一种模拟芯片电路设计系统及方法技术方案

本发明专利技术涉及模拟芯片电路设计领域，尤其涉及一种模拟芯片电路设计系统及方法。一种模拟芯片电路设计系统，包括：智能制造单元，用以进行模拟芯片电路的制造；智能检测单元，用以检测模拟芯片电路的电路信息；所述电路信息包括模拟芯片的响应速度、各电路温度、电路间距和硅脂层涂敷厚度；中控单元，用以将所述智能检测单元检测到的电路信息与其预设标准进行比对并根据比对结果进行分析判定是否对所述智能制造单元进行相应的调节；用户服务单元，其与所述智能制造单元、所述智能检测单元和所述中控单元相连，用以对各单元进行主动控制。在保证制造速度的同时，提高了本发明专利技术制得的模拟芯片的性能。芯片的性能。芯片的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种模拟芯片电路设计系统及方法


[0001]本专利技术涉及模拟芯片电路设计领域，尤其涉及一种模拟芯片电路设计系统及方法。

技术介绍

[0002]模拟信号是连接真实世界和数字世界的桥梁，相对于确定和离散的0和1，模拟是感性的。这种“感性”，广泛存在于模拟芯片的全生命周期中。由于需要把花花世界里的声音、光线、图像、无线电、各类效应等等信息转化为电信号，从我们熟悉的AD/DA、电源、射频、放大，到我们不太熟悉的接口、音频、时钟、功率、隔离等等，在信号变为0和1以前，都归模拟管。因此模拟芯片的品类众多，产品线众多，同时，如何高效地制造出性能良好的模拟芯片成为当下人们较为关注的热点。
[0003]中国专利公开号CN110489842A公开了一种模拟单元电路的辅助设计系统及分析方法，包括电路结构读入模块、设计指标读入模块、实例生成模块和分析模块；所述电路结构读入模块将模拟单元电路结构输入至实例生成模块；所述设计指标读入模块将模拟单元电路对应的设计指标输入至实例生成模块，所述实例生成模块生成实例集，并将实例集输入至分析模块进行仿真分析；从而得到模拟单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种模拟芯片电路设计设计方法，其特征在于，包括：s1、模拟芯片制造，智能制造单元根据用户服务单元输入的指令制造模拟芯片；s2、模拟芯片检测，当所述智能制造单元制造模拟芯片完成时，智能检测单元试运行模拟芯片、在运行过程中检测和记录模拟芯片电路信息并将测得的模拟芯片电路信息传送至中控单元；s3、电路信息分析，所述中控单元接收到电路信息时将电路信息分别与对应的预设标准进行比对并根据比对结果进行分析判定是否对所述智能制造单元制造的模拟芯片的对应参数进行调节。2.根据权利要求1所述的模拟芯片电路设计设计方法，其特征在于，所述中控单元在所述智能制造单元制造模拟芯片完成时将所述智能检测单元检测到的该模拟芯片的响应速度V与预设标准进行比对以判定该模拟芯片的响应速度是否符合预设标准；所述中控单元设有第一预设响应速度Vz1和第二预设响应速度Vz2，其中，0＜Vz1＜Vz2，若V＜Vz1，所述中控单元判定该模拟芯片的响应速度符合预设标准并将判定信息传送至所述用户服务单元并对芯片体积是否能够缩小进行进一步判定；若Vz1≤V≤Vz2，所述中控单元判定该模拟芯片的响应速度符合预设标准并将判定信息传送至所述用户服务单元；若Vz2＜V，所述中控单元判定该模拟芯片的响应速度不符合预设标准并将各电路温度与预设标准进行比对以判定响应速度不符合预设标准的具体原因。3.根据权利要求2所述的模拟芯片电路设计设计方法，其特征在于，所述中控单元在判定模拟芯片的响应速度不符合预设标准时依次计算智能检测单元检测到的各电路温度与预设标准温度Tz的差值并将各差值分别与预设标准进行比对以判定是否存在温度不符合预设标准的电路，对于模拟芯片中的第i个电路，设定i＝1,2,3，...，n，中控单元将智能检测单元检测得的该电路的温度记为Ti并将Ti与Tz的差值记为
△
Ti，设定
△
Ti＝Ti－Tz；所述中控单元设有预设标准温差
△
Tz，其中，0＜
△
Tz，若
△
Ti≤
△
Tz，所述中控单元判定该电路温度符合预设标准；若
△
Ti＞
△
Tz，所述中控单元判定该电路温度不符合预设标准、根据电路温度不符合预设标准的电路的数量与预设标准的比对结果判定如何对所述智能制造单元的制造参数进行调节并将判定信息传送至所述用户服务单元。4.根据权利要求3所述的模拟芯片电路设计设计方法，其特征在于，所述中控单元在将
△
Ti与预设标准温差
△
Tz进行比对以判定该电路是否存在温度不符合预设标准的问题的判定完成时将电路温度不符合预设标准的电路的数量N与预设标准进行比对以判定是否对所述智能制造单元的制造参数进行调节；所述中控单元设有第一预设数量N1和第二预设数量N2，其中，0＜N1＜N2，若N≤N1，所述中控单元判定无需调节所述智能制造单元并将判定信息传送至所述用户服务单元并发出对电路温度不符合预设标准的电路进行人工检查的提醒信息；若N1＜N≤N2，所述中控单元判定根据各电路温度Ti的平均值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的制造参数进行调节；若N2＜N，所述中控单元判定无需调节所述智能制造单元、将判定信息传送至所述用户服务单元同时发出对智能制造单元进行故障排查的提醒信息。
5.根据权利要求4所述的模拟芯片电路设计设计方法，其特征在于，所述中控单元在判定根据各电路温度Ti的平均值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的参数进行调节时计算各电路的平均温度并将与预设标准进行比对以判定如何对智能制造单元的制造参数进行调节，其中，其中，n为电路总数；所述中控单元设有第一预设调节温度Tz1和第二预设调节温度Tz2，其中，0＜Tz1＜Tz2，若所述中控单元判定根据和Tz1的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的硅脂层涂敷参数进行相应地调节；若所述中控单元判定根据和Tz2的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的电路间距参数进行相应地调节；若所述中控单元判定所述智能制造单元存在故障、将判定信息传送至所述用户服务单元同时发出对智能制造单元进行故障排查的提醒信息。6.根据权利要求5所述的模拟芯片电路设计设计方法，其特征在于，所述中控单元在判定根据和Tz1的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的硅脂层涂敷参数进行相应地调节时计算和Tz1的差值
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Tx并将

【专利技术属性】
技术研发人员：陈兵，王义辉，田园农，顾志国，
申请(专利权)人：深圳安森德半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：