一种SIC晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液及其制备方法技术

技术编号:35835056 阅读:23 留言:0更新日期:2022-12-03 14:05
本发明专利技术提供了一种SIC晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液,包括:以质量份计,氧化铝粉末10

【技术实现步骤摘要】
一种SIC晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液及其制备方法


[0001]本专利技术涉及氧化铝抛光液
,具体而言,涉及一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液及其制备方法。

技术介绍

[0002]SiC晶圆是生产制造IC的基本原材料。硅晶圆的生产过程通常是基于纯净度做到99.999%的纯光伏材料,这种纯硅需要被做成硅晶棒,历经照相制版、研磨、打磨抛光、切成片等程序流程,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,随后切成一片一片的、薄薄硅晶圆。基于硅晶圆能够生产加工制做成各种各样电路元件,生产制造出有特殊电性功能的集成电路芯片产品。
[0003]而在SiC晶圆抛光过程中,容易出现损伤、沉降等问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液及其制备方法,以解决SiC晶圆抛光过程中,出现的损伤、沉降等技术问题。
[0005]本专利技术通过以下技术方案实现:一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液,其特征在于,包括:以质量份计,氧化铝粉末 10

20份碳化硅粉末 5

10份消泡剂 1

5份分散剂 1

5份表面活性剂 2

5份PH调节剂 2

3份抗氧化剂 0.1

0.3份去离子水 50

100份所述抛光液为碱性。
[0006]进一步来说,所述氧化铝粉末选用 α

Al2O3;氧化铝粉末粒径为0.1

1um。
[0007]进一步来说,所述碳化硅粉末选用β

SiC;碳化硅粉末0.5

2 um。
[0008]进一步来说,所述消泡剂选用GP型甘油聚醚。
[0009]进一步来说,所述分散剂选用甲基戊醇。
[0010]进一步来说,所述表面活性剂选用十六烷基硫酸钠。
[0011]进一步来说,所述PH调节剂选用有机碱或无机碱。
[0012]进一步来说,所述抗氧化剂选用三乙醇胺。
[0013]一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液的制备方法,包括如下步骤:S1.将去离子水进行加热;S2.依次向加热后的去离子水中加入分散剂、表面活性剂、消泡剂搅拌至混合均
匀;S4.添加进行醇洗后的碳化硅粉末,搅拌均匀后,进行微波辐射处理;S5.在微波辐射处理环境下,添加经无水乙醇清洗后的氧化铝粉末,进行搅拌,搅拌过程中再添加抗氧化剂,最后得到混合均匀的混合液。
[0014]S6.最后向混合液中添加PH调节剂,使得混合液PH值为12

13,得到氧化铝抛光液。
[0015]进一步来说,碳化硅粉末的用量少于氧化铝粉末用量的二分之一;整个制备过程均在加热与搅拌条件下进行。
[0016]本专利技术实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果:本专利技术配方中添加有碳化硅粉末,在降低晶圆表面损伤得到同时,提高了抛光效率,还利用碳化硅特性,在微波辐射条件下,减少聚集、沉降。
具体实施方式
[0017]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。
[0018]实施例1一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液,包括:以质量份计,氧化铝粉末 10份碳化硅粉末 5份GP型甘油聚醚 1份甲基戊醇 1份十六烷基硫酸钠 2份有机碱或无机碱 2份抗氧化剂 0.1

0.3份三乙醇胺 50

100份所述抛光液为碱性。
[0019]一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液的制备方法,包括如下步骤:S1.将去离子水进行加热;S2.依次向加热后的去离子水中加入分散剂、表面活性剂、消泡剂搅拌至混合均匀;S4.添加进行醇洗后的碳化硅粉末,搅拌均匀后,进行微波辐射处理;S5.在微波辐射处理环境下,添加经无水乙醇清洗后的氧化铝粉末,进行搅拌,搅拌过程中再添加抗氧化剂,最后得到混合均匀的混合液。
[0020]S6.最后向混合液中添加PH调节剂,使得混合液PH值为12

13,得到氧化铝抛光液。
[0021]对制得的氧化铝抛光液进行性能测试。SIC晶片去除率13um/h,Ra值0.2nm,良品率能达96%。一个月后体系几乎没有变化(未沉降)。
[0022]对比例1对在市面上购买的氧化铝抛光液(上海新安纳生产)进行性能测试。抛光后表面粗糙度Ra<0.15μm,抛光速率大于1μm/h,抛光液10天后开始沉降。
[0023]相比对比例1中的氧化铝抛光液,本专利技术具有更优异稳定体系。
[0024]以上仅为本专利技术的优选实施例而已,并不用于限制本专利技术,对于本领域的技术人员来说,本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液,其特征在于,包括:以质量份计,氧化铝粉末 10

20份碳化硅粉末 5

10份消泡剂 1

5份分散剂 1

5份表面活性剂 2

5份PH调节剂 2

3份抗氧化剂 0.1

0.3份去离子水 50

100份所述抛光液为碱性。2.根据权利要求1所述的一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液,其特征在于,所述氧化铝粉末选用 α

Al2O3;氧化铝粉末粒径为0.1

1um。3.根据权利要求2所述的一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液,其特征在于,所述碳化硅粉末选用β

SiC;碳化硅粉末0.5

2 um。4.根据权利要求1所述的一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液,其特征在于,所述消泡剂选用GP型甘油聚醚。5.根据权利要求1所述的一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:向定艾
申请(专利权)人:德阳展源新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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