半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具备基板、导电部、封固树脂以及导电部间电线。上述基板具有在厚度方向上相互朝向相反侧的基板主面及基板背面。上述导电部由导电性材料构成且形成在上述基板主面上。并且，导电部包含相互分离的第一部及第二部。上述封固树脂覆盖上述基板的至少一部分以及上述导电部的整体。上述导电间线与上述导电部的上述第一部及上述第二部导通接合。的上述第一部及上述第二部导通接合。的上述第一部及上述第二部导通接合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本公开涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0002]作为各种半导体装置之一，存在被称为IPM(Intelligent Power Module：智能功率模块)的半导体装置。这样的半导体装置具备半导体芯片、控制半导体芯片的控制芯片、以及覆盖半导体芯片及控制芯片的封固树脂(参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2020
‑
4893号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]控制芯片具有多种控制信号的输入输出。控制信号的数量越多，则需要使朝向控制芯片的导通路径的数量越多。但是，在如现有技术那样由多个引线构成上述导通路径的形态中，半导体装置的进一步的高集成化可能变得困难。
[0008]本公开是鉴于上述情况而完成的，其一个课题在于提供一种能够实现更高集成化的半导体装置。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]由本公开的第一方案提供的半导体装置具备：基板，其具有在厚度方向上相互朝向相反侧的基板主面及基板背面；导电部，其由导电材料构成且形成在上述基板主面上，上述导电部包含相互分离的第一部及第二部；封固树脂，其覆盖上述基板的至少一部分及上述导电部的整体；以及导电部间电线，其与上述第一部及上述第二部导通接合。
[0011]专利技术的效果如下。
[0012]在上述半导体装置中，在基板主面上形成有导电部。由此，能够由形成在基板主面上的导电部构成朝向配置在基板主面上的电子器件的导通路径。因此，与例如由金属制的引线构成导通路径的情况相比，能够实现导通路径的细线化、高密度化。并且，导电部间电线与导电部的相互分离的第一部和第二部导通接合。因此，相比在第一部与第二部之间配置有连接布线、电子器件的情况等使将第一部与第二部连接的连接布线大幅度地绕过配置的情况，能够缩短导通路径，并且导通路径的设计的自由度变大。根据这样的半导体装置，能够实现高集成化的促进。
[0013]通过参照附图在下文中进行的详细说明，本公开的其它特征以及优点会变得更加明确。
附图说明
[0014]图1是示出第一实施方式的半导体装置的立体图。
[0015]图2是示出图1的半导体装置的俯视图。
[0016]图3是示出图1的半导体装置的俯视图，且是透过封固树脂的图。
[0017]图4是示出图1的半导体装置的仰视图。
[0018]图5是沿着图3的V
‑
V线的剖视图。
[0019]图6是图3的局部放大图。
[0020]图7是沿着图6的VII
‑
VII线的剖视图。
[0021]图8是示出图1的半导体装置的基板的俯视图。
[0022]图9是示出图1的半导体装置的制造方法的一例的一个工序的流程图。
[0023]图10是示出第二实施方式的半导体装置的局部放大俯视图。
[0024]图11是示出第三实施方式的半导体装置的局部放大俯视图。
[0025]图12是示出第四实施方式的半导体装置的局部放大俯视图。
[0026]图13是示出第五实施方式的半导体装置的局部放大俯视图。
[0027]图14是示出第六实施方式的半导体装置的局部放大俯视图。
[0028]图15是示出第一实施方式的半导体装置的变形例的局部放大俯视图。
具体实施方式
[0029]以下，参照附图，对本公开的优选的实施方式进行具体说明。
[0030]在本公开中，“某物A形成于某物B”以及“某物A形成在某物B上”在没有特别说明的情况下，包含“某物A直接形成于某物B”以及“在某物A与某物B之间夹设他物且某物A形成于某物B”。同样，“某物A配置于某物B”以及“某物A配置在某物B上”在没有特别说明的情况下，包含“某物A直接配置于某物B”以及“在某物A与某物B之间夹设他物且某物A配置于某物B”。同样，“某物A位于某物B上”在没有特别说明的情况下，包含“某物A与某物B接触且某物A位于某物B上”以及“在某物A与某物B之间夹设他物且某物A位于某物B上”。并且，“某物A与某物B在沿某方向观察时重叠”在没有特别说明的情况下，包含“某物A与某物B的全部重叠”以及“某物A与某物B的一部分重叠”。
[0031]图1～图8示出第一实施方式的半导体装置。图示的半导体装置A1具备多个引线11～15(以下也适当地称为引线1)、基板2、多个接合部25、导电部3、两个半导体芯片4、两个控制装置5、多个无源元件6、多个电线71、多个电线72、电线73a、73b以及封固树脂8。在本实施方式中，半导体装置A1是IPM(Intelligent Power Module)，但本公开并不限定于此。半导体装置A1例如用于空调器、马达控制设备等用途。
[0032]图1是示出半导体装置A1的立体图。图2是示出半导体装置A1的俯视图。图3是示出半导体装置A1的俯视图，且是透过封固树脂8的图。图3中，用假想线(双点划线)示出封固树脂8的外形。图4是示出半导体装置A1的仰视图。图5是沿着图3的V
‑
V线的剖视图。图6是图3的局部放大图。图7是沿着图6的VII
‑
VII线的剖视图。图7中省略了封固树脂8。图8是示出基板2的俯视图。
[0033]为了便于说明，如图1所示，将基板2的厚度方向设为z方向。并且，将与z方向正交且相互正交的两个方向中的一方设为x方向，将另一方设为y方向。如图2～图4所示，x方向沿基板2的相互平行的一组边延伸。y方向沿基板2的相互平行的另一组边延伸。有时也将沿z方向观察(沿厚度方向观察)称为俯视。
[0034]基板2呈板状，沿z方向观察时的形状为在x方向上较长的矩形。基板2的厚度(z方向的尺寸)例如为0.1mm～1.0mm左右。此外，基板2的各尺寸没有限定。基板2由绝缘性的材料构成。基板2的材料没有特别限定。作为基板2的材料，例如优选与封固树脂8的材料相比导热率较高的材料。作为基板2的材料，例如可以举出氧化铝(Al2O3)、氮化硅(SiN)、氮化铝(AlN)、含氧化锆的氧化铝等陶瓷。
[0035]基板2具有基板主面21以及基板背面22。基板主面21以及基板背面22是在z方向上相互朝向相反侧的面，均是与z方向正交的平坦面。基板主面21是朝向图5的上方的面。在基板主面21形成有导电部3以及多个接合部25，并搭载有多个引线1以及多个电子器件。多个电子器件例如包含两个半导体芯片4、两个控制装置5以及多个无源元件6。即，“电子器件”不是简单的导电体，而是具有预定功能的器件。基板背面22是朝向图5的下方的面。如图4所示，基板背面22从封固树脂8露出。基板主面21以及基板背面22的形状均为矩形。基板2的形状并不限定于图示例子。
[0036]导电部3形成在基板2上。在本实施方式中，导电部3形成在基板2的基板主面21上。导电部3由导电性材料构成。该导电性材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备：基板，其具有在厚度方向上相互朝向相反侧的基板主面及基板背面；导电部，其由导电性材料构成且形成在上述基板主面上，包含相互分离的第一部及第二部；封固树脂，其覆盖上述基板的至少一部分及上述导电部的整体；以及导电部间电线，其与上述第一部及上述第二部导通接合。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述导电部包含与上述第一部及上述第二部分离的第三部，上述导电部间电线在上述厚度方向上观察时与上述第三部重叠。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还具备电子器件，该电子器件与上述导电部电连接，而且配置在上述基板主面上，上述导电部间电线在上述厚度方向上观察时与上述电子器件重叠。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备配置在上述基板主面上的接合电子器件，上述接合电子器件与上述第一部导通接合。5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，上述导电部具备与上述第一部连接的第一布线和与上述第一布线连接的第四部。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，还具备配置在上述基板主面上的接合电子器件，上述接合电子器件与上述第四部导通接合。7.根据权利要求4或6所述的半导体装置，其特征在于，上述接合电子器件是热敏电阻。8.根据权利要求4或6所述的半导体装置，其特征在于，上述接合电子器件是控制装置。9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备：第一引线，其配置在上述基板主面上，并且导...

【专利技术属性】
技术研发人员：石松祐司，滨宪治，原英夫，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：