一种发光组件制造技术

技术编号:35986898 阅读:10 留言:0更新日期:2022-12-17 23:00
本发明专利技术提供了一种发光组件,包括紫光LED灯珠和白光LED灯珠;发光组件的发光光谱特性包括:在[400nm,410nm]波长区间内存在第一波峰,第一波峰的相对发光强度取值范围为[20%,40%];在[445nm,470nm]波长区间内至少存在第二波峰,第二波峰的相对发光强度取值范围为[35%,55%];在[580nm,600nm]波长区间内存在第三波峰,第三波峰的相对发光强度取值范围为[90%,100%];在[510nm,520nm]波长区间内的相对发光强度取值范围为[45%,60%];在[530nm,550nm]波长区间内的相对发光强度取值范围为[45%,60%];在[660nm,670nm]波长区间内的相对发光强度取值范围为[20%,40%]。该发光组件利用LED灯珠组合发光模拟金卤灯光谱以达到替代金卤灯的目的,具有功耗低、环保等优点。优点。优点。

【技术实现步骤摘要】
一种发光组件


[0001]本专利技术涉及到发光器件领域,具体涉及到一种发光组件。

技术介绍

[0002]图1示出了现有技术下的一种用于光诱集鱼的金卤灯的光谱图。
[0003]目前捕鱼业中用于光诱的光源以金卤灯为主,金卤灯的工作原理是在汞和金属卤化物混合蒸汽中产生电弧放电并发光,根据填充的金属卤化物的不同,不同金卤灯的光谱特性不同。
[0004]金卤灯的光谱多以不连续的波峰组成,因为光谱的不连续性,导致金卤灯的发光效率低,在相同照度情况下金卤灯的能耗比LED光源高;而且由于金卤灯内部填充了汞,在使用过程中如有破损,重金属汞泄露会对环境造成污染。

技术实现思路

[0005]为了弥补现有金卤灯的不足,本专利技术公开了一种发光组件,该发光组件利用LED灯珠组合发光模拟金卤灯光谱以达到替代金卤灯的目的,具有发光效率高、显色指数高、对环境友好、材料安全环保等优点。
[0006]相应的,本专利技术提供了一种发光组件,包括紫光LED灯珠和白光LED灯珠;
[0007]所述发光组件基于所述紫光LED灯珠和所述白光LED灯珠组合发光,且所述发光组件的发光光谱特性包括:
[0008]在[400nm,410nm]波长区间内存在第一波峰,所述第一波峰的相对发光强度取值范围为[20%,40%];
[0009]在[445nm,470nm]波长区间内至少存在第二波峰,所述第二波峰的相对发光强度取值范围为[35%,55%];
[0010]在[580nm,600nm]波长区间内存在第三波峰,所述第三波峰的相对发光强度取值范围为[90%,100%];
[0011]在[510nm,520nm]波长区间内的相对发光强度取值范围为[45%,60%];
[0012]在[530nm,550nm]波长区间内的相对发光强度取值范围为[45%,60%];
[0013]在[660nm,670nm]波长区间内的相对发光强度取值范围为[20%,40%]。
[0014]可选的实施方式,所述紫光LED灯珠包括紫光LED芯片,且所述紫光LED灯珠基于所述紫光LED芯片发光。
[0015]可选的实施方式,所述白光LED灯珠包括蓝光芯片和荧光粉,且所述白光LED灯珠基于所述蓝光芯片激发所述荧光粉发光。
[0016]可选的实施方式,所述紫光LED芯片的发射峰值波长取值范围为[400nm,410mm]。
[0017]可选的实施方式,所述蓝光芯片的类型为第一类蓝光芯片,所述第一类蓝光芯片的发射峰值波长取值范围为[440nm,480nm]。
[0018]可选的实施方式,所述蓝光芯片的类型为第二类蓝光芯片和第三类蓝光芯片;
[0019]所述第二类蓝光芯片的发射峰值波长取值范围为[445nm,455nm];
[0020]所述第三类蓝光芯片的发射峰值波长取值范围为[460nm,470nm]。
[0021]可选的实施方式,在[445nm,470nm]波长区间内还存在第四波峰,所述第四波峰的相对发光强度取值范围为[35%,55%];
[0022]所述第二波峰产生在[445nm,455nm]波长区间内,所述第四波峰产生在[460nm,470nm]波长区间内。
[0023]可选的实施方式,所述荧光粉包括:
[0024]绿色荧光粉,所述绿色荧光粉的发射峰值波长取值范围为[490nm,510nm];
[0025]黄色荧光粉,所述黄色荧光粉的发射峰值波长取值范围为[510nm,550nm];
[0026]红色荧光粉,所述红色荧光粉的发射峰值波长取值范围为[590nm,610nm]。
[0027]可选的实施方式,所述红色荧光粉的发射主波长取值范围为[620nm,625nm],发射半波宽取值范围为[75nm,80nm]。
[0028]可选的实施方式,所述黄色荧光粉与所述绿色荧光粉的质量比取值范围为[0.4,0.8]。
[0029]可选的实施方式,所述黄色荧光粉与所述绿色荧光粉的质量比取值范围为[0.6,0.7]。
[0030]可选的实施方式,所述第二波峰的相对发光强度取值范围为[40%,50%][0031]在[510nm,520nm]波长区间内的相对发光强度取值范围为[50%,60%];
[0032]和[530nm,550nm]波长区间内的相对发光强度取值范围为[50%,60%]。
[0033]可选的实施方式,所述红色荧光粉在所述荧光粉中的质量占比取值范围为[4%,7%]。
[0034]可选的实施方式,所述绿色荧光粉为氮氧化物绿色荧光粉、铝酸盐绿色荧光粉、硅酸盐绿色荧光粉、卤磷酸盐绿色荧光粉中的一种或多种;
[0035]和/或所述黄色荧光粉为GaAG黄色荧光粉、LuAG黄色荧光粉、YAG黄色荧光粉、氮化物黄色荧光粉、铝酸盐黄色荧光粉、硅酸盐黄色荧光粉、卤磷酸盐黄色荧光粉中的一种或多种;
[0036]和/或所述红色荧光粉为氮化物红色荧光粉、氮氧化物红色荧光粉、硫化物红色荧光粉、氟化物红色荧光粉中的一种或多种。
[0037]可选的实施方式,所述紫光LED灯珠和所述白光LED灯珠的数量比取值范围为1:8至1:4。
[0038]本专利技术公开了一种发光组件,该发光组件通过紫光LED灯珠和白光LED灯珠组合发光的方式,模拟金卤灯光谱以达到利用LED灯珠替代金卤灯的目的;LED灯珠选用紫光LED灯珠和基于蓝光芯片激发荧光粉得到的白光LED灯珠的组合,实施成本较低;通过合理配置紫光LED灯珠和白光LED灯珠的数量,可较为准确的模拟出金卤灯的光谱,模拟效果良好;在白光LED灯珠中,采用两个波段的蓝光芯片激发同一荧光粉的方式,以克服单一波段蓝光芯片无法良好模拟金卤灯光谱的缺陷,提升该发光组件对金卤灯的模拟效果;此外,在白光LED灯珠中,以适当比例搭配的荧光粉组合,能够同时满足白光LED灯珠中的两个波段的蓝光芯片的激发需求,以在一款白光LED灯珠中得到金卤灯所需的多个波峰特性,具有良好的实用性;由于LED灯珠光谱的连续性,该发光组件具有发光效率高、能耗低、显色指数高等优点,
且由于LED灯珠的光谱绝大部分集中在可见光部分,该发光组件可减少不可见光对生态环境的破坏;此外,由于LED灯珠在生产过程中不涉及重金属材料的使用,该发光组件相较于金卤灯更为环保。
附图说明
[0039]图1为现有技术下的一种用于光诱集鱼的金卤灯的光谱图。
[0040]图2为本专利技术实施例的发光组件的光谱图。
[0041]图3为本专利技术实施例的单波段芯片激发白光LED灯珠的光谱图。
[0042]图4为本专利技术实施例的双波段芯片激发白光LED灯珠的光谱图。
[0043]图5

图8为本专利技术实施例的不同荧光粉搭配下的白光LED灯珠的光谱与金卤灯的光谱对照示意图。
[0044]图9

图14为本专利技术实施例的紫光LED灯珠与白光LED灯珠在不同数量本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光组件,其特征在于,包括紫光LED灯珠和白光LED灯珠;所述发光组件基于所述紫光LED灯珠和所述白光LED灯珠组合发光,且所述发光组件的发光光谱特性包括:在[400nm,410nm]波长区间内存在第一波峰,所述第一波峰的相对发光强度取值范围为[20%,40%];在[445nm,470nm]波长区间内至少存在第二波峰,所述第二波峰的相对发光强度取值范围为[35%,55%];在[580nm,600nm]波长区间内存在第三波峰,所述第三波峰的相对发光强度取值范围为[90%,100%];在[510nm,520nm]波长区间内的相对发光强度取值范围为[45%,60%];在[530nm,550nm]波长区间内的相对发光强度取值范围为[45%,60%];在[660nm,670nm]波长区间内的相对发光强度取值范围为[20%,40%]。2.如权利要求1所述的发光组件,其特征在于,所述紫光LED灯珠包括紫光LED芯片,且所述紫光LED灯珠基于所述紫光LED芯片发光。3.如权利要求1所述的发光组件,其特征在于,所述白光LED灯珠包括蓝光芯片和荧光粉,且所述白光LED灯珠基于所述蓝光芯片激发所述荧光粉发光。4.如权利要求2所述的发光组件,其特征在于,所述紫光LED芯片的发射峰值波长取值范围为[400nm,410mm]。5.如权利要求3所述的发光组件,其特征在于,所述蓝光芯片的类型为第一类蓝光芯片,所述第一类蓝光芯片的发射峰值波长取值范围为[440nm,480nm]。6.如权利要求3所述的发光组件,其特征在于,所述蓝光芯片的类型为第二类蓝光芯片和第三类蓝光芯片;所述第二类蓝光芯片的发射峰值波长取值范围为[445nm,455nm];所述第三类蓝光芯片的发射峰值波长取值范围为[460nm,470nm]。7.如权利要求6所述的发光组件,其特征在于,在[445nm,470nm]波长区间内还存在第四波峰,所述第四波峰的相对发光强度取值范围为[35%,55%];所述第二波峰产生在[445nm,455nm]...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾子恒李玉容李宏浩连泽健李红
申请(专利权)人:佛山市国星光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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