一种蓝光发光器件、其制作方法及显示装置制造方法及图纸

本公开实施例公开了一种蓝光发光器件、其制作方法及显示装置，蓝光发光器件包括层叠设置的空穴传输层、电子阻挡层和发光层，电子阻挡层包括第一材料和第二材料，第一材料的迁移率为第一迁移率，第二材料的迁移率为第二迁移率；空穴传输层的迁移率大于第一材料的迁移率，且空穴传输层的迁移率大于第二材料的迁移率；其中，空穴传输层的材料结构通式为第一材料和第二材料的结构通式均为且第一材料和第二材料具有不同的键能；n为0或1。n为0或1。n为0或1。

【技术实现步骤摘要】
一种蓝光发光器件、其制作方法及显示装置


[0001]本公开涉及显示
，特别涉及一种蓝光发光器件、其制作方法及显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管显示装置具有色域宽、固态发光、能够做成柔性显示装置等优点得到了广泛的应用。
[0003]通常，有机发光二极管显示装置的像素单元包括红色有机发光二极管、蓝色有机发光二极管和绿色有机发光二极管。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供的一种蓝光发光器件，包括层叠设置的空穴传输层、电子阻挡层和发光层，所述电子阻挡层包括第一材料和第二材料，所述第一材料的迁移率为第一迁移率，所述第二材料的迁移率为第二迁移率；所述空穴传输层的迁移率大于所述第一材料的第一迁移率，且所述空穴传输层的迁移率大于所述第二材料的第二迁移率；其中，
[0005]所述空穴传输层的材料结构通式为所述第一材料和所述第二材料的结构通式均为且所述第一材料和所述第二材料具有不同的键能；
[0006]其中，Ar1、Ar2、Ar4、Ar5、Ar6独立地选自：氢、氘、卤素、氰基、硝基、碳原子数为1
‑
39的烷基、碳原子数为2
‑
39烯基、碳原子数为2
‑
39的炔基、碳原子数为6
‑
39的芳基、碳原子数为5
‑
60的杂芳基、碳原子数为6
‑
60的芳氧基、碳原子数为1
‑
39的烷氧基、碳原子数为6
‑
39的芳胺基、碳原子数为3
>‑
39的环烷基、碳原子数为3
‑
39的杂环烷基、碳原子数为1
‑
39的烷基甲硅烷；
[0007]R1、R2独立地选自：氢、碳原子数为1
‑
39的烷基；
[0008]n为0或1。
[0009]可选地，在本公开实施例提供的上述蓝光发光器件中，所述电子阻挡层为单层结构，所述电子阻挡层的材料为所述第一材料和所述第二材料的混合材料。
[0010]可选地，在本公开实施例提供的上述蓝光发光器件中，所述电子阻挡层包括：靠近所述空穴传输层的第一电子阻挡层，以及位于所述第一电子阻挡层和所述发光层之间的第
二电子阻挡层；所述第一电子阻挡层的材料为所述第一材料，所述第二电子阻挡层的材料为所述第二材料；其中，
[0011]所述第一迁移率大于所述第二迁移率；
[0012]所述第二材料的键能大于所述第一材料的键能。
[0013]可选地，在本公开实施例提供的上述蓝光发光器件中，所述空穴传输层的迁移率/所述第一迁移率＞10，所述空穴传输层的迁移率/所述第二迁移率＞10，所述第一迁移率/所述第二迁移率＞1。
[0014]可选地，在本公开实施例提供的上述蓝光发光器件中，所述空穴传输层的迁移率在1
×
10
‑6～9.9
×
10
‑3之间，所述第一迁移率在1
×
10
‑8～1
×
10
‑4之间，所述第二迁移率在1
×
10
‑9～1
×
10
‑5之间。
[0015]可选地，在本公开实施例提供的上述蓝光发光器件中，所述第一材料的正电键能大于或等于2.8eV，所述第一材料的负电键能大于或等于0.8eV；
[0016]所述第二材料的正电键能大于或等于3eV，所述第二材料的负电键能大于或等于1eV。
[0017]可选地，在本专利技术实施例提供的上述蓝光发光器件中，所述空穴传输层的HOMO能级在
‑
5.6eV～
‑
5.2eV之间。
[0018]可选地，在本公开实施例提供的上述蓝光发光器件中，所述空穴传输层的材料的分子量大于或等于550。
[0019]可选地，在本公开实施例提供的上述蓝光发光器件中，所述第一材料的HOMO能级和所述第二材料的HOMO能级之差小于或等于0.2eV。
[0020]可选地，在本公开实施例提供的上述蓝光发光器件中，所述第一材料和所述第二材料的分子量均大于或等于450。
[0021]可选地，在本公开实施例提供的上述蓝光发光器件中，所述空穴传输层的材料为可选地，在本公开实施例提供的上述蓝光发光器件中，所述空穴传输层的材料为
[0022]可选地，在本公开实施例提供的上述蓝光发光器件中，所述第一材料和所述第二材料互为同分异构体。
[0023]可选地，在本公开实施例提供的上述蓝光发光器件中，所述第一材料的结构为所述第二材料的结构为
[0024]可选地，在本公开实施例提供的上述蓝光发光器件中，所述第一材料的结构为所述第二材料的结构为
[0025]或，所述第一材料的结构为所述第二材料的结构为
[0026]或，所述第一材料的结构为所述第二材料的结构为
[0027]或，所述第一材料的结构为所述第二材料的结构为
[0028]可选地，在本公开实施例提供的上述蓝光发光器件中，还包括：位于所述空穴传输层背离所述发光层一侧的阳极，位于所述发光层背离所述空穴传输层一侧的空穴阻挡层，位于所述空穴阻挡层背离所述空穴传输层一侧的电子传输层，位于所述电子传输层背离所述空穴传输层一侧的电子注入层，以及位于所述电子注入层背离所述空穴传输层一侧的阴
极。
[0029]相应地，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的蓝光发光器件。
[0030]相应地，本公开实施例还提供了一种上述任一项所述的蓝光发光器件的制作方法，包括：
[0031]制作层叠设置的空穴传输层、电子阻挡层和发光层；其中，所述电子阻挡层包括第一材料和第二材料，所述第一材料的迁移率为第一迁移率，所述第二材料的迁移率为第二迁移率；所述空穴传输层的迁移率大于所述第一材料的迁移率，所述空穴传输层的迁移率大于所述第二材料的迁移率；其中，
[0032]所述空穴传输层的材料结构通式为所述第一材料和所述第二材料的结构通式均为且所述第一材料和所述第二材料具有不同的键能；
[0033]其中，Ar1、Ar2、Ar4、Ar5、Ar6独立地选自：氢、氘、卤素、氰基、硝基、碳原子数为1
‑
39的烷基、碳原子数为2
‑
39烯基、碳原子数为2
‑
39的炔基、碳原子数为6
‑
39的芳基、碳原子数为5
‑
60的杂芳基、碳原子数为6
‑
60的芳氧基、碳原子数为1
‑
39的烷氧基、碳原子数为6
‑
39的芳胺基、碳原子数为3
‑
39的环烷基、碳原子数为3
‑
39的杂环烷基、碳原子数为1
‑
39的烷基甲硅烷；
[0034]R1、R2独立地选自：氢、碳原子数为1
‑
39的烷基；
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
之间。6.如权利要求2或3所述的蓝光发光器件，其中，所述第一材料的正电键能大于或等于2.8eV，所述第一材料的负电键能大于或等于0.8eV；所述第二材料的正电键能大于或等于3eV，所述第二材料的负电键能大于或等于1eV。7.如权利要求1
‑
3任一项所述的蓝光发光器件，其中，所述空穴传输层的HOMO能级在
‑
5.6eV～
‑
5.2eV之间。8.如权利要求1
‑
3任一项所述的蓝光发光器件，其中，所述空穴传输层的材料的分子量大于或等于550。9.如权利要求2或3所述的蓝光发光器件，其中，所述第一材料的HOMO能级和所述第二材料的HOMO能级之差小于或等于0.2eV。10.如权利要求2或3所述的蓝光发光器件，其中，所述第一材料和所述第二材料的分子量均大于或等于450。11.如权利要求1
‑
3任一项所述的蓝光发光器件，其中，所述空穴传输层的材料为3任一项所述的蓝光发光器件，其中，所述空穴传输层的材料为12.如权利要求3所述的蓝光发光器件，其中，所述第一材料和所述第二材料互为同分异构体。13.如权利要求12所述的蓝光发光器件，其中，所述第一材料的结构为
所述第二材料的结构为14.如权利要求12所述的蓝光发光器件，其中，所述第一材料的结构为所述第二材料的结构为或，所述第一材料的结构为所述第二材料的结构为或，所述第一材料的结构为所述第二材料的结构为
或，所述第一材料的结构为所述第二材料的结构为15.如权利要求1所述的蓝光发光器件，其中，还包括：位于所述空穴传输层背离所述发光层一侧的阳极，位于所述发光层背离所述空穴传输层一侧的空穴阻挡层，位于所述空穴阻挡层背离所述空穴传输层一侧的电子传输层，位于所述电子传输层背离所述空穴传输层一侧的电子注入层，以及位于所述电子注入层背离所述空穴传输层一侧的阴极。16.一种显示装置，其中，包括如权利要求1
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙玉倩，张东旭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：