一种碳化硅功率模块制造技术

本申请实施例属于电子器件领域，涉及一种碳化硅功率模块。所述碳化硅功率模块包括：绝缘基板、电路层、引脚和塑封层；所述电路层设于所述绝缘基板上，所述引脚设于所述电路层上，所述绝缘基板上设有与所述电路层和引脚间隔设置的连接件，所述绝缘基板、连接件、电路层和引脚嵌入所述塑封层内，所述绝缘基板远离所述电路层的表面穿出所述塑封层，所述引脚远离所述电路层的一端穿出所述塑封层。本申请中连接件能够增加绝缘基板与塑封层之间的接触面积，进而增强绝缘基板与塑封料之间的粘合力，避免出现分裂；当外部湿气沿着绝缘基板与塑封层之间的分裂缝隙侵入碳化硅功率模块时被连接件抵挡，连接件延长了湿气浸入的路径，进而提高了产品的可靠性。了产品的可靠性。了产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅功率模块


[0001]本申请涉及电子器件
，更具体地，涉及一种碳化硅功率模块。

技术介绍

[0002]功率模块内设置有高压驱动电路和低压驱动电路，通常需要更优的散热效果，为了能更好的散热，功率模块背部金属基板均需要裸漏在外；尤其是功率模块内部采用碳化硅的功率器件时，可工作于更高电压和更高温度环境下，有更高的压差和温变，对材料直接的粘合强度以及防潮性要求也更高。在特殊恶劣的应用环境下，传统的裸漏外基板的模块，基板与塑封层之间易出现粘合强度不足导致分裂的问题，从而导致外部湿气从分裂缝隙通过最短路径进入模块内部，进而导致功率模块失效。

技术实现思路

[0003]本申请实施例在于提供一种碳化硅功率模块，用于解决特殊恶劣的应用环境下，裸漏外基板的模块，基板于塑封料之间难免出现粘合强度不足导致分裂的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本申请实施例提供一种碳化硅功率模块，采用了如下所述的技术方案：
[0005]一种碳化硅功率模块，包括：绝缘基板、电路层、引脚和塑封层；所述电路层设于所述绝缘基板上，所述引脚设于所述电路层上，所述绝缘基板上设有与所述电路层和引脚间隔设置的连接件，所述绝缘基板、连接件、电路层和引脚嵌入所述塑封层内，所述绝缘基板远离所述电路层的表面穿出所述塑封层，所述引脚远离所述电路层的一端穿出所述塑封层。
[0006]进一步地，所述连接件为凸台。
[0007]进一步地，所述绝缘基板的侧壁还设有粗糙结构，所述粗糙结构嵌于所述塑封层内。
[0008]进一步地，位于所述连接件与电路层之间的所述塑封层的绝缘耐压值，高于所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值；位于所述连接件与引脚之间的所述塑封层的绝缘耐压值，高于所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值。
[0009]进一步地，位于所述连接件与电路层之间的所述塑封层的绝缘耐压值，至少为所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值的两倍；位于所述连接件与引脚之间的所述塑封层的绝缘耐压值，至少为所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值的两倍。
[0010]进一步地，所述电路层包括布线层和至少三个电路元件；所述布线层设于所述绝缘基板上，所述电路元件和引脚设于所述布线层上，所述电路元件之间电连接或者所述电路元件与所述布线层电连接；所述布线层和电路元件均嵌入塑封层内。
[0011]进一步地，所述电路元件包括功率管、肖特基二极管和驱动芯片。
[0012]进一步地，所述绝缘基板包括绝缘层和金属基板，所述绝缘层设于所述金属基板上，所述电路层设于所述绝缘层上，所述连接件设于所述金属基板上并沿所述绝缘层的外
周设置，所述绝缘层和金属基板均嵌入塑封层内，所述金属基板远离所述绝缘层的表面穿出所述塑封层。
[0013]进一步地，所述塑封层为环氧树脂层。
[0014]进一步地，所述塑封层中含有高导热率材料，所述高导热率材料为角型和/或球型。
[0015]与现有技术相比，本申请实施例主要有以下有益效果：通过在绝缘基板上设置连接件，一方面增加了绝缘基板与塑封层之间的接触面积，进而增强绝缘基板与塑封料之间的粘合力，降低特殊恶劣的应用环境下绝缘基板与塑封层之间出现分裂的问题；另一方面，当处于潮湿环境下时，外部湿气沿着绝缘基板与塑封层之间的分裂缝隙侵入碳化硅功率模块时，被连接件抵挡，连接件延长了湿气浸入的路径，进而提高了产品的可靠性。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请的方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一个简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本申请实施例提供的一种碳化硅功率模块的正面结构示意图；
[0018]图2是本申请实施例提供的一种碳化硅功率模块的背面结构示意图；
[0019]图3是图1中省略塑封层之后的正面结构示意图；
[0020]图4是图1中A
‑
A处的剖视图；
[0021]图5是图4中B处的放大图。
[0022]附图标记：1、绝缘基板；11、绝缘层；12、金属基板；2、电路层；21、布线层；22、电路元件；221、功率管；222、肖特基二极管；223、驱动芯片；23、金属线；3、引脚；4、塑封层；5、连接件。
具体实施方式
[0023]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请
的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本申请的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
[0024]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0025]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0026]本申请实施例提供一种碳化硅功率模块，如图1至图4所示，所述碳化硅功率模块，包括：绝缘基板1、电路层2、引脚3和塑封层4；所述电路层2设于所述绝缘基板1上，所述引脚
3设于所述电路层2上，所述绝缘基板1上设有与所述电路层2和引脚3间隔设置的连接件5，所述绝缘基板1、连接件5、电路层2和引脚3嵌入所述塑封层4内，所述绝缘基板1远离所述电路层2的表面穿出所述塑封层4，所述引脚3远离所述电路层2的一端穿出所述塑封层4。
[0027]本申请实施例提供的一种碳化硅功率模块的有益效果为：通过在绝缘基板1上设置连接件5，一方面增加了绝缘基板1与塑封层4之间的接触面积，进而增强绝缘基板1与塑封料之间的粘合力，降低特殊恶劣的应用环境下绝缘基板1与塑封层4之间出现分裂的问题；另一方面，当处于潮湿环境下时，外部湿气沿着绝缘基板1与塑封层4之间的分裂缝隙侵入碳化硅功率模块时，被连接件5抵挡，连接件5延长了湿气浸入的路径，进而提高了产品的可靠性。
[0028]如图3至图5所示，进一步地，所述连接件5为凸台。所述连接件5可以为多个间隔设置于所述绝缘基板1上的凸台，也可以为沿所述绝缘基板1临近所述电路层2的一面外沿设置的环形凸台。
[0029]如图3所示，本申请实施例中，所述连接件5为环形凸台；环形凸台可以保证外部湿气无论从哪一方向侵入碳化硅功率模块均被抵挡。
[0030]进一步地，所述绝缘基板1的侧壁还设有粗糙结构(未示出)，所述粗糙结构嵌于所述塑封层4内。所述粗糙结构可以进一步增加绝缘基板1与塑封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅功率模块，其特征在于，包括：绝缘基板、电路层、引脚和塑封层；所述电路层设于所述绝缘基板上，所述引脚设于所述电路层上，所述绝缘基板上设有与所述电路层和引脚间隔设置的连接件，所述绝缘基板、连接件、电路层和引脚嵌入所述塑封层内，所述绝缘基板远离所述电路层的表面穿出所述塑封层，所述引脚远离所述电路层的一端穿出所述塑封层。2.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块，其特征在于，所述连接件为凸台。3.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块，其特征在于，所述绝缘基板的侧壁还设有粗糙结构，所述粗糙结构嵌于所述塑封层内。4.根据权利要求1至3任一项所述的碳化硅功率模块，其特征在于，位于所述连接件与电路层之间的所述塑封层的绝缘耐压值，高于所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值；位于所述连接件与引脚之间的所述塑封层的绝缘耐压值，高于所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值。5.根据权利要求4所述的碳化硅功率模块，其特征在于，位于所述连接件与电路层之间的所述塑封层的绝缘耐压值，至少为所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值的两倍；位于所述连接件与引...

【专利技术属性】
技术研发人员：张焕云，
申请(专利权)人：深圳市思米半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：