具有集成薄膜电容器的微电子组件制造技术

本文公开了微电子组件、相关设备和方法。在一些实施例中，微电子组件可以包括在第一电介质层中的管芯；以及电容器，电容器包括在第一电介质层中的第一导电柱和第二导电柱，每个柱具有第一端和相对的第二端，其中，第一导电柱和第二导电柱形成电容器的第一极板；第二电介质层，第二电介质层在管芯上并且在第一导电柱和第二导电柱的第二端上，第二电介质层至少部分地沿着第一导电柱和第二导电柱的第一厚度延伸，从第二端朝向第一端逐渐变细；以及金属层，金属层在第二电介质层上，其中，金属层至少部分地沿着第一导电柱和第二导电柱的第二厚度延伸，其中，金属层形成是电容器的第二极板。板。板。

【技术实现步骤摘要】
具有集成薄膜电容器的微电子组件

技术介绍

[0001]集成电路(IC)封装可以包括用于管理到IC管芯的功率输送的电容器。通常，IC封装可以包括表面安装在管芯的背侧上或电路板的连接盘侧上的电容器。
附图说明
[0002]根据结合附图的以下具体实施方式，将容易理解各实施例。为了便于描述，相同的附图标记表示相同的结构元件。在附图的各图中，通过示例而非限制的方式示出了各实施例。
[0003]图1A是根据各种实施例的示例微电子组件的侧视截面图。
[0004]图1B和图1C是根据各种实施例的图1A的放大部分。
[0005]图2A
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2J是根据各种实施例的用于制造示例微电子组件的示例工艺中的各个阶段的侧视截面图。
[0006]图3A是根据各种实施例的示例微电子组件的侧视截面图。
[0007]图3B和图3C是根据各种实施例的图3A的放大部分。
[0008]图4是根据各种实施例的示出图4的示例电容器的连接的俯视示意图。
[0009]图5A
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5F是根据各种实施例的用于制造示例微电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微电子组件，包括：在第一电介质层中的管芯，所述管芯具有第一表面和相对的第二表面；以及嵌入式电容器，所述电容器包括：在所述第一电介质层中的第一导电柱，所述第一导电柱具有第一端和相对的第二端；在所述第一电介质层中的第二导电柱，所述第二导电柱具有第一端和相对的第二端，其中，所述第一导电柱和所述第二导电柱形成所述电容器的第一极板；第二电介质层，所述第二电介质层在所述管芯的所述第二表面上并且在所述第一导电柱和所述第二导电柱的所述第二端上，其中，所述第二电介质层至少部分地沿着所述第一导电柱和所述第二导电柱的第一厚度延伸，从所述第二端朝向所述第一端逐渐变细；以及在所述第二电介质层上的金属层，其中，所述金属层至少部分地沿着所述第一导电柱和所述第二导电柱的第二厚度延伸，其中，所述第二厚度小于所述第一厚度，并且其中，所述金属层形成所述电容器的第二极板。2.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述管芯是第一管芯，并且所述微电子组件还包括：所述金属层上的再分布层(RDL)；以及；在所述RDL上的第三电介质层中的第二管芯，其中，所述金属层经由所述RDL中的导电路径电耦接到所述第二管芯。3.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述管芯是第一管芯，并且所述微电子组件还包括：所述金属层上的再分布层(RDL)；以及在所述RDL上的第三电介质层中的第二管芯，其中，所述第一柱和所述第二柱的所述第二端经由所述RDL中的导电路径电耦接到所述第二管芯。4.根据权利要求1所述的微电子组件，还包括：在所述第一电介质层中的电耦接到所述金属层的第三导电柱。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的微电子组件，其中，所述第二电介质层具有在80度与90度之间的锥度。6.根据权利要求1
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4中任一项所述的微电子组件，还包括：封装衬底，其中，所述第一导电柱和所述第二导电柱的所述第一端电耦接到所述封装衬底。7.根据权利要求1
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4中任一项所述的微电子组件，其中，所述第二电介质层的材料包括高k电介质材料。8.根据权利要求1
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4中任一项所述的微电子组件，其中，所述第二电介质层的厚度在5纳米与1微米之间。9.根据权利要求1
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4中任一项所述的微电子组件，其中，所述金属层的材料包括金属、金属氧化物或金属合金中的一种或多种。10.根据权利要求1
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4中任一项所述的微电子组件，其中，所述金属层的厚度在10纳米与15微米之间。11.一种用于集成电路(IC)设备的嵌入式电容器，包括：第一电容器极板，包括：
在第一电介质层中的第一导电柱，所述第一导电柱具有第一端和相对的第二端；在所述第一电介质层中的第二导电柱，所述第二导电柱具有第一端和相对的第二端；第二电介质层，所述第二电介质层在所述第一导电柱和所述第二导电柱的所述第二端上，其中，所述第二电介质层至少部分地沿着所述第一导电柱和所述第二导电柱的第一厚度延伸，从所述第二端朝向所述第一端逐渐变细；以及第二电容器极板，所述第二电容器极板包括在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：