一种基于双波长集成一体式DML的PONOLT制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于双波长集成一体式DML的PON OLT。采用双波长集成一体式DML芯片，在PON OLT应用中，将两个波长集成在一起，形成2合1一体式发射TO封装，相对于两个光源的独立封装，减少了合波、CAP、管座等元器件。利用这种新型2合1TX

【技术实现步骤摘要】
一种基于双波长集成一体式DML的PON OLT


[0001]本技术涉及光通信
，具体涉及一种基于双波长集成一体式 DML的PON OLT。

技术介绍

[0002]光纤接入网络作为新一代宽带解决方案已经被广泛应用，为用户提供高带宽、全业务的接入平台。而FTTH(FiberTO The Home，光纤到户，将光纤直接接至用户家)更是被称为是最理想的业务透明网络，是接入网发展的最终方式。
[0003]在多种方案中，采用点到多点(P2MP)的光纤接入方式PON(PassiveOptical Network，无源光纤网络)是最佳选择。PON是一种应用于接入网，局端设备(OLT)与多个用户端设备(ONU/ONT)之间通过无源的光缆、光分/合路器(Splitter)等组成的光分配网(ODN)连接的网络。“无源”的关键是在OLT和ONU之间的ODN是没有任何有源电子设备的光接入网，正因为此“无源”特性，使得PON这种纯介质网络可以避免外部设备的电磁干扰和雷电影响，减少线路和外部设备故障率，提高了系统可靠性，同时减少了维护成本。
[0004]图1所示为低速PON系统的基本架构。局端设备OLT 11和用户端设备12 是有源的，两者之间通过光纤及无源Splitter 13连接。上行及下行光信号通过波分复用在同一根光纤里传输，下行波长为1490nm，上行波长为1310nm。
[0005]由于近年来网络电视、游戏以及虚拟现实等应用的快速发展，光纤接入网络开始向更高速率升级，10G速率的PON系统开始进入商用。国际标准组织(IEEE,ITU等)将10G速率PON系统(包括10G
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EPON，XGPON1，XGSPON 等)的下行波长确定在1575
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1580nm之间(一般用1577nm来表示)，上行波长确定为1270nm。
[0006]图2所示是10G
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PON系统的架构，传统低速PON ONU 12和10G
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PONONU 22必须在同一个PON系统里共存(Co
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existence)。10G
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PON OLT 21 需要能够同时支持传统低速ONU及10G速率的ONU。这样10G
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PON系统通过波分复用同时会有4个波长在一根光纤里传输，包括1577nm，1490nm的下行波长，和1270nm，1310nm的上行波长。传统10G
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PON OLT 21系统包含(或插入了)一个或多个传统10G
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PON OLT模块25。此传统10G
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PON OLT模块 25包括一个1577nm电吸收外调制激光器(EML)及一个1490nm分布式反馈激光器(DFB)，如图2中201及202所示。
[0007]10G
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PON系统包括10G
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EPON，Combo
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PON等不同的技术方案，光器件及光模块的设计也有很大不同。10G
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PON光组件实现WDM波分的设计有多种，包括TO方案，Gold Box(金盒子)，以及基于平面波导(PlanarWaveguide) 的混合集成方案等等。目前市场上流行的基本上是成本相对较低的TO方案，如图3所示。10G
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EPON OSA封装需要3个TO，包括一个独立的1577nm Tx
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TO31，一个独立的1490nm Tx
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TO 32，和一个APD
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TO 33，通过Base，滤波片，隔离器，透镜等分立元件组装成一体。而Combo
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PON OSA封装则需要4个TO 组成，除了独立的1577nm TO 31和独立的1490nm TO 32之外，还需要一个 2.5G或10G 1270nm APD
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TO 34和一个1.25G 1310nm APD
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TO 35。
[0008]无论是10G
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EPON或者Combo
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PON，都需要两个独立封装的发射光源，从而造成封装复杂，成本高，光模块内部密度过大，生产难度大等问题。
[0009]综上所述，现有技术中的10G
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PON系统(无论是10G
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EPON或Combo
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PON等)，由于Co
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exist的网络要求，需要采用一个独立的1577nmEML和一个独立的1490nmDFB。从技术方案上有如下缺点：EML激光器本身工艺复杂，成本高昂，而且输出光功率偏低；两个独立的光源需要单独封装；光组件整体成本高；光组件尺寸大，尤其是Combo
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PON，模块上需要子母板结构，布局复杂，生产良率低。

技术实现思路

[0010]为解决上述问题，本技术提供了一种基于双波长集成一体式直接调制激光器(DML)的PONOLT，双波长集成一体式DML能够在同一光路上输出两个不同的发射波长；PONOLT为10G
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PONOLT，10G
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PONOLT中采用1490nm及1577nm双波长集成一体式DML作为10G
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PON的下行光源；或者，PONOLT为25G
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PONOLT，25G
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PONOLT中采用1358nm及1577nm双波长集成一体式DML作为25G
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PON的下行光源；或者，PONOLT为50G
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PONOLT，50G
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PONOLT中采用1342nm及1577nm双波长集成一体式DML作为50G
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PON的下行光源。
[0011]本技术还提供了一种如前所述的基于双波长集成一体式DML的PONOLT的封装，双波长集成一体式DML封装在双波长集成一体式发射TO中。
[0012]优选地，双波长集成一体式发射TO中还包括双波长激光器TO管座。
[0013]优选地，双波长集成一体式发射TO中还包括TEC制冷器、热敏电阻、MPD和CAP组成的群组中的至少一个。
[0014]优选地，PONOLT为10G
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EPONOLT。
[0015]优选地，10G
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EPONOLT为2TOBOSA结构。
[0016]优选地，PONOLT为Combo
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PONOLT。
[0017]优选地，Combo
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PONOLT为3TOTriplexerOSA结构。
[0018]优选地，Combo
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PONOLT包括2合1APD接收TO。
[0019]优选地，Combo
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PONOLT为2TOBOSA结构。
[0020]本技术的有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于双波长集成一体式直接调制激光器(DML)的PON OLT，其特征在于，所述双波长集成一体式DML能够在同一光路上输出两个不同的发射波长；所述PON OLT为10G
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PON OLT，所述10G
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PON OLT中采用1490nm及1577nm双波长集成一体式DML作为10G
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PON的下行光源；或者，所述PON OLT为25G
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PON OLT，所述25G
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PON OLT中采用1358nm及1577nm双波长集成一体式DML作为25G
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PON的下行光源；或者，所述PON OLT为50G
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PON OLT，所述50G
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PON OLT中采用1342nm及1577nm双波长集成一体式DML作为50G
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PON的下行光源。2.根据权利要求1所述的PON OLT，其特征在于，所述双波长集成一体式DML封装在双波长集成一体式发射TO中。3.根据权利要求2所述的PON OLT，其特征在于，所述双波长集成一体式发射TO中还...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文，奚燕萍，
申请(专利权)人：日照市艾锐光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：