【技术实现步骤摘要】
一种SIC晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液及其制备方法
[0001]本专利技术涉及氧化铝抛光液
,具体而言,涉及一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液及其制备方法。
技术介绍
[0002]SiC晶圆是生产制造IC的基本原材料。硅晶圆的生产过程通常是基于纯净度做到99.999%的纯光伏材料,这种纯硅需要被做成硅晶棒,历经照相制版、研磨、打磨抛光、切成片等程序流程,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,随后切成一片一片的、薄薄硅晶圆。基于硅晶圆能够生产加工制做成各种各样电路元件,生产制造出有特殊电性功能的集成电路芯片产品。
[0003]而在SiC晶圆抛光过程中,容易出现损伤、沉降等问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液及其制备方法,以解决SiC晶圆抛光过程中,出现的损伤、沉降等技术问题。
[0005]本专利技术通过以下技术方案实现:一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液,其特征在于,包括:以质量份计,氧化铝粉末 10
‑
20份碳化硅粉末 5
‑
10份消泡剂 1
‑
5份分散剂 1
‑
5份表面活性剂 2
‑
5份PH调节剂 2
‑
3份抗氧化剂 0.1
‑
0.3份去离子水 50
‑
100份所述抛光液为碱性。
[0006]进一步来说,所述氧化铝粉末选用 α
‑
Al2O3;氧化铝 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液,其特征在于,包括:以质量份计,氧化铝粉末 10
‑
20份碳化硅粉末 5
‑
10份消泡剂 1
‑
5份分散剂 1
‑
5份表面活性剂 2
‑
5份PH调节剂 2
‑
3份抗氧化剂 0.1
‑
0.3份去离子水 50
‑
100份所述抛光液为碱性。2.根据权利要求1所述的一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液,其特征在于,所述氧化铝粉末选用 α
‑
Al2O3;氧化铝粉末粒径为0.1
‑
1um。3.根据权利要求2所述的一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液,其特征在于,所述碳化硅粉末选用β
‑
SiC;碳化硅粉末0.5
‑
2 um。4.根据权利要求1所述的一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液,其特征在于,所述消泡剂选用GP型甘油聚醚。5.根据权利要求1所述的一种SIC 晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:向定艾,
申请(专利权)人:德阳展源新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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