直到可见光近红外线边界具有太阳光相似光谱的发光元件制造技术

本发明专利技术涉及一种具有接近太阳光的光谱的LED发光元件。本发明专利技术提供一种发光元件，其特征在于，包括：LED芯片，发射350nm～420nm的激发波长；第一荧光体组，根据所述LED芯片激发，以在400～490nm波长范围中具有多个发光峰值波长；第二荧光体组，根据所述紫外线LED芯片或所述第一荧光体的发光波长激发，以在490～690nm波长范围中具有多个发光峰值波长；以及第三荧光体，根据所述第一荧光体的发光波长激发，以具有700～900nm的发光峰值波长。具有700～900nm的发光峰值波长。具有700～900nm的发光峰值波长。

【技术实现步骤摘要】
直到可见光近红外线边界具有太阳光相似光谱的发光元件


[0001]本专利技术涉及一种LED元件，更详细地，涉及一种具有接近太阳光的光谱的LED发光元件。

技术介绍

[0002]在太阳光中，通常人眼能够感觉到的可见光波长约为380nm～770nm左右。紫外线区域根据波长的程度区分为UV
‑
A～UV
‑
C区域。UV
‑
A(315～400nm)波长主要用于固化、测量、传感器，UV
‑
B(280～315nm)区域用于分析、药物开发等，UV
‑
C(100～280nm)用于杀菌、去污等。另外，虽然红外线区域包括各种区域，但是近红外线(780～2500nm)区域被广泛用于植物照明、医疗保健(health
‑
care)照明、传感器照明等。
[0003]随着1990年代后期实现蓝色LED的商用化，出现了以蓝色LED芯片为激发光源，并使用吸收该波段的激发光源以发出黄色波长光的如钇铝柘榴石(Yttrium Alumium Garnet，YAG)等荧光体的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：LED芯片，发射350nm～420nm的激发波长；第一荧光体组，根据所述LED芯片激发，以在400～490nm波长范围中具有多个发光峰值波长；第二荧光体组，根据所述紫外线LED芯片或所述第一荧光体的发光波长激发，以在490～690nm波长范围中具有多个发光峰值波长；以及第三荧光体，根据所述第一荧光体的发光波长激发，以具有700～900nm的发光峰值波长。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第三荧光体根据420～460nm的光源激发的发光峰值为810～830nm，半宽度为120～140nm。3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，所述第三荧光体的荧光体包括ScBO
z
:Cr
z+
，1<z<4。4.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一荧光体组包括：在由(Ba,Sr)
10
(PO4)6Cl2:Eu、Sr3MgSi2O8:Eu
2+
、Y2SiO5:Ce以及Sr2P2O7:Eu组成的组中选择的至少两种荧光体。5.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第二荧光体组包括：在490～590nm范围中具有峰值波长，并且在由BaSi2(O,Cl)2N2:Eu、(Ba,Sr)Ga2S4:Eu、(Ba,Sr)Si2O4:Eu、(Y,Gd)3(Al,Ga)5O
12
:Ce、Lu3Al5O
12
:Ce以及La3Si6N
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:Ce组成的组中选择的至少一种荧光体；以及在590～750nm范围中具有峰值波长，并且在由α
‑
SiAlON:Eu、(Ca,Sr)S:Eu、(Ba,Sr,Ca)AlSiN3:Eu、(Ba,Sr)2Si5N8:Eu、Gd3Ga5O
12
:Cr以及KSF:Eu组成的组中选择的至少一种荧光体。6.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，将标准光源D50的发光光谱中，相对于550nm处发光强度的每个波长中的相对发光强度称为I
rD50
，并且将标准化所述发光元件的光谱相对于550nm处的发光强度的每个波长中的发光强度称为I
r
时，表示所述发光元件的I
r
值的曲线与表示所述标准光源D50的I
rD50
的曲线在700nm以上的波长区间彼此相交。7.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，将标准光源D50的发光光谱中，相对于550nm处发光强度的每个波长中的相对发光强度称为I
rD50
，并且将所述发光元件的光谱相对于550nm处发光强度的每个波长中的相对发光强度称为I
r
时，表示所述发光元件的I
r
值的曲线与表示所述标准光源D50的I
rD50
的曲线在740nm以上的波长区间彼此相交。8.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，将标准光源D50的发光光谱中，相对于550nm处发光强度的每个波长中的相对发光强度称为I
rD50
，并且将所述发光元件的光谱中，相对于550nm处发光强度的相对发光强度称为I
r
时，表示所述发光元件的I
r
值的曲线与表示所述标准光源D50的I
rD50
的曲线在700nm以上的波长区间彼此相交2次以上。9.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，将标准光源D50的发光光谱中，相对于550nm处发光强度的每个波长中的相对发光强度称为I
rD50
，并且将所述发光元件的光谱中，相对于550nm处发光强度的相对发光强度称为I
r
时，在400～700nm波长区间，以2nm为单位求出的I
...

【专利技术属性】
技术研发人员：金澈旻，朴钟珍，黄帝恩，金润载，
申请(专利权)人：青年科技有限责任会社，
类型：发明
国别省市：