一种基于无铅双钙钛矿薄膜的柔性阻变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于无铅双钙钛矿薄膜的柔性阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器的制备技术领域。本发明专利技术的柔性阻变存储器结构简单，具有以下优点：(1)采用有机聚合物材料(聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI))作为衬底，成本低廉且抗弯这能力强；(2)性能优异，具有双极性非易失存储的特点，且操作电压低、开关比高、循环耐受性好，同时机械可靠性强，可进行多次重复弯折。另外本发明专利技术的柔性阻变存储器再制备过程中采用的原料易得、制备工艺流程简单、对设备依赖性低、不含铅元素、绿色环保低毒；同时采用低温溶液旋涂法制备阻变层，避免了传统高温设备对柔性衬底造成的不可逆伤害。逆伤害。逆伤害。

【技术实现步骤摘要】
一种基于无铅双钙钛矿薄膜的柔性阻变存储器及其制备方法


[0001]本专利技术属于阻变存储器的制备
，涉及一种基于无铅双钙钛矿薄膜的柔性阻变存储器及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，由于可弯折显示屏幕、可穿戴传感器等柔性设备的兴起，柔性电子引起了广泛的关注。柔性电子设备通常采用可弯曲的有机聚合物作为衬底，而制备功能层所需要的高温环境又会使得有机聚合物衬底遭到不可逆的破坏。因此，使用低温溶液法制备柔性电子设备吸引了众多科研人员的关注。
[0003]阻变存储器以其结构简单、功耗低、运行速度快、存储密度高等优点，被认为是未来最有潜力的非易失性存储器。通常地，采用电信号激励使阻变层材料在高电阻状态和低高电阻状态之间进行切换从而完成数据的写入和擦除操作。近年来，铅基卤素钙钛矿材料因其可调的带隙宽度、较长的电荷扩散长度、较快的离子迁移率以及易于制备等优点而被广泛应用于阻变存储器中。
[0004]然而，由于铅基钙钛矿对环境和人类健康有害，限制了卤素钙钛矿材料在阻变存储器上的应用。目前广泛采用一价离子和三价离子的组合用于取代铅离子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于无铅双钙钛矿薄膜的柔性阻变存储器，其特征在于，所述柔性阻变存储器由下至上依次由柔性衬底(1)、底电极(2)、阻变层(3)、有机保护层(4)和顶电极(5)层叠组成，其中柔性衬底(1)、底电极(2)、阻变层(3)和有机保护层(4)的形状和大小相同；所述阻变层的材料为Cs2AgSbBr6双钙钛矿；所述有机保护层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇中的任意一种。2.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器，其特征在于，所述柔性衬底(1)、底电极(2)、阻变层(3)和有机保护层(4)均为方形，所述方形的变成为1～2cm；所述柔性衬底(1)为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺、厚度为0.05～0.175mm；所述底电极(2)的材料为透明导电玻璃铟锡氧化物或透明导电玻璃氟锡氧化物、厚度为100～300nm；所述阻变层(3)的厚度为200～300nm；所述有机保护层(4)的厚度为5～30nm；所述顶电极(5)的材料为银、铝或金中的任意一种、厚度为100～200nm，所述顶电极(5)为圆形或方形，其中圆形的直径为100～500μm、方形的边长为100～500μm。3.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器，其特征在于，所述Cs2AgSbBr6双钙钛矿按照如下方法制备：a、制备Cs2AgSbBr6前驱液：将溴化铯、溴化银和溴化锑加入有机溶剂中，在60～70℃的温度下搅拌使其混合均匀，制备得到黄色的Cs2AgSbBr6前驱液；b、制备Cs2AgSbBr6双钙钛矿：将所述Cs2AgSbBr6前驱液滴加到预处理后的底电极(2)上，先以500～1000rpm转速旋转3～5s，再以3000～4000rpm转速旋转40～60s，最后在85～140℃下退火20～30mins，冷却至室温即可在底电极(2)上形成Cs2AgSbBr6双钙钛矿。4.根据权利要求3所述的柔性阻变存储器，其特征在于，所述溴化铯、溴化银、溴化锑和有机溶剂的质量体积比为0...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉婵，许楠楠，袁一鸣，曾福嘉，陈光昊，冉倩，张文霞，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：