谐振器、滤波器及电子设备制造技术

本申请提供一种谐振器、滤波器及电子设备，谐振器包括压电基片、叉指换能器与反射结构，叉指换能器包括第一汇流条、第二汇流条、多个第一电极指以及多个第二电极指。第一电极指与第一汇流条连接并朝向第二汇流条延伸，第二电极指与第二汇流条连接并朝向第一汇流条延伸。叉指换能器还包括位于至少部分第一电极指上的至少一个活塞结构以及位于至少部分第二电极指上的至少一个活塞结构，位于第一电极指上的活塞结构中的至少一个包括厚度不同的两个金属层，位于第二电极指上的活塞结构中的至少一个包括厚度不同的两个金属层。通过改变两个金属层所在区域内压电基片上的声波信号传输速度，形成声学反射，避免声波信号泄漏，进而抑制谐振器的横向模态。抑制谐振器的横向模态。抑制谐振器的横向模态。

【技术实现步骤摘要】
谐振器、滤波器及电子设备


[0001]本申请涉及通信
，尤其涉及一种谐振器、一种具有该谐振器的滤波器以及一种具有该滤波器的电子设备。

技术介绍

[0002]声表面波器件利用声
‑
电换能器的特征对压电基片表面上传播的声信号进行处理。声表面波器件具有成本低、体积小和功能多等优点，因此在雷达、通信、导航、识别等领域获得了广泛的应用。声表面波器件主要是由压电基片上的多个叉指换能器(Interdigital Transducer，IDT)，叉指换能器可将电信号转化为声信号或将声信号转化为电信号。其中，叉指换能器包括两个平行的汇流条以及垂直连接于汇流条的多个电极指。
[0003]声表面波器的高次横向模态(Transverse Mode)会引起声波泄漏，从而造成声能损耗，降低品质因数值。为抑制声表面波器的横向模态，通常在汇流条上增加假指或在电极指的端部增加活塞(piston)改变声表面波的声速分布。但通过增加假指或电极指的端部增加活塞的方式并不能完全抑制横向模态的激发。
[0004]因此，如何解决进一步地抑制横向模态的激发以避免声表面波泄漏是本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种谐振器、一种具有该谐振器的滤波器以及一种具有该滤波器的电子设备，其旨在解决现有技术中由于声表面波泄漏导致声表面波器的品质因数值降低的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种谐振器，包括压电基片、位于所述压电基片上的叉指换能器以及设置于所述叉指换能器的相对两侧的反射结构，所述叉指换能器包括：
[0007]相对设置的第一汇流条以及第二汇流条；
[0008]多个第一电极指以及多个第二电极指，多个所述第一电极指与所述第一汇流条连接并朝向所述第二汇流条延伸，多个所述第二电极指与所述第二汇流条连接并朝向所述第一汇流条延伸，多个所述第一电极指与多个所述第二电极指依次交替间隔排列；
[0009]设置于至少部分所述第一电极指上的至少一个活塞结构，所述活塞结构至少位于所述第一电极指背对所述第一汇流条的端部，设置于至少部分所述第二电极指上的至少一个活塞结构，所述活塞结构至少位于所述第二电极指背对所述第二汇流条的端部；
[0010]位于所述第一电极指上的所述活塞结构中的至少一个包括厚度不同的两个金属层，位于所述第二电极指上的所述活塞结构中的至少一个包括厚度不同的两个金属层。
[0011]综上所述，本申请实施例提供的谐振器包括压电基片以及位于所述压电基片上的叉指换能器，所述叉指换能器包括第一汇流条、第二汇流条、多个第一电极指以及多个第二电极指。所述第一电极指与所述第一汇流条连接并朝向所述第二汇流条延伸，所述第二电
极指与所述第二汇流条连接并朝向所述第一汇流条延伸。所述叉指换能器还包括设置于所述第一电极指上的至少一个活塞结构以及设置于所述第二电极指上的至少一个所述活塞结构，位于所述第一电极指上的活塞结构中的至少一个包括厚度不同的两个金属层，位于所述第二电极指上的活塞结构中的至少一个包括厚度不同的两个金属层。因此，本申请的谐振器通过在至少部分电极指上设置厚度不同的金属层，可以改变两个所述金属层所在的区域内的压电基片上的声波信号传输速度，形成声学反射，避免了声波信号泄漏，将声波信号限制在所述叉指换能器内，进而提高了对所述谐振器的横向模态的抑制。
[0012]在示例性实施方式中，位于所述第一电极指上的所述活塞结构中的至少一个包括相邻接且厚度不同的两个金属层，位于所述第二电极指上的所述活塞结构中的至少一个包括相邻接且厚度不同的两个金属层。或者，位于所述第一电极指上的所述活塞结构中的至少一个包括间隔预设距离且厚度不同的两个金属层，位于所述第二电极指上的所述活塞结构中的至少一个包括间隔预设距离且厚度不同的两个金属层。
[0013]在示例性实施方式中，多个所述第一电极指与多个所述第二电极指沿着所述第一汇流条和所述第二汇流条的延伸方向依次交替排列形成一交替区域，所述交替区域包括由所述第一汇流条指向所述第二汇流条的方向依次设置的第一边缘区域、第二边缘区域、中间区域、第三边缘区域以及第四边缘区域。
[0014]在示例性实施方式中，设置于至少部分所述第一电极指和至少部分所述第二电极指上的至少一个活塞结构均包括间隔设置的第一活塞结构与第二活塞结构，所述第一活塞结构包括第一金属层以及第二金属层，所述第二活塞结构包括第三金属层以及第四金属层。其中，所述第一金属层的厚度与所述第二金属层的厚度不同，所述第三金属层的厚度与所述第四金属层的厚度不同；所述第三金属层、所述第四金属层、所述第一金属层以及所述第二金属层沿着所述第一电极指的延伸方向依次位于所述第一边缘区域、所述第二边缘区域、所述第三边缘区域以及所述第四边缘区域，且所述第二金属层位于所述第一电极指背对所述第一汇流条的端部。所述第三金属层、所述第四金属层、所述第一金属层以及所述第二金属层沿着所述第二电极指的延伸方向依次位于所述第四边缘区域、所述第三边缘区域、所述第二边缘区域以及所述第一边缘区域，且所述第二金属层位于所述第二电极指背对所述第二汇流条的端部。
[0015]在示例性实施方式中，设置于至少部分所述第一电极指和至少部分所述第二电极指上的至少一个活塞结构均包括间隔设置的第一活塞结构以及第二活塞结构，所述第一活塞结构包括第一金属层，所述第二活塞结构包括第三金属层以及第四金属层，其中，所述第三金属层与所述第四金属层的厚度不同。所述第三金属层、所述第四金属层以及所述第一金属层沿着所述第一电极指的延伸方向依次位于所述第一边缘区域、所述第二边缘区域以及所述第三边缘区域；所述第三金属层、所述第四金属层以及所述第一金属层沿着所述第二电极指的延伸方向依次位于所述第四边缘区域、所述第三边缘区域以及所述第二边缘区域。
[0016]在示例性实施方式中，设置于至少部分所述第一电极指和至少部分所述第二电极指上的至少一个活塞结构均包括间隔设置的第一活塞结构以及第二活塞结构，所述第一活塞结构包括第二金属层，所述第二活塞结构包括第三金属层以及第四金属层，其中，所述第三金属层与所述第四金属层的厚度不同。所述第三金属层、所述第四金属层以及所述第二
金属层沿着所述第一电极指的延伸方向依次位于所述第一边缘区域、所述第二边缘区域以及所述第四边缘区域，且所述第二金属层位于所述第一电极指背对所述第一汇流条的端部。所述第三金属层、所述第四金属层以及所述第二金属层沿着所述第二电极指的延伸方向依次位于所述第四边缘区域、所述第三边缘区域以及所述第一边缘区域，且所述第二金属层位于所述第二电极指背对所述第二汇流条的端部。
[0017]在示例性实施方式中，设置于至少部分所述第一电极指和至少部分所述第二电极指上的至少一个活塞结构均包括第一活塞结构，所述第一活塞结构包括第一金属层以及第二金属层，其中，所述第一金属层的厚度与所述第二金属层的厚度不同。所述第一金属层以及所述第二金属层沿着所述第一电极指的延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种谐振器，包括压电基片、位于所述压电基片上的叉指换能器以及设置于所述叉指换能器的相对两侧的反射结构，其特征在于，所述叉指换能器包括：相对设置的第一汇流条以及第二汇流条；多个第一电极指以及多个第二电极指，多个所述第一电极指与所述第一汇流条连接并朝向所述第二汇流条延伸，多个所述第二电极指与所述第二汇流条连接并朝向所述第一汇流条延伸，多个所述第一电极指与多个所述第二电极指依次交替间隔排列；设置于至少部分所述第一电极指上的至少一个活塞结构，所述活塞结构至少位于所述第一电极指背对所述第一汇流条的端部，设置于至少部分所述第二电极指上的至少一个活塞结构，所述活塞结构至少位于所述第二电极指背对所述第二汇流条的端部；位于所述第一电极指上的所述活塞结构中的至少一个包括厚度不同的两个金属层，位于所述第二电极指上的所述活塞结构中的至少一个包括厚度不同的两个金属层。2.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，位于所述第一电极指上的所述活塞结构中的至少一个包括相邻接且厚度不同的两个金属层，位于所述第二电极指上的所述活塞结构中的至少一个包括相邻接且厚度不同的两个金属层；或者，位于所述第一电极指上的所述活塞结构中的至少一个包括间隔预设距离且厚度不同的两个金属层，位于所述第二电极指上的所述活塞结构中的至少一个包括间隔预设距离且厚度不同的两个金属层。3.如权利要求2所述的谐振器，其特征在于，多个所述第一电极指与多个所述第二电极指沿着所述第一汇流条和所述第二汇流条的延伸方向依次交替排列形成一交替区域，所述交替区域包括由所述第一汇流条指向所述第二汇流条的方向依次设置的第一边缘区域、第二边缘区域、中间区域、第三边缘区域以及第四边缘区域。4.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于，设置于至少部分所述第一电极指和至少部分所述第二电极指上的至少一个活塞结构均包括间隔设置的第一活塞结构与第二活塞结构，所述第一活塞结构包括第一金属层以及第二金属层，所述第二活塞结构包括第三金属层以及第四金属层，其中，所述第一金属层的厚度与所述第二金属层的厚度不同，所述第三金属层的厚度与所述第四金属层的厚度不同；所述第三金属层、所述第四金属层、所述第一金属层以及所述第二金属层沿着所述第一电极指的延伸方向依次位于所述第一边缘区域、所述第二边缘区域、所述第三边缘区域以及所述第四边缘区域，且所述第二金属层位于所述第一电极指背对所述第一汇流条的端部；所述第三金属层、所述第四金属层、所述第一金属层以及所述第二金属层沿着所述第二电极指的延伸方向依次位于所述第四边缘区域、所述第三边缘区域、所述第二边缘区域以及所述第一边缘区域，且所述第二金属层位于所述第二电极指背对所述第二汇流条的端部。5.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于，设置于至少部分所述第一电极指和至少部分所述第二电极指上的至少一个活塞结构均包括间隔设置的第一活塞结构以及第二活塞结构，所述第一活塞结构包括第一金属层，所述第二活塞结构包括第三金属层以及第四金属层，其中，所述第三金属层与所述第四金属层的厚度不同；所述第三金属层、所述第四金属层以及所述第一金属层沿着所述第一电极指的延伸方向依次位于所述第一边缘区域、所述第二边缘区域以及所述第三边缘区域；所述第三金属
层、所述第四金属层以及所述第一金属层沿着所述第二电极指的延伸方向依次位于所述第四边缘区域、所述第三边缘区域以及所述第二边缘区域。6.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于，设置于至少部分所述第一电极指和至少部分所述第二电极指上的至少一个活塞结构均包括间隔设置的第一活塞结构以及第二活塞结构，所述第一活塞结构包括第二金属层，所述第二活塞结构包括第三金属层以及第四金属层，其中，所述第三金属层与所述第四金属层的厚度不同；所述第三金属层、所述第四金属层以及所述第二金属层沿着所述第一电极指的延伸方向依次位于所述第一边缘区域、所述第二边缘区域以及所述第四边缘区域，且所述第二金属层位于所述第一电极指背对所述第一汇流条的端部；所述第三金属层、所述第四金属层以及所述第二金属层沿着所述第二电极指的延伸方向依次位于所述第四边缘区域、所述第三边缘区域以及所述第一边缘区域，且所述第二金属层位于所述第二电极指背对所述第二汇流条的端部。7.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于，设置于至少部分所述第一电极指和至少部分所述第二电极指上的至少一个活塞结构均包括第一活塞结构，所述第一活塞结构包括第一金属层以及第二金属层，其中，所述第一金属层的厚度与所述第二金属层的厚度不同；所述第一金属层以及所述第二金属层沿着所述第一电极指的延伸方向依次位于所述第三边缘区域以及所述第四边缘区域，且所述第二金属层位于所述第一电极指背对所述第一汇流条的端部；所述第一金属层以及所述第二金属层沿着所述第二电极指的延伸方向依次位于所述第二边缘区域以及所述第一边缘区域，且所述第二金属层位于所述第二电极指背对所述第二汇流条的端部。8.如权利要求4
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：李天年，杜波，王华磊，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯重庆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：