一种电源防反接电路及一种电子设备制造技术

本实用新型专利技术涉及电子技术领域，尤其涉及一种电源防反接电路及一种电子设备。所述电源防反接电路包括电源、负载，还包括防反接单元、反接被动保护单元以及控制单元；防反接单元包括NMOS管和偏置电阻，NMOS管的栅极与所述控制单元相连，源极与电源输入正端相连，漏极与电源输出正端相连；反接被动保护单元用于在电源反接时瞬速关闭所述NMOS管，反接被动保护单元的第一端与所述电源输入正端相连，第二端与电源地端相连，第三端与控制单元的输出端相连。采用上述技术方案后，有效解决了电源反接时，NMOS管关闭迟滞的问题，增强了对NMOS管以及整个电路的保护，提高了电路的可靠性及功能安全性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种电源防反接电路及一种电子设备


[0001]本技术涉及电子
，尤其涉及一种电源防反接电路及一种电子设备。

技术介绍

[0002]随着汽车电子行业的飞速发展，越来越多的电机控制器安装在汽车上以便实现更多的智能化功能，对电机控制器的电源防反接保护电路的耐久性、可靠性、稳定性以及成本的要求越来越严格，特别是与汽车安全部件相关的产品，例如电动助力转向系统等。
[0003]现有的电机控制器防反接电路，基于功耗、成本和采购方便的考虑，绝大多数选用的是NMOS管电路。在此背景下，选用NMOS管(N型金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管)作为防反接保护的电路越来越多。现有的基于NMOS管的电源防反接电路中，当电源正接时，所述控制信号控制NMOS管导通，负载正常工作；当电源反接时，所述控制信号控制NMOS管关闭，NMOS管的寄生二极管截止，进而电源电路断开，起到电源防反接的保护作用。
[0004]但是，随着对电路的可靠性及功能安全性要求的提高，没有保护防反接保护电路的电路的缺陷显得越来约大，对防反接电路失效的担心越来越受到关注。一方面，在电源反接时，控制NMOS管关闭的控制信号传输存在延迟，加上NMOS管的寄生电容以及电路中其它寄生电容的存在，电源反接时，NMOS管并不会立刻关闭，而NMOS管关闭的迟滞，会给NMOS管本身和整个电路带来较大安全隐患。

技术实现思路

[0005]为了克服上述技术缺陷，本技术的目的在于提供一种电源防反接电路及一种电子设备，在基于NMOS管的电源防反接电路中设置反接被动保护单元，解决了现有技术中电源反接时关闭迟滞的技术问题。
[0006]本技术公开了一种电源防反接电路，包括电源、负载，还包括：防反接单元、反接被动保护单元以及控制单元；所述防反接单元包括NMOS管和偏置电阻，其中，所述NMOS管的栅极与所述控制单元相连，源极与电源输入正端相连，漏极与电源输出正端相连；所述偏置电阻的两端分别与所述NMOS管的源极和栅极相连；所述反接被动保护单元用于在所述电源反接时瞬速关闭所述NMOS管，其中，所述反接被动保护单元的第一端与所述电源输入正端相连，第二端与电源地端相连，第三端与所述控制单元的输出端相连。
[0007]进一步地，所述反接被动保护单元包括NPN型三极管、二极管以及第二限流电阻，其中，所述NPN型三极管的发射极与所述电源输入正端相连，基极通过第二限流电阻与所述电源地端相连，集电极与所述控制单元的输出端相连；所述二极管用于在所述电源正接时截止所述反接被动保护单元。
[0008]进一步地，所述二极管连接于所述发射极和所述电源输入正端之间，所述二极管的正极与所述发射极相连。
[0009]进一步地，所述二极管还可以连接于所述基极与所述电源地端之间，且所述二极管的正极与所述电源地端相连，所述发射极与所述电源输入正端之间串联有第三限流电
阻。
[0010]进一步地，所述控制单元的输出端与所述防反接单元之间串联有第一限流电阻；所述二极管为肖特基二极管。
[0011]进一步地，所述防反接单元包括常规保护器件，所述常规保护器件包括稳压二极管。
[0012]进一步地，所述NPN型三极管为无内置电阻的NPN型三极管。
[0013]本技术还公开了一种电子设备，包括上述的电源防反接电路。
[0014]采用了上述技术方案后，与现有技术相比，具有以下有益效果：
[0015]通过设置反接被动保护单元，有效解决了电源反接时，NMOS管关闭迟滞的问题，既增强了对NMOS管的保护，也增强了对整个电路的保护，提高了电路的可靠性及功能安全性。
附图说明
[0016]图1为符合本技术的电源防反接电路的结构框图；
[0017]图2为实施例1的电源防反接电路的电路原理图；
[0018]图3为实施例2的电源防反接电路的电路原理图。
[0019]附图标记：
[0020]Uin+
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电源输入正端，Uin
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电源输入正端，Uout
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电源输出正端，RL
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负载，Ctrl
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控制单元输出端，R1
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第一限流电阻，Q1
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NMOS管，S
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NMOS管源极，D
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NMOS管漏极，G
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NMOS管栅极，R0
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偏置电阻，D1
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稳压二极管，Q2
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三极管，D2
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二极管，R2
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第二限流电阻，R3
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第三限流电阻。
具体实施方式
[0021]以下结合附图与具体实施例进一步阐述本技术的优点。
[0022]这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置的例子。
[0023]在本公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本公开。在本公开和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
[0024]应当理解，尽管在本公开可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，例如，“第一限流电阻”、“第二限流电阻”、“第三限流电阻”等，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。
[0025]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0026]在本技术的描述中，除非另有规定和限定，需要说明的是，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
[0027]实施例1
[0028]参阅图1，为符合本技术的电源防反接电路的结构框图，本技术提供的电源防反接电路，包括电源、负载，还包括：防反接单元、反接被动保护单元以及控制单元。
[0029]结合图1和图2，所述防反接单元包括NMOS管Q1和偏置电阻R0，其中，Q1的栅极G与所述控制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源防反接电路，包括电源、负载，其特征在于，还包括：防反接单元、反接被动保护单元以及控制单元；所述防反接单元包括NMOS管和偏置电阻，其中，所述NMOS管的栅极与所述控制单元相连，源极与电源输入正端相连，漏极与电源输出正端相连；所述偏置电阻的两端分别与所述NMOS管的源极和栅极相连；所述反接被动保护单元用于在所述电源反接时瞬速关闭所述NMOS管，其中，所述反接被动保护单元第一端与所述电源输入正端相连，第二端与电源地端相连，第三端与所述控制单元的输出端相连。2.如权利要求1所述的电源防反接电路，其特征在于，所述反接被动保护单元包括NPN型三极管、二极管以及第二限流电阻，其中，所述NPN型三极管的发射极与所述电源输入正端相连，基极通过第二限流电阻与所述电源地端相连，集电极与所述控制单元的输出端相连；所述二极管用于在所述电源正接时截止所述反接被动保护单元。3.如权利要求2所述的电源防反接电路，其特征在于，所述二极管连接于所述发射极和...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟飞，
申请(专利权)人：上海海拉电子有限公司，
类型：新型
国别省市：