一种低噪声放大器制造技术

本申请涉及电子信息技术领域，具体而言，涉及一种低噪声放大器。包括基础电路、共栅级缓冲器、偏置电路和保护电路；所述基础电路为两级共源结构，所述共栅级缓冲器与所述基础电路的输出端连接且一端接地，所述偏置电路包括第一偏置电路和第二偏置电路，所述第一偏置电路与所述共栅级缓冲器的输出端连接为所述共栅级缓冲器提供偏置电压，所述偏置电路与所述基础电路的输出端连接为所述基础电路提供偏置电压，所述保护电路与所述基础电路的输入端连接且一端连地。在本实施例中噪声主要集中在输入管以及反馈电阻上，能够实现在6～18GHz应使噪声系数保持一定的平坦度。使噪声系数保持一定的平坦度。使噪声系数保持一定的平坦度。

【技术实现步骤摘要】
一种低噪声放大器


[0001]本申请涉及电子信息
，具体而言，涉及一种低噪声放大器。

技术介绍

[0002]宽带CMOS低噪声放大器已成为当下主要的应用趋势。在CMOS工艺下，当工作带宽较大时，能够同时满足良好的端口匹配、低噪声系数、一定带宽增益以及低功耗等指标是比较困难的，传统的宽带地噪声放大器结构通常是兼顾以上指标进行设计。分布式放大器与传统的放大器相比，能够通过提高增益带宽积的上限，进而实现更宽的带宽。分布式放大器由多支路构成，功耗高和面积大是其显著的缺点。电阻并联负反馈结构能提供良好的端口匹配以及一定的增益带宽，而反馈电阻的引入减小了增益，一定程度上使噪声性能恶化，此外反馈还可能引起稳定性问题。共栅结构能容易地实现良好的输入匹配，然后在高频下噪声系数偏大，实现高增益时所需功耗也较大，低增益大带宽常采用此种结构。带通滤波器结构能够在一定带宽内实现良好的端口匹配，同时具有较好的噪声性能。但在实际使用中需要较多的电感和电容元件，并且针对于阻抗匹配和噪声之间的协调也是现有技术中的难点。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种低噪声放大器，以解决现有技术中存在的阻抗匹配和噪音协调的问题。
[0004]方法为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
[0005]一方面，本申请实施例提供了一种低噪声放大器，包括基础电路、共栅级缓冲器、偏置电路和保护电路；所述基础电路为两级共源结构，所述共栅级缓冲器与所述基础电路的输出端连接且一端接地，所述偏置电路包括第一偏置电路和第二偏置电路，所述第一偏置电路与所述共栅级缓冲器的输出端连接为所述共栅级缓冲器提供偏置电压，所述偏置电路与所述基础电路的输出端连接为所述基础电路提供偏置电压，所述保护电路与所述基础电路的输入端连接且一端连地。
[0006]可选地，所述基础电路包括第一支路和第二支路，分别设置有第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管共用同一偏置电流。
[0007]可选地，所述第一支路包括第一晶体管、第一电阻、第一电容和第一电感，所述第一晶体管的栅极与所述第一电感连接，且所述第一电感通过保护电路连接有电压输入端；所述第一电阻和所述第一电容连接并与所述第一晶体管和所述第一电感并联。
[0008]可选地，所述第一晶体管漏极连接第二电感输入端，所述第二电感输出端连接地。
[0009]可选地，所述第二支路包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极连接有第三电感，所述第二晶体管的漏极通过第四电感与所述第一晶体管的源极连接，且所述第二晶体管的漏极通过第二电容交流短接至地。
[0010]可选地，所述第二支路包括第三电容，所述第三电容与所述第三电感和所述第四
电感并联并与第三电阻串联。
[0011]可选地，所述第三晶体管的源极与所述共栅级缓冲器连接，所述共栅级缓冲器包括第三晶体管，所述第三晶体管的源极通过第四电阻与所述第三晶体管的源极连接，所述第三晶体管漏极通过第五电感接地；还包括与所述第二晶体管源极和所述第三晶体管漏极并联的第四电容。
[0012]可选地，所述偏置电路包括第一偏置电路和第二偏置电路，所述第二偏置电路与所述第三晶体管的栅极连接，所述第一偏置电路与所述第一支路的并联电路连接。
[0013]可选地，所述第一偏置电路包括第四晶体管，所述第四晶体管的栅极与所述第一支路的并联电路连接，所述第四晶体管的源极连接有第五电阻，所述第四晶体管的漏极连接有第六电阻；所述第二偏置电路包括第七电阻和第八电阻。
[0014]可选地，所述保护电路包括第一二极管和第二二极管。
[0015]相对于现有技术，本申请具有以下有益效果：
[0016]本申请实施例提供了一种低噪声放大器，能够在6～18GHZ的带宽内实现较低的输入阻抗。在传统的电感源极退化共源共栅放大器结构中引入并联反馈支路，同时在共源级与共栅级之间插入电感，并将共栅级的源端经大电容交流短接至地，使其分别谐振在8GHZ和16GHZ附近并调整谐振网络的Q值，从而实现宽带输入阻抗匹配。并且，在本实施例中噪声主要集中在输入管以及反馈电阻上，能够实现在6～18GHz应使噪声系数保持一定的平坦度。
[0017]为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
[0019]图1为现有技术中分布式放大器的结构示意图。
[0020]图2为本申请实施例提供的低噪声放大器的整体电路示意图。
[0021]图3为本申请实施例提供的低噪声放大器的电路结构示意图。
[0022]图中：
[0023]100
‑
低噪声放大器；110
‑
基础电路；120
‑
共栅极缓冲器；130
‑
偏置电路；140
‑
保护电路；
[0024]111
‑
第一支路；112
‑
第二支路；131
‑
第一偏置电路；132
‑
第二偏置电路。
具体实施方式
[0025]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0026]因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0027]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0028]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
[0029]下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0030]在现有技术中，分布式放大器通常采用多级连接的结构，在每一级放大电路之间，通常需要多个电感器来实现连接。在该放大电路设计的早期，由于片上电感的面积通常很大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括基础电路、共栅级缓冲器、偏置电路和保护电路；所述基础电路为两级共源结构，所述共栅级缓冲器与所述基础电路的输出端连接且一端接地，所述偏置电路包括第一偏置电路和第二偏置电路，所述第一偏置电路与所述共栅级缓冲器的输出端连接为所述共栅级缓冲器提供偏置电压，所述偏置电路与所述基础电路的输出端连接为所述基础电路提供偏置电压，所述保护电路与所述基础电路的输入端连接且一端连地。2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述基础电路包括第一支路和第二支路，分别设置有第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管共用同一偏置电流。3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一支路包括第一晶体管、第一电阻、第一电容和第一电感，所述第一晶体管的栅极与所述第一电感连接，且所述第一电感通过保护电路连接有电压输入端；所述第一电阻和所述第一电容连接并与所述第一晶体管和所述第一电感并联。4.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一晶体管漏极连接第二电感输入端，所述第二电感输出端连接地。5.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二支路包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极连接有第三电感，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗刚，李谊，詹海挺，周芷怡，周嘉波，罗俊，
申请(专利权)人：上海米硅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：