【技术实现步骤摘要】
一种SIC晶圆减薄用钻石研磨液及其制备方法
[0001]本专利技术涉及SIC 晶圆减薄用钻石研磨液
,具体而言,涉及一种SIC 晶圆减薄用钻石研磨液及其制备方法。
技术介绍
[0002]SiC晶圆是生产制造IC的基本原材料。硅晶圆的生产过程通常是基于纯净度做到99.999%的纯光伏材料,这种纯硅需要被做成硅晶棒,历经照相制版、研磨、打磨抛光、切成片等程序流程,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,随后切成一片一片的、薄薄硅晶圆。基于硅晶圆能够生产加工制做成各种各样电路元件,生产制造出有特殊电性功能的集成电路芯片产品。SiC晶圆加工主要经历切断、外径滚圆、切片、倒角、研磨、腐蚀清洗、刻蚀、抛光等。
[0003]而在研磨环节,容易存在研磨液抛光效率低、易沉淀、划痕大等技术问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种SIC 晶圆减薄用钻石研磨液及其制备方法,以解决S在研磨环节,容易存在研磨液抛光效率低、易沉淀、划痕大等技术问题。
[0005]本专利技术通过以下技术方案实现:一种SIC 晶圆减薄用钻石研磨液,包括:以质量份计,钻石粉末0.01
‑
5份硅烷偶联剂 0.01
‑
2份两性离子表面活性剂 0.005
‑
1份分散剂 0.005
‑
1份PH调节剂 0.01
‑
3份悬浮稳定剂 0.005
‑
1份无水乙醇 0.01
‑
1份油 50
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种SIC 晶圆减薄用钻石研磨液,其特征在于,包括:以质量份计,钻石粉末0.01
‑
5份硅烷偶联剂 0.01
‑
2份两性离子表面活性剂 0.005
‑
1份分散剂 0.005
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1份PH调节剂 0.01
‑
3份悬浮稳定剂 0.005
‑
1份无水乙醇 0.01
‑
1份油 50
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100份去离子水 50
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100份。2.根据权利要求1所述的一种SIC 晶圆减薄用钻石研磨液,其特征在于,所述钻石粉末为3.5um粉末。3.根据权利要求1所述的一种SIC 晶圆减薄用钻石研磨液,其特征在于,所述硅烷偶联剂选用乙烯基三甲氧基硅烷。4.根据权利要求1所述的一种SIC 晶圆减薄用...
【专利技术属性】
技术研发人员:向定艾,
申请(专利权)人:德阳展源新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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