一种用于扇出型晶圆级芯片的器件结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于扇出型晶圆级芯片的器件结构，包括基板，基板的顶部设置有第一焊盘，第一焊盘上形成阻焊层，第一焊盘的顶部设置有焊球凸点，焊球凸点的顶部设置有绝缘介质层，绝缘介质层上设置有第二焊盘，第二焊盘与焊球凸点之间设置有导电金属层，第二焊盘的顶部设置有芯片本体，芯片本体上设置有扇出结构，芯片本体的底部两侧均设置有导电散热板；本实用新型专利技术通过在芯片外设有绝缘介质层和导电散热板，焊球凸点与导电金属层的形状配合，能够大大的减小芯片的翘曲度，同时扇出结构中的导线与导电金属层中的穿孔之间的配合，在保证芯片整体的情况下，能够有效的对芯片散热，减少密度的增加使得单位面积上产生的热量急剧增加。急剧增加。急剧增加。

【技术实现步骤摘要】
一种用于扇出型晶圆级芯片的器件结构


[0001]本技术涉及芯片器件结构的
，具体为一种用于扇出型晶圆级芯片的器件结构。

技术介绍

[0002]晶圆级扇出封装结构广泛应用于半导体行业中。扇出型晶圆级芯片封装是在晶圆尺寸级实现主芯片的扇出封装，扇出封装中，如何降低制程中产生的翘曲并具备量产能力，越来越重要。
[0003]传统的在对扇出型晶圆级芯片封装过程中，晶粒塑封过后因材料特性会使半导体芯片器件在封装结构上容易产生的翘曲，导致后续芯片加工的不易，同时为了不产生封装结构的翘曲，一般通过提高芯片的密度，但是密度的增加使得单位面积上产生的热量急剧增加，若热量无法快速散出，进而使得芯片内的金属熔化而失效。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种用于扇出型晶圆级芯片的器件结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于扇出型晶圆级芯片的器件结构，包括基板，所述基板的顶部设置有第一焊盘，第一焊盘上形成阻焊层，第一焊盘的顶部设置有焊球凸点，焊球凸点的顶部设置有绝缘介质层，绝缘介质层上设置有第二焊盘，第二焊盘与焊球凸点之间设置有导电金属层，第二焊盘的顶部设置有芯片本体，芯片本体上设置有扇出结构，芯片本体的底部两侧均设置有导电散热板。
[0006]优选的，所述焊球凸点的底部呈梯形结构，且与阻焊层之间设置有填充胶。
[0007]优选的，所述绝缘介质层上设置有沟槽，导电金属层呈梯形块结构，且内嵌在沟槽上。
[0008]优选的，所述导电金属层上设置有穿孔，穿孔设置有多个，多个穿孔沿着导电金属层排列分布。
[0009]优选的，所述芯片本体的底部设置有接触点，扇出结构包裹在芯片本体的周围，扇出结构包括导线。
[0010]优选的，所述导线设置有若干个，若干个导线形成于绝缘介质层中，导线贯穿导电散热板连接于芯片本体的接触点上。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0012]1.本技术通过在芯片外设有绝缘介质层和导电散热板，焊球凸点与导电金属层的形状配合，能够大大的减小芯片的翘曲度，同时扇出结构中的导线与导电金属层中的穿孔之间的配合，在保证芯片整体的情况下，能够有效的对芯片散热，减少密度的增加使得单位面积上产生的热量急剧增加，保证芯片的性能。
附图说明
[0013]图1为本技术的结构示意图；
[0014]图2为本技术绝缘介质层的局部结构示意图。
[0015]图中：1、基板；2、第一焊盘；3、阻焊层；4、焊球凸点；41、填充胶；5、绝缘介质层；51、沟槽；6、第二焊盘；7、导电金属层；71、穿孔；8、芯片本体；81、接触点；9、扇出结构；91、导线；10、导电散热板。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0017]通过设置支撑件5可以有效降低基板3在环境温度快速变化时的形变量，减小各层封装材料间热失配导致的可靠性失效风险。
[0018]请参阅图1至图2，本技术提供一种技术方案：一种用于扇出型晶圆级芯片的器件结构，包括基板1，此芯片为倒装结构，基板1的顶部设置有第一焊盘2，第一焊盘2上形成阻焊层3，阻焊层3为阻焊油墨，作为焊接电子部件时电路的保护膜；
[0019]第一焊盘2的顶部设置有焊球凸点4，焊球凸点4常用锡料，焊球凸点4的底部呈梯形结构，且与阻焊层3之间设置有填充胶41，采用焊球凸点4嵌入的方式，可以大大降低焊球凸点4所占的空间，减小电子元器件的体积以及增加半导体器件的集成度，同时保证焊接的稳定性；
[0020]焊球凸点4的顶部设置有绝缘介质层5，绝缘介质层5上设置有第二焊盘6，第二焊盘6与焊球凸点4之间设置有导电金属层7，绝缘介质层5上设置有沟槽51，导电金属层7呈梯形块结构，且内嵌在沟槽51上，焊球凸点4与导电金属层7的形状配合，减少金属电极对导电金属层7产生拉扯应力，使得连接更紧密，增加半导体器件的集成度，导电金属层7的高度高于具有沟槽51的绝缘介质层5，以方便与其他芯片之间的信号连接；
[0021]导电金属层7上设置有穿孔71，穿孔71设置有多个，多个穿孔71沿着导电金属层7排列分布，此穿孔71为激光穿孔技术，提供散热的效果，第二焊盘6的顶部设置有芯片本体8，芯片本体8的底部设置有接触点81；
[0022]芯片本体8上设置有扇出结构9，扇出结构9包裹在芯片本体8的周围，芯片本体8的底部两侧均设置有导电散热板10，方便对芯片本体8的热量输送至导电散热板10上，扇出结构9包括导线91，导线91设置有若干个，若干个导线91形成于绝缘介质层5中，导线91贯穿导电散热板10连接于扇出结构9的接触点81上，导线91形成散热通道，使得将导电散热板10经导线91形成的散热通道和穿孔71传递至外部；
[0023]实际操作时，将晶圆级芯片进行倒置封装，焊球凸点4位于第一焊盘2和第二焊盘6之间，焊球凸点4以嵌入的方式在沟槽51与导电金属层7连接，大大降低焊球凸点4所占的空间，同时焊球凸点4与导电金属层7的形状配合，减少金属电极对导电金属层7产生拉扯应力，使得连接更紧密，增加半导体器件的集成度，绝缘介质层5和导电散热板10与芯片本体8连接，扇出结构对芯片本体8进行包裹，大大的减小芯片的翘曲度；芯片本体8的热量输送至
导电散热板10上，导线91贯穿导电散热板10连接于扇出结构9的接触点81上，导线91形成散热通道，使得将导电散热板10经导线91形成的散热通道和穿孔71传递至外部，在保证芯片整体的情况下，能够有效的对芯片散热，减少密度的增加使得单位面积上产生的热量急剧增加，保证芯片的性能。
[0024]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于扇出型晶圆级芯片的器件结构，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)的顶部设置有第一焊盘(2)，第一焊盘(2)上形成阻焊层(3)，第一焊盘(2)的顶部设置有焊球凸点(4)，焊球凸点(4)的顶部设置有绝缘介质层(5)，绝缘介质层(5)上设置有第二焊盘(6)，第二焊盘(6)与焊球凸点(4)之间设置有导电金属层(7)，第二焊盘(6)的顶部设置有芯片本体(8)，芯片本体(8)上设置有扇出结构(9)，芯片本体(8)的底部两侧均设置有导电散热板(10)。2.根据权利要求1所述的一种用于扇出型晶圆级芯片的器件结构，其特征在于：所述焊球凸点(4)的底部呈梯形结构，且与阻焊层(3)之间设置有填充胶(41)。3.根据权利要求1所述的一种用于扇出型晶圆级芯片的器件结构，其特征在于：所述绝缘介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹宇，易光，
申请(专利权)人：深圳市微杰明科技有限公司，
类型：新型
国别省市：