【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造存储器装置的方法及经由所述方法所制造的存储器装置
技术介绍
[0001]本专利技术涉及电子领域，且更特定地说，涉及一种用于制造电子存储器装置的方法及使用所述方法所制造的存储器装置。
[0002]电子存储器装置(下文中，简称为“存储器装置”)广泛地用以将数据存储于各种电子装置中，所述电子装置例如平板计算机、计算机、无线通信装置(例如，智能手机)、相机、数字显示器及类似物。
[0003]存储器装置包括布置成一或多个存储器单元阵列的多个存储器单元，或存储器阵列。每一存储器单元用以存储呈可编程逻辑状态形式的数据。举例来说，二元存储器单元可编程成两种不同逻辑状态，常常由逻辑“1”(也称为“设置(SET)”状态)或逻辑“0”(也称为“复位(RESET)”状态)表示。在其它系统中，可存储超过两种逻辑状态。为了存取所存储数据，电子装置的模块/单元可读取或感测存储器装置中的所存储逻辑状态。为了存储数据，电子装置的模块/单元可写入或编程存储器装置中的逻辑状态。
[0004]存储器装置可属于非易失性类型或可属于易失性类型。非易失性存储器装置...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制造存储器单元的3D竖直阵列的方法，其包括：
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在衬底上形成介电材料层的堆叠，其包括彼此交替的第一介电材料层及第二介电材料层；
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穿过介电材料层的所述堆叠形成孔洞，所述孔洞暴露所述衬底；
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经由所述孔洞选择性地移除所述第二材料层以在相邻的第一介电材料层之间形成空腔；
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经由所述孔洞利用导电材料填充所述空腔以形成对应导电材料层；
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由所述导电材料层形成第一存储器单元存取线；
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经由所述孔洞实施硫属化物材料的保形沉积；
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由所述沉积的硫属化物材料形成存储器单元存储元件；
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利用导电材料填充所述孔洞以形成对应第二存储器单元存取线。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述经由所述孔洞选择性地移除所述第二材料层包括：经由所述孔洞提供蚀刻剂。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述经由所述孔洞选择性地移除所述第二材料层包括：实施选择性等向性蚀刻操作。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：穿过介电材料层的所述堆叠形成沟槽，所述沟槽暴露所述衬底，及利用第三介电材料填充所述沟槽，其中所述穿过介电材料层的所述堆叠形成孔洞包括在填充所述沟槽的所述第三介电材料中形成所述孔洞。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述穿过介电材料层的所述堆叠形成所述沟槽包括：执行选择性竖直蚀刻操作。6.根据权利要求4所述的方法，其中所述在填充所述沟槽的所述第三介电材料中形成孔洞包括：执行选择性竖直蚀刻操作。7.根据权利要求4所述的方法，其中所述衬底包括所述第三介电材料。8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述孔洞处在所述导电材料层中形成多个凹口，所述经由所述孔洞实施硫属化物材料的保形沉积是为了利用所述硫属化物材料填充所述凹口。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述形成多个凹口包括在所述孔洞的侧壁中执行等向性蚀刻操作。10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括形成延伸穿过所述衬底的多个导电触点，每一导电触点与相应第二存取存储器线相关联。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述穿过介电材料层的所述堆叠形成孔洞包括：在所述导电触点处形成孔洞以暴露所述导电触点。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述利用导电材料填充所述孔洞包括使所述导电触点与所述导电材料接触。13.根据权利要求4所述的方法，其中所述穿过介电材料层的所述堆叠形成沟槽在第二介电材料的对应第一部分中及在第二介电材料的第二部分中再分每一第二介电材料层，所述利用导电材料填充所述空腔使得：利用导电材料层的对应第一部分替换第二介电材料的每一第一部分，且
利用导电材料层的对应第二部分替换第二介电材料的每一第二部分。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述由所述导电材料层形成第一存储器...
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