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本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储系统，所述半导体结构包括：衬底；介质层，位于所述衬底上；导电结构，位于所述介质层中且贯穿所述介质层；互连层，位于所述介质层上；所述互连层中具有互连导电图案和伪导电图案；所述互连导电图案位于所述...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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