一种条形沟道平板耦合波导半导体光放大器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种条形沟道平板耦合波导半导体光放大器及其制备方法，属于半导体光放大器领域。本发明专利技术采用具有高折射率的条形沟道波导层与有源区平板耦合，条形沟道波导层与有源区之间由低折射率材料的N型隔离层隔开，通过改变N型隔离层的厚度、沟道波导层的材料组分或厚度可以大范围地改变光场限制因子和调节模场光斑大小。通过降低光场限制因子和扩大模场光斑，能够使半导体光放大器的饱和功率得到非常显著的提高。到非常显著的提高。到非常显著的提高。

【技术实现步骤摘要】
一种条形沟道平板耦合波导半导体光放大器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体光放大器领域，具体涉及一种条形沟道平板耦合波导半导体光放大器及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体光放大器是光网络中的一个重要的功能性器件，它既可以在其线性区被用于光信号的直接线性放大，又可以在其饱和区被用于实现功率均衡等非线性功能。对光波信号进行线性放大是光放大器最传统的应用方式，具体地可以分为发射端光源后置放大、在线放大以及接收端探测器前置放大。掺铒光纤放大器(EDFA)是常用的在线放大器，其在饱和功率、噪声指数、增益偏振相关度等方面都具有很好的性能。但EDFA由于增益材料的限制，其工作波长只能较方便地覆盖以1550nm为中心的C波段。相对而言，半导体光放大器虽然在饱和功率、噪声指数等性能上不如EDFA，但通过调整有源区的材料，半导体光放大器能够覆盖广泛的工作波段。此外，半导体光放大器还具有体积小、易于集成等优点，拥有广阔的应用场景。
[0003]常见的半导体光放大器有脊波导结构和掩埋异质结结构。脊波导半导体光放大器是最为常见的结构，其脊形波导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种条形沟道平板耦合波导半导体光放大器，其特征在于，所述半导体光放大器由下至上至少包括N型衬底层、波导层和有源区，所述波导层包括条形沟道波导区域和位于其两侧的注入电子限制区域，所述条形沟道波导区域包括依次层叠的沟道波导层和N型隔离层；所述沟道波导层的折射率大于所述N型衬底层的折射率，所述N型隔离层的折射率低于分别位于其上下两侧的所述有源区和沟道波导层。2.根据权利要求1所述的条形沟道平板耦合波导半导体光放大器，其特征在于，所述半导体光放大器还包括位于所述有源区上方依次层叠的P型包层、P侧欧姆接触层和P侧电极，以及位于所述N型衬底层下方的N侧电极。3.根据权利要求1所述的条形沟道平板耦合波导半导体光放大器，其特征在于，所述有源区包括N侧分别限制层、多层应变量子阱
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垒叠层和P侧分别限制层。4.根据权利要求1所述的条形沟道平板耦合波导半导体光放大器，其特征在于，所述条形沟道波导区域的截面为矩形、三角型或梯形。5.根据权利要求1所述的条形沟道平板耦合波导半导体光放大器，其特征在于，所述注入电子限制区域为与所述N型衬底层材料相同的P型掺杂外延层；或者所述注入电子限制区域为利用离子扩散的方式在所述N型衬底层上得到的P型掺杂层；或者所述注入电子限制区域为与...

【专利技术属性】
技术研发人员：李洵，牛传宁，奚燕萍，李文，
申请(专利权)人：日照市艾锐光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：