一种SiC晶圆切割金刚石切割线的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种SiC晶圆切割金刚石切割线的制备方法，包括：以下步骤：S1.对不锈钢线进行清洗；S2.对金刚石粉末进行化学镀处理；S3.对不锈钢线进行电镀S2中得到的金刚石粉末；S4.添加碳化硅进行电镀处理；S5.对S4中复合电镀后得到的中间产物进行砂镀得到金刚石切割线。本发明专利技术在制备切割线时，复镀碳化硅，能实现既能保证高效切割，又能降低晶圆损伤。又能降低晶圆损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种SiC晶圆切割金刚石切割线的制备方法


[0001]专利技术涉及SiC晶圆切割金刚石切割线
，具体而言，涉及一种SiC晶圆切割金刚石切割线的制备方法。

技术介绍

[0002]SiC晶圆是生产制造IC的基本原材料。硅晶圆的生产过程通常是基于纯净度做到99.999%的纯光伏材料，这种纯硅需要被做成硅晶棒，历经照相制版、研磨、打磨抛光、切成片等程序流程，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，随后切成一片一片的、薄薄硅晶圆。基于硅晶圆能够生产加工制做成各种各样电路元件，生产制造出有特殊电性功能的集成电路芯片产品。因此SiC晶圆划片是整个芯片生产制造工艺流程中的一道不可或缺的工序。
[0003]而在SiC晶圆划片全过程中，因为金刚石切割线硬度过高，容易造成晶圆损伤，因此，急需一种既能保证高效切割的切割线，又能降低晶圆损伤的新型切割线。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种SSiC晶圆切割金刚石切割线的制备方法，以解决当下没有一种既能保证高效切割，又能降低晶圆损伤的新型切割线。
[0005]本专利技术通过以下技术方案实现：一种SiC晶圆切割金刚石切割线的制备方法，包括：以下步骤：S1.对不锈钢线进行清洗；S2.对金刚石粉末进行化学镀处理；S3.对不锈钢线进行电镀S2中得到的金刚石粉末；S4.添加碳化硅进行电镀处理；S5.对S4中复合电镀后得到的中间产物进行砂镀得到金刚石切割线。
[0006]进一步来说，在所述S2中，对金刚石粉末进行化学镀处理，包括如下步骤：S21.对金刚石粉末进行除油、水洗、酸洗再水洗处理；S22.进行活化、还原、镀镍合金处理得到包覆有镍合金的金刚石粉末。
[0007]本专利技术实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果：（1）本专利技术在制备切割线时，复镀碳化硅，能实现既能保证高效切割，又能降低晶圆损伤。
具体实施方式
[0008]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0009]实施例1一种SiC晶圆切割金刚石切割线的制备方法，其特征在于，包括：以下步骤：
S1.对不锈钢线进行清洗；S2.对金刚石粉末进行化学镀处理；S3.对不锈钢线进行电镀S2中得到的金刚石粉末；S4.添加碳化硅进行电镀处理；S5.对S4中复合电镀后得到的中间产物进行砂镀得到金刚石切割线。
[0010]其中，在所述S2中，对金刚石粉末进行化学镀处理，包括如下步骤：S21.对金刚石粉末进行除油、水洗、酸洗再水洗处理；S22.进行活化、还原、镀镍合金处理得到包覆有镍合金的金刚石粉末。
[0011]对比例1对购买的科晶金刚石切割线进行试验。试验结果如下表：试验结果表明本专利技术制备的金刚石切割效率明显增加，且对圆晶损伤更小。
[0012]以上仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC晶圆切割金刚石切割线的制备方法，其特征在于，包括：以下步骤：S1.对不锈钢线进行清洗；S2.对金刚石粉末进行化学镀处理；S3.对不锈钢线进行电镀S2中得到的金刚石粉末；S4.添加碳化硅进行电镀处理；S5.对S4中复合电镀后得到的中间产物进行砂镀得到金刚石切...

【专利技术属性】
技术研发人员：向定艾，
申请(专利权)人：德阳展源新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：