功率放大器制造技术

技术编号:36078940 阅读:39 留言:0更新日期:2022-12-24 10:51
本实用新型专利技术提供了一种功率放大器,包括:第一级放大电路、与所述第一级放大电路的输出端连接的第二级放大电路、以及与所述第二级放大电路的输出端连接的第三级放大电路;其中,所述第一级放大电路包括:第一三极管Q1、与所述第一三极管Q1发射极连接的第一电感L1、与所述第一三极管Q1的集电极连接的第二电感L2、与所述第二电感L2串联的第一电容C1、以及与所述第一电容C1串联的第一可变电容VC1;所述第一三极管Q1的基极连接一输入匹配电路以及第一偏置电路Bias1,所述第二电感L2的输入端接电源VCC,所述第一电感L1、第一可变电容VC1接地设置。本实用新型专利技术可以改善杂散作用。本实用新型专利技术可以改善杂散作用。本实用新型专利技术可以改善杂散作用。

【技术实现步骤摘要】
功率放大器


[0001]本技术涉及电子
,尤其涉及一种功率放大器。

技术介绍

[0002]随着无线通信的快速发展和广泛普及,无线通信系统标准对移动通信终端收发机的性能要求越来越高。功率放大器作为射频前端的关键模块,它的性能指标对收发机的总体性能起着重要的作用,而功率放大器的杂散指标是通信系统的关键性能指标,他的性能好坏决定了PA工作时候是否会对其他信道的信号产生干扰。一般如果出现了带外杂散指标不好,要么需要重新修改设计,要么需要额外再射频通路上增加抑制电路去改善杂散指标,重新修改设计改动较大,增加抑制电路会额外增加模组的面积,同时现代移动通信终端的小型化趋势,对于功率放大器模组的尺寸也提出了更高的要求。

技术实现思路

[0003]针对以上现有技术的不足,本技术提出一种抑制和衰减非谐振频段信号并减少非谐振频段信号的增益的功率放大器和射频芯片。
[0004]为了解决上述技术问题,本技术的实施例提供了一种功率放大器,包括:第一级放大电路、与所述第一级放大电路的输出端连接的第二级放大电路、以及与所述第二级放大电路的输出端连接的第三级放大电路;
[0005]其中,所述第一级放大电路包括:第一三极管Q1、与所述第一三极管Q1发射极连接的第一电感L1、与所述第一三极管Q1的集电极连接的第二电感L2、与所述第二电感L2串联的第一电容C1、以及与所述第一电容C1串联的第一可变电容VC1;所述第一三极管Q1的基极连接一输入匹配电路以及第一偏置电路Bias1,所述第二电感L2的输入端接电源VCC,所述第一电感L1、第一可变电容VC1接地设置。
[0006]优选的,所述第一级放大电路还包括:与所述第二电感L2串联的第三电感L3,通过所第三电感L3的输入端接入所述电源VCC。
[0007]优选的,所述第一可变电容VC1通过一第一控制电压U1进行控制。
[0008]优选的,所述第二级放大电路包括:第二三极管Q2、与所述第二三极管Q2的集电极连接的第四电感L4、与所述第四电感L4串联的第二电容C2、以及与所述第二电容C2串联的第二可变电容VC2;
[0009]所述第二三极管Q1的基极连接所述第一三极管Q1的集电极以及第二偏置电路Bias2,所述第四电感L4的输入端接电源VCC,所述第二三极管Q2的发射极、第二可变电容VC2接地设置。
[0010]优选的,与所述第四电感L4串联的第五电感L5,通过所述第五电感L5的输入端接入所述电源VCC。
[0011]优选的,所述第二可变电容VC2通过一第二控制电压U2进行控。
[0012]优选的,所述第三级放大电路包括:第三三极管Q3、与所述第三三极管Q3的集电极
连接的第六电感L6、与所述第六电感L6串联的第三电容C3;
[0013]所述第三三极管Q3的基极连接所述第二三极管Q2的集电极以及第三偏置电路Bias3,所述第六电感L6的输入端接电源VCC,所述第三三极管Q3的发射极、第三电容C3接地设置。
[0014]优选的,所述第一级放大电路与所述第二级放大电路之间通过第一级间匹配电路进行匹配连接。
[0015]优选的,所述第二级放大电路与所述第三级放大电路之间通过第二级间匹配电路进行匹配连接。
[0016]优选的,所述第三级放大电路中,第三三极管Q3的集电极与一输出匹配电路连接进行匹配输出。
[0017]与相关技术相比,本技术的功率放大器中,不需要增加额外的电路去抑制低频增益改善杂散,只是利用第一级放大电路上的集电极去耦电容的自谐振特性去抑制低频增益,这种方法经济实惠,效果明显。
附图说明
[0018]下面结合附图详细说明本技术。通过结合以下附图所作的详细描述,本技术的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中,
[0019]图1为本技术实施例的功率放大器电路结构图;
[0020]图2为本技术实施例的功率放大器的S参数仿真曲线;
[0021]图3为本技术实施例的功率放大器的功率仿真曲线。
具体实施方式
[0022]下面结合附图详细说明本技术的具体实施方式。
[0023]在此记载的具体实施方式/实施例为本技术的特定的具体实施方式,用于说明本技术的构思,均是解释性和示例性的,不应解释为对本技术实施方式及本技术范围的限制。除在此记载的实施例外,本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案,这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案,都在本技术的保护范围之内。
[0024]如图1所示为本技术提供一种功率放大器,包括:第一级放大电路11、与所述第一级放大电路11的输出端连接的第二级放大电路12、以及与所述第二级放大电路12的输出端连接的第三级放大电路13。
[0025]其中,所述第一级放大电路11包括:第一三极管Q1、与所述第一三极管Q1发射极连接的第一电感L1、与所述第一三极管Q1的集电极连接的第二电感L2、与所述第二电感L2串联的第一电容C1、以及与所述第一电容C1串联的第一可变电容VC1;所述第一三极管Q1的基极连接一输入匹配电路以及第一偏置电路Bias1,所述第二电感L2的输入端接电源VCC,所述第一电感L1、第一可变电容VC1接地设置。
[0026]进一步的,所述第一级放大电路11还包括:与所述第二电感L2串联的第三电感L3,通过所第三电感L3的输入端接入所述电源VCC。
[0027]本实施例中,所述第一可变电容VC1通过一第一控制电压U1进行控制。
[0028]本实施例中,所述第二级放大电路12包括:第二三极管Q2、与所述第二三极管Q2的集电极连接的第四电感L4、与所述第四电感L4串联的第二电容C2、以及与所述第二电容C2串联的第二可变电容VC2;所述第二三极管Q1的基极连接所述第一三极管Q1的集电极以及第二偏置电路Bias2,所述第四电感L4的输入端接电源VCC,所述第二三极管Q2的发射极、第二可变电容VC2接地设置。
[0029]进一步的,与所述第四电感L4串联的第五电感L5,通过所述第五电感L5的输入端接入所述电源VCC。
[0030]本实施例中,所述第二可变电容VC2通过一第二控制电压U2进行控。
[0031]本实施例中,所述第三级放大电路13包括:第三三极管Q3、与所述第三三极管Q3的集电极连接的第六电感L6、与所述第六电感L6串联的第三电容C3;所述第三三极管Q3的基极连接所述第二三极管Q2的集电极以及第三偏置电路Bias3,所述第六电感L6的输入端接电源VCC,所述第三三极管Q3的发射极、第三电容C3接地设置。
[0032]进一步的,所述第一级放大电路与所述第二级放大电路之间通过第一级间匹配电路进行匹配连接。
[0033]进一步的,所述第二级放大电路与所述第三级放大电路之间通过第二级间匹配电本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器,其特征在于,包括:第一级放大电路、与所述第一级放大电路的输出端连接的第二级放大电路、以及与所述第二级放大电路的输出端连接的第三级放大电路;其中,所述第一级放大电路包括:第一三极管Q1、与所述第一三极管Q1发射极连接的第一电感L1、与所述第一三极管Q1的集电极连接的第二电感L2、与所述第二电感L2串联的第一电容C1、以及与所述第一电容C1串联的第一可变电容VC1;所述第一三极管Q1的基极连接一输入匹配电路以及第一偏置电路Bias1,所述第二电感L2的输入端接电源VCC,所述第一电感L1、第一可变电容VC1接地设置。2.根据权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,所述第一级放大电路还包括:与所述第二电感L2串联的第三电感L3,通过所第三电感L3的输入端接入所述电源VCC。3.根据权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,所述第一可变电容VC1通过一第一控制电压U1进行控制。4.根据权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,所述第二级放大电路包括:第二三极管Q2、与所述第二三极管Q2的集电极连接的第四电感L4、与所述第四电感L4串联的第二电容C2、以及与所述第二电容C2串联的第二可变电容VC2;所述第二三极管Q1的基极连接所述第一三极管Q1的集电极以及第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:周佳辉胡滨郭嘉帅
申请(专利权)人:深圳飞骧科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1