一种半导体模块及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体模块及其制造方法，包括：金属基材、设置在所述金属基材下的绝缘层、固定在所述绝缘层下的铜箔层、设置在所述铜箔层下的保护层、设置在所述保护层的电阻、电容、元器件、散热片、设置在所述散热片上的元器件半成品、设置在所述铜箔层一端的引脚、导线、半导体电路、连接线路以及注塑成型的封装体，所述导线用于分别将所述元器件、所述元器件半成品连接到所述铜箔层上实现电连接，所述电阻与所述电容并排设置，所述半导体电路贴装在所述铜箔层上实现电连接；所述半导体电路包括并联的多个半导体电路，所述多个半导体电路之间通过所述连接线路连接。本发明专利技术成本低、控制效果好、更换方便、适应范围广。适应范围广。适应范围广。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体模块及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体模块及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体电路IPM(Intelligent Power Module)不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起，而且还内藏有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU或DSP作中断处理。它由高速低工耗的管芯和优化的门级驱动电路以及快速保护电路构成。即使发生负载事故或使用不当，也可以IPM自身不受损坏。IPM一般使用IGBT作为功率开关元件，并内藏电流传感器及驱动电路的集成结构。
[0003]现有IPM半导体电路IC驱动控制电路、IPM采样放大电路以及PFC电流保护电路等低压控制电路与高压功率器件组成的逆变电路布局到同一板上，同时现有IPM半导体电路都只集成单个IPM模块，对于多个IPM半导体电路集成还没有实现，而面对市场小型化、低成本竞争，对IPM半导体电路高集成和高散热技术提出了更高的要求。
[0004]因此，上述现有的半导体电路制造成本高、体积大、控制效果差、更换方便。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体模块，其特征在于，包括：金属基材、设置在所述金属基材下的绝缘层、固定在所述绝缘层下的铜箔层、设置在所述铜箔层下的保护层、设置在所述保护层的电阻、电容、元器件、散热片、设置在所述散热片上的元器件半成品、设置在所述铜箔层一端的引脚、导线、半导体电路、连接线路以及注塑成型的封装体，所述导线用于分别将所述元器件、所述元器件半成品连接到所述铜箔层上实现电连接，所述电阻与所述电容并排设置，所述半导体电路贴装在所述铜箔层上实现电连接；所述半导体电路包括并联的多个半导体电路，所述多个半导体电路之间通过所述连接线路连接。2.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，所述封装体上设置安装孔位，并联的所述多个半导体电路通过所述引脚穿过所述安装孔位实现电连接。3.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，所述封装体为塑胶材料制成。4.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，所述半导体电路包括：PFC电路、逆变电路及控制电路，所述PFC电路与所述逆变电路连接，所述PFC电路的集电极通过所述引脚与外部电控板连接，所述PFC电路的发射极通过所述引脚与所述外部电控板连接，所述PFC电路的栅极与所述控制电路电连接，所述逆变电路与所述控制电路电连接。5.如权利要求4所述的半导体模块，其特征在于，所述逆变电路包括：第一上桥臂、第二上桥臂、第三上桥臂、第一下桥臂、第二下桥臂及第三下桥臂，所述第一上桥臂、所述第二上桥臂和所述第三上桥臂分别与所述第一下桥臂、所述第二下桥臂和所述第三下桥臂串联，所述第一上桥臂、所述第二上桥臂和所述第三上桥臂、所述第一下桥...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，黄浩，何嘉杰，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：