半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开的目的在于提供一种能够实现装置的小型化、并且确保焊料接合部中的接合可靠性的半导体装置。而且，在本公开的半导体装置(51)中，多个绝缘包覆导线(7)分别使中央区域的绝缘包覆部(72)与半导体元件(1)的表面接触且跨越半导体元件(1)将一端以及另一端接合到DBC基板(8)的上电极(3)中的连接区域(3b)。多个绝缘包覆导线(7)与多个金属导线(6)同样地沿着X方向设置。多个绝缘包覆导线(7)分别以无松弛的状态设置，所以具有向焊料接合部(2)的方向按压半导体元件(1)的按压力。方向按压半导体元件(1)的按压力。方向按压半导体元件(1)的按压力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法


[0001]本公开涉及使用焊料对基板连接半导体元件的结构的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，对半导体装置的可靠性要求越来越高，特别要求提高关于将热膨胀系数差大的半导体元件和电路基板接合的接合部的寿命可靠性。
[0003]以往，作为半导体元件，广泛使用将硅(Si)、镓砷(GaAs)作为构成材料的元件，其动作温度是100℃～125℃。作为将这些半导体元件接合到电路基板的焊料部件，要求满足用于应对制造时的多阶段焊料接合的高熔点、针对与起动/停止相伴的反复热应力的耐裂纹性、以及器件的耐污染性的焊料部件。
[0004]针对该要求，使用将以下材料作为构成材料的焊料部件：在Si器件中是95Pb
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5Sn(质量％)，在镓砷器件中是80Au
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20Sn(质量％)等。然而，含有大量有害的铅(Pb)的95Pb
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5Sn从环境负荷降低的观点来看存在问题，并且包含大量贵金属的80Au
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20Sn从贵金属高价、储藏量这点上存在问题，都强烈期本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，具备：基板；以及半导体元件，在所述基板上隔着焊料接合部设置，所述基板和所述半导体元件通过所述焊料接合部接合，所述半导体装置还具备：金属导线，一端与所述半导体元件连接，另一端与所述基板连接；以及绝缘包覆导线，具有导线部和覆盖所述导线部地设置的绝缘包覆部，与所述金属导线独立地设置，跨越所述半导体元件将一端以及另一端与所述基板连接，所述绝缘包覆导线以所述绝缘包覆部与所述半导体元件的表面接触的形式设置，具有向所述焊料接合部的方向按压所述半导体元件的按压力。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述金属导线包括分别沿着第1方向设置的多个金属导线，所述绝缘包覆导线包括分别沿着所述第1方向设置的多个绝缘包覆导线，所述多个绝缘包覆导线在俯视时未与所述多个金属导线重复。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述金属导线包括分别沿着第1方向设置的多个金属导线，所述绝缘包覆导线包括分别沿着与所述第1方向交叉的第2方向设置的多个绝缘包覆导线，所述多个绝缘包覆导线与所述多个金属导线无接触关系。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述基板包括：绝缘基体；以及上电极，设置于所述绝缘基体的上表面，所述上电极具有第1连接区域以及第2连接区域，所述金属导线的另一端在所述上电极的所述第1连接区域被连接，所述绝缘包覆导线的一端以及另一端在所述上电极的所述第2连接区域被连接，所述第1连接区域和所述第2连接区域相互电气独立。5.根据权利要求4所述的半导体装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎浩次，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：