集成温控电路的功率半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种集成温控电路的功率半导体器件，其内部电路包括温度检测模块、比较模块、控制模块和功率开关管，其中温度检测模块的输出端连接比较模块的输入端，比较模块的输出端连接控制模块的第一输入端，控制模块的第二输入端连接功率半导体器件的控制极，控制模块的输出端连接功率开关管的控制极，温度检测模块的电源负极、比较模块的电源负极和功率开关管的输出负极共接，通过内部设置温控电路，以此能准确的检测器内部的功率开关管的工作温度，并在工作温度异常时，其控制模块输出控制信号通过控制功率开关管的控制极使得功率开关管停止工作，从而准确的实现了对功率开关管的过温保护。关管的过温保护。关管的过温保护。

【技术实现步骤摘要】
集成温控电路的功率半导体器件


[0001]本技术涉及一种集成温控电路的功率半导体器件，属于半导体电路应用


技术介绍

[0002]功率半导体器件如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)或者LDMOS(laterally
‑
diffused metal
‑
oxide semiconductor)，是常见的开关半导体器件，前者比较多应用于600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域，后者应用于直流电压为100V及以下的逆变系统如直流电机、开关电源等领域。IGBT或者LDMOS的结直接影响其寿命和工作状态，传统的IGBT或者LDMOS应用电路，需要在其外部温度传感器再搭配控制电路，对芯片外进行温度检测，因此传统方案，温度检测点距离功率MOS管较远，且保护动作流程较复杂，不能第一时间获取功率MOS管晶圆温度，并对其保护。

技术实现思路

[0003]本技术需要解决的技术问题是解决现有的功率半导体器件温度检测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成温控电路的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件的内部电路包括温度检测模块、比较模块、控制模块和功率开关管，其中：所述温度检测模块的输出端连接所述比较模块的输入端，所述比较模块的输出端连接控制模块的第一输入端，所述控制模块的第二输入端连接所述功率半导体器件的控制极，所述控制模块的输出端连接所述功率开关管的控制极，所述温度检测模块的电源负极、所述比较模块的电源负极和所述功率开关管的输出负极共接；所述温度检测模块检测所述功率开关管的工作温度，并输出跟所述工作温度一致的电压信号，所述比较模块根据所述电压信号与基准值进行比较，输出温度是否正常的电平控制信号，所述控制模块根据所述电平控制信号控制所述功率开关管是否正常工作。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述温度检测模块包括第三NPN三极管、第四NPN三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第二PMOS管，其中所述第二PMOS管的漏极连接电源正极，所述第二PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的源极、所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端共接，所述第一电阻的另一端、所述第三NPN三极管的集电极、所述第三NPN三极管的基极和第四NPN三极管的基极共接，所述第三NPN三极管的发射极和所述第三电阻的一端共接于所述温度检测模块的电源负极，所述第二电阻的另一端和所述第四NPN三极管的集电极共接于所述温度检测模块的输出端，所述第四NPN三极管的发射极连接所述第三电阻的另一端。3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述比较模块包括第一比较器、第四电阻、第五电阻和第一电容，其中所述第四电阻的一端连接电源正极，所述第四电阻的另一端和所述第五电阻的一端共接于所述第一比较器的反相输入端，所述第一比较器的同相输入端和所述第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张焕云，
申请(专利权)人：深圳市思米半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：