种量子点发光器件，所述量子点发光器件包括：
[0008]阳极；
[0009]功能层，设置于所述阳极上；以及
[0010]阴极，设置于所述功能层远离所述阳极的一侧；
[0011]其中，所述功能层包括层叠设置的电子传输辅助层和量子点发光层，所述电子传输辅助层靠近所述阳极，所述量子点发光层靠近所述阴极；
[0012]所述电子传输辅助层的材料包括金属氯化物和金属氧化物。
[0013]在本申请的一些实施例中，所述量子点发光层中量子点的电子注入能级为－4.0电子伏特至－3.5电子伏特，所述金属氧化物的导带顶能级为－4.3电子伏特至－2.8电子伏特。
[0014]在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物的导带顶能级与所述量子点发光层中量子点的电子注入能级差值不大于0.3电子伏特；和/或，所述金属氧化物的禁带宽度大于0.5电子伏特。
[0015]在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物的金属元素以及所述金属氯化物的金属元素彼此独立地选自镁、钛、钙、锶或铝。
[0016]在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物的金属元素与所述金属氯化物的金属元素相同。
[0017]在本申请的一些实施例中，所述功能层还包括空穴传输层和电子传输层，所述空穴传输层设置于所述阳极与所述电子传输辅助层之间，所述电子传输层设置于所述量子点发光层与所述阴极之间。
[0018]在本申请的一些实施例中，所述电子传输层的材料为掺杂有2％至15％摩尔百分数的镁的氧化锌纳米材料，所述氧化锌纳米材料包括氧化锌纳米颗粒；在所述电子传输辅助层中，所述金属氧化物为氧化镁，所述金属氯化物为氯化镁。
[0019]在本申请的一些实施例中，所述量子点发光层的材料包括油溶性量子点以及连接于所述油溶性量子点表面的配体，所述配体包括酸配体、硫醇配体、胺配体、(氧)膦配体、磷脂、卵磷脂以及聚乙烯基吡啶中的一种或多种。
[0020]在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物在所述电子传输辅助层的材料中的摩尔百分比为50％至80％，且所述金属氯化物在所述电子传输辅助层的材料中的摩尔百分比为20％至50％。
[0021]第二方面，本申请提供了一种量子点发光器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
[0022]提供基板，所述基板包括第一电极，所述第一电极被预定义为阳极或阴极；以及
[0023]在所述第一电极的一侧制备形成电子传输辅助层、量子点发光层和第二电极，所述第二电极被配置为与所述第一电极的极性相反，且所述电子传输辅助层靠近所述阳极，所述量子点发光层靠近所述阴极；
[0024]其中，当所述第一电极为阳极且所述第二电极为阴极时，所述在所述第一电极的一侧制备形成电子传输辅助层、量子点发光层和第二电极包括步骤：
[0025]在所述第一电极的一侧原位沉积形成所述电子传输辅助层；
[0026]在所述电子传输辅助层远离所述第一电极的一侧制备形成所述量子点发光层；以及
[0027]在所述量子点发光层远离所述电子传输辅助层的一侧制备形成所述第二电极；
[0028]当所述第一电极为阴极且所述第二电极为阳极时，所述在所述第一电极的一侧制备形成电子传输辅助层、量子点发光层和第二电极包括步骤：
[0029]在所述第一电极的一侧制备形成所述量子点发光层；
[0030]在所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧原位沉积形成所述电子传输辅助层；以及
[0031]在所述电子传输辅助层远离所述量子点发光层的一侧制备形成所述第二电极。
[0032]在本申请的一些实施例中，所述电子传输辅助层的原位沉积方法包括步骤，包括：
[0033]将含有金属氯化物的溶液施加至所述第一电极的一侧或所述量子点发光层远离
所述第一电极的一侧，并流平，以使所述第一电极的一侧或所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧浸润所述含有金属氯化物的溶液，获得经浸润处理的所述第一电极或所述量子点发光层；以及
[0034]将含有碱的溶液施加至所述经浸润处理的第一电极或量子点发光层，以将所述金属氯化物中的部分金属离子转化为金属氢氧化物沉淀，然后将所述金属氢氧化物沉淀脱氢生成金属氧化物，获得所述电子传输辅助层。。
[0035]在本申请的一些实施例中，所述含有金属氯化物的溶液包括所述金属氯化物和第一溶剂，所述含有碱的溶液包括所述碱和第二溶剂，其中，所述第一溶剂和所述第二溶剂均为极性有机溶剂。
[0036]在本申请的一些实施例中，所述第一溶剂和所述第二溶剂相同。
[0037]第三方面，本申请提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第一方面中任意一种所述的量子点发光器件，或如第二方面中任意一种所述的制备方法制得的量子点发光器件。
[0038]有益效果：本申请提供了一种量子点发光器件及其制备方法与显示装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括：阳极；功能层，设置于所述阳极上；以及阴极，设置于所述功能层远离所述阳极的一侧；其中，所述功能层包括层叠设置的电子传输辅助层和量子点发光层，所述电子传输辅助层靠近所述阳极，所述量子点发光层靠近所述阴极；所述电子传输辅助层的材料包括金属氯化物和金属氧化物。2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光层中量子点的电子注入能级为－4.0电子伏特至－3.5电子伏特，所述金属氧化物的导带顶能级为－4.3电子伏特至－2.8电子伏特。3.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述金属氧化物的导带顶能级与所述量子点发光层中量子点的电子注入能级差值不大于0.3电子伏特；和/或，所述金属氧化物的禁带宽度大于0.5电子伏特。4.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述金属氧化物的金属元素以及所述金属氯化物的金属元素彼此独立地选自镁、钛、钙、锶或铝。5.根据权利要求4所述的量子点发光器件，其特征在于，所述金属氧化物的金属元素与所述金属氯化物的金属元素相同。6.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述功能层还包括空穴传输层和电子传输层，所述空穴传输层设置于所述阳极与所述电子传输辅助层之间，所述电子传输层设置于所述量子点发光层与所述阴极之间。7.根据权利要求6所述的量子点发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为掺杂有2％至15％摩尔百分数的镁的氧化锌纳米材料，所述氧化锌纳米材料包括氧化锌纳米颗粒；在所述电子传输辅助层中，所述金属氧化物为氧化镁，所述金属氯化物为氯化镁。8.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光层的材料包括油溶性量子点以及连接于所述油溶性量子点表面的配体，所述配体包括酸配体、硫醇配体、胺配体、(氧)膦配体、磷脂、卵磷脂以及聚乙烯基吡啶中的一种或多种。9.根据权利要求1至8任一项中所述的量子点发光器件，其特征在于，所述电子传输辅助层中，所述金属氧化物的摩尔百分比为50％至80％，且所述金属氯化物的摩尔百分比为20％至50％。10.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：提...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴劲衡，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：