半导体结构及其制造方法、存储系统技术方案

本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储系统，所述半导体结构包括：衬底；介质层，位于所述衬底上；导电结构，位于所述介质层中且贯穿所述介质层；互连层，位于所述介质层上；所述互连层中具有互连导电图案和伪导电图案；所述互连导电图案位于所述导电结构上并连接所述导电结构；所述伪导电图案位于所述互连导电图案之间；层间绝缘层，覆盖所述互连层，所述层间绝缘层在所述互连层中相邻的两个导电图案之间具有空气间隙。导电图案之间具有空气间隙。导电图案之间具有空气间隙。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法、存储系统


[0001]本公开涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体结构及其制造方法、存储系统。

技术介绍

[0002]随着半导体产业进入高性能与多功能的集成电路新时代，集成电路内半导体元件的密度随之增加，半导体元件之间的距离则随之缩小，进而使得用于传导电信号的传导部之间的距离也相应的缩减。由此，相邻传导部之间所产生的寄生电容以及由寄生电容带来的干扰越来越明显，例如由于寄生电容的存在会导致金属引线中电容耦合上升，从而增加了电力消耗，并提高了电阻电容(Resistance Capacitor，RC)时间常数。
[0003]为解决上述问题，业界开始采用低介电常数(Low
‑
K)的材料作为传导部之间的填充材料，但仍不能满足现有集成电路对于更低RC延迟的要求。因此，如何进一步减小传导部间的寄生电容，成为了业界亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。
[0005]第一方面，本公开实施例提供了一种半导体结构，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；介质层，位于所述衬底上；导电结构，位于所述介质层中且贯穿所述介质层；互连层，位于所述介质层上；所述互连层中具有互连导电图案和伪导电图案；所述互连导电图案位于所述导电结构上并连接所述导电结构；所述伪导电图案位于所述互连导电图案之间；层间绝缘层，覆盖所述互连层，所述层间绝缘层在所述互连层中相邻的两个导电图案之间具有空气间隙。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述伪导电图案位于满足预设位置关系的相邻的两个所述互连导电图案之间，所述预设位置关系为：相邻的两个所述互连导电图案的间距大于预设值。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述伪导电图案的宽度w1与以下参数具有第一对应关系：位于相邻的所述伪导电图案和所述互连导电图案之间的所述空气间隙的宽度w2；以及，所述层间绝缘层的介电常数ε
层
；所述第一对应关系为：2(ε
层
‑
1)w2‑
w1>0。4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述预设值为200nm。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述互连层包括：引线层；粘接层，位于所述引线层与所述介质层之间；阻挡层，覆盖所述引线层。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述引线层的材料包括铝。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述互连导电图案底面的面积大于所述导电结构顶面的面积。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：器件层，位于所述衬底与所述介质层之间；所述导电结构连接所述器件层中的器件或电路。9.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上方形成介质层；在所述介质层中形成贯穿所述介质层的导电结构；在所述介质层上方形成导电层；在所述导电层上形成掩模层，所述掩膜层定义互连导电图案和伪导电图案；通过所述掩膜层刻蚀所述导电层，由所述导电层形成互连层，所述互连层中具有所述互连导电图案和所述伪导电图案，所述互连导电图案位于所述导电结构上并连接所述导电结构，所述伪导电图案位于所述互连导电图案之间；形成覆盖所述互连层的层间绝缘层，并在所述互连层内相邻的两个导电图案之间的所述层间绝缘层中形成空气间隙。
10.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛东阳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：