用于单层级单元的设置切换制造技术

本申请涉及用于单层级单元SLC的设置切换。一种存储器系统可从主机接收存取命令。所述存取命令可对应于SLC块或多层级单元块。如果所述存取命令对应于SLC块，则所述存储器系统可修改所述存取命令以包含一或多个位，所述一或多个位指示用于执行对应于所述存取命令的所述存取操作的设置的一或多个位。所述设置可限定用于执行所述存取操作的一或多个操作参数。所述存储器系统可使用位来指示用于指示多层级单元块的页地址的所述设置。所述存储器系统可将所述存取命令发到存储器装置，所述存储器装置可使用所述存储器系统包含的所述一或多个位中指示的所述设置来执行所述存取操作。作。作。

【技术实现步骤摘要】
用于单层级单元的设置切换
[0001]交叉引用
[0002]本专利申请主张由西西里阿尼(Siciliani)等人于2022年5月04日提交的标题为“用于单层级单元的设置切换(SETTING SWITCHING FOR SINGLE
‑
LEVEL CELLS)”的第17/736,902号美国专利申请和西西里阿尼等人于2021年6月16日提交的标题为“用于单层级单元的设置切换(SETTING SWITCHING FOR SINGLE
‑
LEVEL CELLS)”的第63/211,341号美国临时专利申请的优先权，所述申请中的每一者转让给本受让人且所述申请中的每一者明确地以全文引用的方式并入本文中。


[0003]
涉及用于单层级单元的设置切换。

技术介绍

[0004]存储器装置广泛地用于将信息存储在例如计算机、用户装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可被编程为两个支持状态中的一者，通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能状态，所述两个可能状态中的任一者可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。
[0005]存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、3维交叉点存储器(3D交叉点)、或非(NOR)和与非(NAND)存储器装置等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。除非由外部电源周期性地刷新，否则易失性存储器单元(例如，DRAM单元)可能随着时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，NAND存储器单元)即使在不存在外部电源的情况下仍可在很长一段时间内维持其编程状态。

技术实现思路

[0006]描述一种设备。所述设备可包含存储器装置和控制器，所述控制器与所述存储器装置耦合且经配置以使所述设备进行以下操作：从主机系统接收针对所述存储器装置的存取命令；确定所述存取命令是否对应于所述存储器装置的单层级单元；至少部分地基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元而修改所述存取命令以包含一或多个位，所述一或多个位指示用于存取单层级单元块的一或多个存储器单元的设置；以及基于所述修改，向所述存储器装置发出包含指示用于所述单层级单元块的所述设置的所述一或多个位的所述存取命令。
[0007]描述一种设备。所述设备可包含存储器阵列和控制器，所述控制器与所述存储器
阵列耦合且经配置以使所述设备进行以下操作：从存储器系统接收存取命令；确定所述存取命令是否对应于所述存储器阵列的单层级单元；以及基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元，使用由所述存取命令的一或多个位指示的用于单层级单元块的设置来执行对应于所述存取命令的存取操作。
[0008]描述一种存储代码的非暂时性计算机可读媒体。存储代码的所述非暂时性计算机可读媒体可包含指令，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置进行以下操作：从主机系统接收针对存储器装置的存取命令；确定所述存取命令是否对应于所述存储器装置的单层级单元；基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元而修改所述存取命令以包含一或多个位，所述一或多个位指示用于存取单层级单元块的一或多个存储器单元的设置；以及基于所述修改，向所述存储器装置发出包含指示用于所述单层级单元块的所述设置的所述一或多个位的所述存取命令。
[0009]描述一种存储代码的非暂时性计算机可读媒体。存储代码的所述非暂时性计算机可读媒体可包含指令，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置进行以下操作：从存储器系统接收存取命令；确定所述存取命令是否对应于存储器装置的单层级单元；以及基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元，使用由所述存取命令的一或多个位指示的用于单层级单元块的设置来执行对应于所述存取命令的存取操作。
[0010]描述一种方法。所述方法可包含：从主机系统接收针对存储器装置的存取命令；确定所述存取命令是否对应于所述存储器装置的单层级单元；基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元而修改所述存取命令以包含一或多个位，所述一或多个位指示用于存取单层级单元块的一或多个存储器单元的设置；以及基于所述修改，向所述存储器装置发出包含指示用于所述单层级单元块的所述设置的所述一或多个位的所述存取命令。
附图说明
[0011]图1和2说明根据本文所公开的实例的支持用于单层级单元(SLC)的设置切换的系统的实例。
[0012]图3和4说明根据本文所公开的实例的支持用于SLC的设置切换的过程流的实例。
[0013]图5说明根据本文所公开的实例的支持用于SLC的设置切换的一组存储器单元的实例。
[0014]图6展示根据本文所公开的实例的支持用于SLC的设置切换的存储器系统的框图。
[0015]图7展示根据本文所公开的实例的支持用于SLC的设置切换的存储器装置的框图。
[0016]图8和9展示流程图，说明根据本文所公开的实例的支持用于SLC的设置切换的一或多个方法。
具体实施方式
[0017]在一些存储器系统中，一组多个设置(例如，微调参数)可用于对存储器单元块执行存取操作(例如，读取、写入或擦除操作)。举例来说，存储器系统可使用第一设置(例如，一组微调参数)来执行相对快速(即，与其它设置相比)的存取命令。在一些情况下，存储器阵列的特定分区中的多个存储器单元块可使用相同设置。一些存储器系统可使用块地址范围或根据存储器单元块的分区来确定存储器单元块的设置。然而，在一些情况下，来自第一
分区(例如，块的第一范围)的存储器单元块可替换来自第二范围或分区的不良存储器单元块，其中第一范围和第二范围可经配置以用于不同设置。在此类情况下，使用块地址范围方案确定存储器单元块的设置可能引起使用与先前用于写入到存储器单元块的设置(例如，微调参数)不同的设置(例如，微调参数)来从存储器单元块读取信息。在一些实例中，用于存取操作的设置中的此类偏差潜在地可能导致存取操作失败、系统时延增加，或这两者。
[0018]为了缓解使用不匹配先前设置的设置对存储器单元块执行存取操作的情况，存储器系统可支持在存取命令中动态地指示设置。通过使用存取命令来具体指示要使用哪个设置，存储器系统可将存储器装置配置成使用前一存取操作所用的相同设置，使得存取操作不会导致非预期的电压阈值分布或失败的读取操作。在一些情况下，存储器系统可使用存取命令的一或多个位指示用于所述存取命令的设置。举例来说，相比于其它存储器单元块，例如多层级单元块(例如，多层级单元(MLC)块、三层级单元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：存储器装置；以及控制器，其与所述存储器装置耦合且经配置以使所述设备进行以下操作：从主机系统接收针对所述存储器装置的存取命令；确定所述存取命令是否对应于所述存储器装置的单层级单元；至少部分地基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元而修改所述存取命令以包括一或多个位，所述一或多个位指示用于存取单层级单元块的一或多个存储器单元的设置；以及至少部分地基于所述修改，向所述存储器装置发出包括指示用于所述单层级单元块的所述设置的所述一或多个位的所述存取命令。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器还经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于确定所述存取命令是否对应于所述单层级单元，确定所述一或多个位是指示用于存取所述单层级单元块的所述设置还是指示页地址的至少部分。3.根据权利要求2所述的设备，其中：所述一或多个位对应于用于所述存取命令的一或多个位索引；以及所述一或多个位索引经配置以在所述存取命令对应于所述单层级单元的情况下指示用于存取所述单层级单元块的所述设置或在所述存取命令对应于多层级单元的情况下指示所述页地址的至少所述部分。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器还经配置以使所述设备进行以下操作：从所述主机系统接收针对所述存储器装置的额外存取命令；确定所述额外存取命令是否对应于所述存储器装置的额外单层级单元；以及至少部分地基于确定所述额外存取命令未能对应于所述额外单层级单元而确定所述额外存取命令包括对应于与所述一或多个位相同的一或多个位索引的额外一或多个位，所述额外一或多个位指示多层级单元块的页地址的至少部分。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器还经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于所述主机系统的使用数据，选择多个单层级单元的分区；以及至少部分地基于所选择分区而确定用于所述单层级单元块的所述设置，其中修改所述存取命令以包括指示用于所述单层级单元块的所述设置的所述一或多个位还至少部分地基于确定所述设置。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器还经配置以使所述设备进行以下操作：从所述主机系统且在接收所述存取命令之前接收指示单层级单元模式的前缀命令，其中确定所述存取命令对应于所述单层级单元至少部分地基于所述前缀命令指示所述单层级单元模式。7.根据权利要求1所述的设备，其中用于存取所述单层级单元块的所述设置限定用于对应于所述存取命令的存取操作的一或多个操作参数。8.根据权利要求7所述的设备，其中所述一或多个操作参数包括在所述存取操作期间施加的电压、在所述存取操作期间施加所述电压的持续时间、用于所述存取操作的参考电压、用于所述存取操作的编程验证命令，或其任何组合。9.根据权利要求1所述的设备，其中用于所述单层级单元块的所述设置包括动态单层
级单元、静态单层级单元、高耐久性单层级单元或产生状态感知单层级单元。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述存取命令还包括指示列地址的第一一或多个位、指示页地址的第二一或多个位、指示平面设置的第三一或多个位、指示块地址的第四一或多个位、指示逻辑单元地址的第五一或多个位，或其任何组合。11.根据权利要求1所述的设备，其中所述存取命令包括读取命令或写入命令或擦除命令。12.一种设备，其包括：存储器阵列；以及控制器，其与所述存储器阵列耦合且经配置以使所述设备进行以下操作：从存储器系统接收存取命令；确定所述存取命令是否对应于所述存储器阵列的单层级单元；以及至少部分地基于确定所述存取命令对应于所述单层级单元，使用由所述存取命令的一或多个位指示的用于单层级单元块的设置来执行对应于所述存取命令的存取操作。13.根据权利要求12所述的设备，其中所述控制器还经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于确定所述存取命令是否对应于所述单层级单元，确定所述存取命令的所述一或多个位是指示用于所述单层级单元块的所述设置还是指示页地址的至少部分。14.根据权利要求13所述的设备，其中：所述一或多个位对应于用于所述存取命令的一或多个位索引；以及所述一或多个位索引经配置以在所述存取命令对应于所述单层级单元的情况下指示用于所述单层级单元块的所述设置或在所述存取命令对应于多层级单元的情况下指示所述页地址的至少所述部分。15.根据权利要求12所述的设备，其中所述控制器还经配置以使所述设备进行以下操作：从所述存储器系统接收额外存取命令；确定所述额外存取命令是否对应于所述存储器阵列的额外单层级单元；以及至少部分地基于确定所述额外存取命令未能对应于所述额外单层级单元，针对由所述额外存取命令的额外一或多个位指示的页地址执行对应于所述额外存取命令的额外存取操作，其中所述额外一或多个位对应于与所述一或多个位相同的一或多个位索引。16.根据权利要求12所述的设备，其中经配置以使所述设备执行所述存取操作的所述控制器经配置以使所述设备进行以下操作：针对所述存取操作，使用由用于所述单层级单元块的所述设置限定的一或多个操作参数。17.根据权利要求16所述的设备，其中所述一或多个操作参数包括在所述存取操作期间施加的电压、在所述存取操作期间施加所述电压的持续时间、用于所述存取操作的参考电压、用于所述存取操作的编程验证命令，或其任何组合。18.根据权利要求12所述的设备，其中所述存取命令包括读取命令，且经配置以使所述设备执行所述存取操作的所述控制器经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于用于所述单层级单元块的所述设置而确定所述单层级单元块的状态；
以及向所述存储器系统且响应于所述存取命令而发出所述单层级单元块的所述状态的指示。19.根据权利要求12所述的设备，其中所述存取命令包括写入命令或擦除命令，且经配置以使所述设备执行所述存取操作的所述控制器经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于用于所述单层级单元块的所述设置和所述存取命令而将电压施加...

【专利技术属性】
技术研发人员：U，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：