发光层、发光元件及显示面板制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种发光层、发光元件及显示面板，该发光层包括：第一主体材料、第二主体材料、客体材料以及辅助材料；其中，该第一主体材料与该第二主体材料形成激基复合物；该辅助材料的第一激发三重态能级低于该激基复合物的第一激发三重态能级，该辅助材料的第一激发三重态能级高于该客体材料的第一激发三重态能级。本发明专利技术通过辅助材料的加入，并且辅助材料的第一激发三重态能级介于激基复合物和客体材料的第一激发三重态能级之间，增加了能量从激基复合物转移至客体材料的路径，减少了改能量转移过程中的能量损失，保证了发光元件的发光效率的同时延长了发光元件的使用寿命。命。命。

【技术实现步骤摘要】
发光层、发光元件及显示面板


[0001]本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种发光层、发光元件及显示面板。

技术介绍

[0002]目前，有机发光元件由于具有薄型、轻量化、对输入信号的高速响应以及实现直流低电压驱动等优异性质而在显示领域受到广泛关注。使用有机发光元件的显示面板具有出色的显示能力、低的功率消耗以及优越的弯折性能。随着具有有机发光元件的显示面板的发展，用户需求的提升，有机发光元件的发光效率以及使用寿命的提升是包括有机发光元件的显示面板的竞争力提升的一大关键。现有的有机发光元件的发光效率和使用寿命往往呈现竞争关系，延长有机发光元件的寿命需要牺牲有机发光元件的发光效率，例如：设计并使用小的单线态
‑
三线态能隙材料的方法，该方法存在主体材料与客体材料之间能量传递的扭转的问题，进而导致发光元件的发光效率的降低。
[0003]因此，亟需一种发光层、发光元件以及显示面板以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种发光层、发光元件及显示面板，可以缓解目前无法在提升发光元件的寿命的同时保证发光元件的发光效率的技术问题。
[0005]本专利技术提供一种发光层，包括：
[0006]一对电极；
[0007]位于所述一对电极之间的发光层，所述发光层包括第一主体材料、第二主体材料、客体材料以及辅助材料；
[0008]其中，所述第一主体材料与所述第二主体材料形成激基复合物；
[0009]所述辅助材料的第一激发三重态能级低于所述激基复合物的第一激发三重态能级，所述辅助材料的第一激发三重态能级高于所述客体材料的第一激发三重态能级。
[0010]优选的，所述辅助材料的最高已占分子轨道能级高于所述第一主体材料的最高已占分子轨道能级，所述辅助材料的，所述辅助材料的最高已占分子轨道能级高于所述第二主体材料的最高已占分子轨道能级，所述辅助材料的最高已占分子轨道能级低于所述客体材料的最高已占分子轨道能级。
[0011]优选的，所述辅助材料的最低未占分子轨道能级低于所述第一主体材料的最低未占分子轨道能级，所述辅助材料的最低未占分子轨道能级低于所述第二主体材料的最低未占分子轨道能级，所述辅助材料的最低未占分子轨道能级高于所述客体材料的最低未占分子轨道能级。
[0012]优选的，所述第一主体材料的第一激发单重态能级高于所述辅助材料的第一激发单重态能级，所述第二主体材料的第一激发单重态能级高于所述辅助材料的第一激发单重态能级，所述辅助材料的第一激发单重态能级高于所述客体材料的第一激发单重态能级。
[0013]优选的，所述辅助材料在400纳米～550纳米范围内的第一吸收带与所述客体材料
在400纳米～550纳米范围内的第二吸收带重叠，所述激基复合物在400纳米～550纳米范围内具有第一发射带；
[0014]其中，所述第一发射带与所述第一吸收带至少部分重叠，所述第一发射带与所述第二吸收带至少部分重叠，所述第一吸收带与所述第二吸收带至少部分重叠。
[0015]优选的，所述辅助材料在400纳米～550纳米范围内具有第一吸收峰，所述客体材料在400纳米～550纳米范围内具有第二吸收峰，所述第一吸收峰的峰值波长小于所述第二吸收峰的峰值波长；
[0016]在第一温度下，所述激基复合物具有第一发射峰，所述第一发射峰的峰值波长大于或等于所述第二吸收峰的峰值波长。
[0017]优选的，在所述第一温度下，所述第一发射峰的峰值波长与所述第一吸收峰的峰值波长之间的差值大于或等于60纳米，所述第一发射峰的峰值波长与所述第二吸收峰的峰值波长之间的差值小于或等于30纳米。
[0018]优选的，在第一温度下，所述辅助材料的发射峰的峰值波长大于所述激基复合物的发射峰的峰值波长，所述辅助材料的发射峰的峰值波长小于所述客体材料的发射峰的峰值波长。
[0019]优选的，在所述第一温度下，所述辅助材料的发射峰的峰值波长与所述激基复合物的发射峰的峰值波长之间的差值大于或等于所述客体材料的发射峰的峰值波长与所述辅助材料的发射峰值的波长。
[0020]优选的，在所述第一温度下，所述辅助材料的发射峰的峰值波长与所述激基复合物的发射峰的峰值波长之间的差值小于或等于30纳米，所述客体材料的发射峰的峰值波长与所述辅助材料的发射峰的峰值波长小于或等于10纳米。
[0021]优选的，所述辅助材料以及所述客体材料分别选自铂、铱或锇的有机金属化合物中的一种。
[0022]优选的，所述客体材料为铂或铱的有机金属化合物，所述辅助材料为与所述客体材料不同的铂或铱的有机金属化合物；或者，
[0023]所述客体材料为锇的有机金属化合物，所述辅助材料为锇的有机金属化合物。
[0024]优选的，所述第一主体材料以及所述第二主体材料占所述发光层的体积分数的80％～99.8％，所述客体材料占所述发光层的体积分数的0.1％～10％，所述辅助材料占所述发光层的体积分数的0.1％～10％。
[0025]优选的，在第一温度下，所述发光元件发出的光的峰值波长在500纳米～700纳米。
[0026]优选的，在第一温度下，所述发光元件发出的光的峰值波长在500纳米～560纳米。
[0027]本专利技术还提供一种发光元件，包括：
[0028]一对电极，包括第一电极以及第二电极；
[0029]位于所述一对电极之间的发光层，所述发光层包括第一主体材料、第二主体材料、客体材料以及辅助材料；
[0030]其中，所述第一主体材料与所述第二主体材料形成激基复合物；
[0031]所述辅助材料的第一激发三重态能级低于所述激基复合物的第一激发三重态能级，所述辅助材料的第一激发三重态能级高于所述客体材料的第一激发三重态能级；
[0032]所述第一主体材料为空穴传输性有机化合物，所述第二主体材料为电子传输性质
化合物，所述第一主体材料的种类包括：芳香族胺化合物或咔唑化合物，所述第二主体材料的种类包括：杂芳族化合物。
[0033]优选的，所述第一主体材料的迁移率为1.29*10^(
‑
7)[m2/(V
·
s)]至1.93*10^(
‑
7)[m2/(V
·
s)]，所述第二主体材料的迁移率为6.4*10^(
‑
8)[m2/(V
·
s)]至9.6*10^(
‑
8)[m2/(V
·
s)]。
[0034]优选的，所述第一主体材料的迁移率为1.61*10^(
‑
7)[m2/(V
·
s)]，所述第二主体材料的迁移率为8*10^(
‑
8)[m2/(V
·
s)]。
[0035]优选的，所述第一主体材料与所述第二主体材料的掺杂比为5:5至7:3。
[0036]优选的，所述发光元件还包括：
[0037本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光层，其特征在于，包括：第一主体材料、第二主体材料、客体材料以及辅助材料；其中，所述第一主体材料与所述第二主体材料形成激基复合物；所述辅助材料的第一激发三重态能级低于所述激基复合物的第一激发三重态能级，所述辅助材料的第一激发三重态能级高于所述客体材料的第一激发三重态能级。2.根据权利要求1所述的发光层，其特征在于，所述辅助材料的最高已占分子轨道能级高于所述第一主体材料的最高已占分子轨道能级，所述辅助材料的，所述辅助材料的最高已占分子轨道能级高于所述第二主体材料的最高已占分子轨道能级，所述辅助材料的最高已占分子轨道能级低于所述客体材料的最高已占分子轨道能级。3.根据权利要求2所述的发光层，其特征在于，所述辅助材料的最低未占分子轨道能级低于所述第一主体材料的最低未占分子轨道能级，所述辅助材料的最低未占分子轨道能级低于所述第二主体材料的最低未占分子轨道能级，所述辅助材料的最低未占分子轨道能级高于所述客体材料的最低未占分子轨道能级。4.根据权利要求1所述的发光层，其特征在于，所述第一主体材料的第一激发单重态能级高于所述辅助材料的第一激发单重态能级，所述第二主体材料的第一激发单重态能级高于所述辅助材料的第一激发单重态能级，所述辅助材料的第一激发单重态能级高于所述客体材料的第一激发单重态能级。5.根据权利要求1所述的发光层，其特征在于，所述辅助材料在400纳米～550纳米范围内的第一吸收带与所述客体材料在400纳米～550纳米范围内的第二吸收带重叠，所述激基复合物在400纳米～550纳米范围内具有第一发射带；其中，所述第一发射带与所述第一吸收带至少部分重叠，所述第一发射带与所述第二吸收带至少部分重叠，所述第一吸收带与所述第二吸收带至少部分重叠。6.根据权利要求5所述的发光层，其特征在于，所述辅助材料在400纳米～550纳米范围内具有第一吸收峰，所述客体材料在400纳米～550纳米范围内具有第二吸收峰，所述第一吸收峰的峰值波长小于所述第二吸收峰的峰值波长；在第一温度下，所述激基复合物具有第一发射峰，所述第一发射峰的峰值波长大于或等于所述第二吸收峰的峰值波长。7.根据权利要求6所述的发光层，其特征在于，在所述第一温度下，所述第一发射峰的峰值波长与所述第一吸收峰的峰值波长之间的差值大于或等于60纳米，所述第一发射峰的峰值波长与所述第二吸收峰的峰值波长之间的差值小于或等于30纳米。8.根据权利要求1所述的发光层，其特征在于，在第一温度下，所述辅助材料的发射峰的峰值波长大于所述激基复合物的发射峰的峰值波长，所述辅助材料的发射峰的峰值波长小于所述客体材料的发射峰的峰值波长。9.根据权利要求8所述的发光层，其特征在于，在所述第一温度下，所述辅助材料的发射峰的峰值波长与所述激基复合物的发射峰的峰值波长之间的差值大于或等于所述客体材料的发射峰的峰值波长与所述辅助材料的发射峰值的波长。10.根据权利要求9所述的发光层，其特征在于，在所述第一温度下，所述辅助材料的发射峰的峰值波长与所述激基复合物的发射峰的峰值波长之间的差值小于或等于30纳米，所述客体材料的发射峰的峰值波长与所述辅助材料的发射峰的峰值波长小于或等于10纳米。
11.根据权利要求1所述的发光层，其特征在于，所述辅助材料以及所述客体材料分别选自铂、铱或锇的有机金属化合物中的一种。12.根据权利要求11所述的发光层，其特征在于，所述客体材料为铂或铱的有机金属化合物，所述辅助材料为与所述客体材料不同的铂或铱的有机金属化合物；或者，所述客体材料为锇的有机金属化合物，所述辅助材料为锇的有机金属化合物。13.根据权利要求1所述的发光层，其特征在于，所述第一主体材料以及所述第二主体材料占所述发光层的体积分数的80％～99.8％，所述客体材料占所述发光层的体积分数的0.1％～10％，所述辅助材料占所述发光层的体积分数的0.1％～10％。14.根据权利要求1所述的发光层，其特征在于，在第一温度下，所述发光元件发...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宇，袁莉，杨杰，李们在，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：