本申请公开了一种芯片和电子装置，其中，该芯片包括：第一衬底；第一导电线路，包括第一金属层和第二金属层，第一金属层和第二金属层间隔；第一衬底设置有垂直于第一金属层平面的至少一组第一导电部，每组第一导电部包括第一导电体以及第二导电体，第一导电体连接第一金属层，第二导电体连接第二金属层，且第一导电体与第二导电体之间设置有掺杂介质，以使得第一导电体与第二导电体形成第一电容，第一电容用于存储电荷以为芯片供电。通过上述方式，本申请中的芯片通过使第一衬底中的第一导电体与第二导电体对应形成第一电容，合理地利用了硅衬底中的空闲空间，从而有效扩展了芯片的功能实现。能实现。能实现。
【技术实现步骤摘要】
一种芯片和电子装置
[0001]本申请涉及芯片
，尤其是涉及一种芯片和电子装置。
技术介绍
[0002]现今，在芯片中通常不可避免的会设置有硅衬底，以作为整个芯片的物理基础，而具有支撑、导热以及电极等作用。
[0003]然而，在现有的芯片的生产过程中，在硅衬底内部通常会空余很多的可以作为线路扩展的空间位置，而未被利用起来，从而造成了极大的空间浪费。
技术实现思路
[0004]本申请提供了一种芯片和电子装置，以解决现有技术中的芯片中的硅衬底存在可利用空间浪费的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种芯片，其中，该芯片包括：第一衬底；第一导电线路，包括第一金属层和第二金属层，第一金属层和第二金属层间隔设置；第一衬底设置有垂直于第一金属层平面的至少一组第一导电部，每组第一导电部包括第一导电体以及第二导电体，第一导电体连接第一金属层，第二导电体连接第二金属层，且第一导电体与第二导电体之间设置有掺杂介质，以使得第一导电体与第二导电体形成第一电容。
[0006]其中，第一金属层和第二金属层同层设置。
[0007]其中，第一金属层和第二金属层层叠设置，且第一金属层和第二金属层在衬底上的投影不完全重合。
[0008]其中，芯片还包括绝缘层，绝缘层设置在第一金属层和第二金属层之间，以使第一金属层和第二金属层间隔设置。
[0009]其中，第一金属层和第二金属层投影重合部分对应的绝缘层设置有掺杂介质，以将第一金属层和第二金属层投影重合部分形成第二电容；其中，第一电容和第二电容并联。
[0010]其中，第一金属层靠近第一衬底设置，第二金属层设置于第一金属层远离第一衬底的一侧，第二金属层在第一衬底上的投影面积大于第一金属层在第一衬底上的投影；第二导电体直接连接第二金属层；或者第一导电线路还包括第三金属层，第三金属层与第一金属层同层设置，且第三金属层与第二金属层在第一衬底上的投影至少部分重合，第二导电体连接第三金属层，第三金属层与第二金属层之间的绝缘层中设置有导电通孔。
[0011]为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种三维芯片，其中，该三维芯片包括：第一晶片，包括第一衬底和第一导电线路，第一导电线路包括第一金属层和第二金属层，第一金属层和第二金属层间隔设置，第一衬底设置有垂直于第一金属层平面的至少一组第一导电部，每组第一导电部包括第一导电体以及第二导电体，第一导电体连接第一金属层，第二导电体连接第二金属层，且第一导电体与第二导电体之间设置有掺杂介质，以使得第一导电体与第二导电体形成第一电容，第一电容用于存储电荷以为
三维芯片供电；第二晶片，第二晶片与第一晶片层叠设置，且通过三维异质键合工艺实现连接。
[0012]其中，第二晶片还包括第二导电线路，至少部分第一导电部连接第二导电线路，以利用所述第一电容为所述第二导电线路供电。
[0013]其中，第二晶片还包括第二衬底，第二衬底与第一衬底相邻设置，第二衬底设置有垂直于第一金属层平面的至少一组第二导电部，每组第二导电部连接至少部分第一导电部，以使第一晶片连接第二晶片。
[0014]其中，第二晶片还包括第二导电线路，第二导电线路包括第三金属层和第四金属层，第三金属层和第四金属层间隔设置，每组第二导电部包括第三导电体以及第四导电体，第三导电体连接第三金属层，第四导电体连接第四金属层，且第三导电体与第四导电体之间设置有掺杂介质，以使得第三导电体与第四导电体形成第三电容，第三电容用于存储电荷以为第一晶片和/或第二晶片供电。
[0015]其中，第一导电体的一端连接第一金属层，其另一端连接第三导电体，第二导电体的一端连接第二金属层，其另一端连接第四导电体，以使第一电容与第三电容并联。
[0016]为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种电子装置，包括外壳和连接于外壳的芯片，其中，该芯片为上述任一项所述的芯片或三维芯片。
[0017]本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请提供的芯片中的第一导电线路具体包括间隔设置的第一金属层和第二金属层，而其第一衬底还设置有垂直于第一金属层平面的至少一组第一导电部，每组第一导电部包括第一导电体以及第二导电体，第一导电体连接第一金属层，第二导电体连接第二金属层，且第一导电体与第二导电体之间设置有掺杂介质，以使得第一导电体与第二导电体形成第一电容，从而能够合理地，并最大化的利用芯片的硅衬底中的空闲空间，以有效地扩展了芯片的功能实现。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
[0019]图1是本申请芯片第一实施方式的结构示意图；
[0020]图2是图1中芯片第一实施例的局部立体示意图；
[0021]图3是图1中芯片第二实施例的局部立体示意图；
[0022]图4是图1中芯片第三实施例的局部立体示意图；
[0023]图5是本申请三维芯片第一实施方式的结构示意图；
[0024]图6是本申请三维芯片第二实施方式的结构示意图；
[0025]图7是本申请电子装置一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
[0026]为使本申请解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本申请实施例的技术方案作进一步的详细描述。
[0027]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0028]请参阅图1，图1是本申请芯片第一实施方式的结构示意图。在本实施方式中，该芯片1包括：第一衬底11和第一导电线路12。
[0029]其中，该第一衬底11具体指的是整个芯片1的物理基础，具有支撑、导热以及电极等作用的底部基体层；而第一导电线路12则对应为芯片1中用于实现设计电气逻辑的功能电路，并对应包括有至少一个叠层设置于第一衬底11上的图案化的线路层，且在具有至少两个线路层时，每相邻两个线路层之间还对应设置有绝缘层15，而该绝缘层15还对应设置有导电通孔16，以使各线路层之间实现电连接。
[0030]具体地，该第一导电线路12进一步包括第一金属层121和第二金属层122，且该第一金属层121和第二金属层122间隔设置。
[0031]且在第一衬底11中对应设置有垂直于第一金属层121平面的至少一组第一导电部13，而每组第一导电部13又进一步包括对应设置的第一导电体131和第二导电体132，该第一导电体131具体连接于第一金属层本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括：第一衬底；第一导电线路，包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层间隔设置；所述第一衬底设置有垂直于所述第一金属层平面的至少一组第一导电部，每组所述第一导电部包括第一导电体以及第二导电体，所述第一导电体连接所述第一金属层，所述第二导电体连接所述第二金属层，且所述第一导电体与所述第二导电体之间设置有掺杂介质，以使得所述第一导电体与所述第二导电体形成第一电容，所述第一电容用于存储电荷以为所述芯片供电。2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层同层设置。3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层层叠设置，且所述第一金属层和所述第二金属层在所述衬底上的投影不完全重合。4.根据权利要求2或3所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间，以使所述第一金属层和所述第二金属层间隔设置。5.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层投影重合部分对应的绝缘层设置有掺杂介质，以将所述第一金属层和所述第二金属层投影重合部分形成第二电容；其中，所述第一电容和所述第二电容并联。6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述第一金属层靠近所述第一衬底设置，所述第二金属层设置于所述第一金属层远离所述第一衬底的一侧，所述第二金属层在所述第一衬底上的投影面积大于所述第一金属层在所述第一衬底上的投影；所述第二导电体直接连接所述第二金属层；或者所述第一导电线路还包括第三金属层，所述第三金属层与所述第一金属层同层设置，且所述第三金属层与所述第二金属层在所述第一衬底上的投影至少部分重合，所述第二导电体连接所述第三金属层，所述第三金属层与所述第二金属层之间的绝缘层中设置有导电通孔。7.一种三维芯片，其特征在于，所述三维芯片包括：第一晶片，包括第一衬底和第一导电线路，所述第一导电线路包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层间隔设置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕颖义，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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